RISS 학술연구정보서비스

검색
다국어 입력

http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.

변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.

예시)
  • 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
  • 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
닫기
    인기검색어 순위 펼치기

    RISS 인기검색어

      검색결과 좁혀 보기

      선택해제
      • 좁혀본 항목 보기순서

        • 원문유무
        • 원문제공처
          펼치기
        • 등재정보
        • 학술지명
          펼치기
        • 주제분류
          펼치기
        • 발행연도
          펼치기
        • 작성언어
        • 저자
          펼치기

      오늘 본 자료

      • 오늘 본 자료가 없습니다.
      더보기
      • 무료
      • 기관 내 무료
      • 유료
      • KCI등재

        기후변화와 대규모 하천정비 사업을 고려한 낙동강 유역 자연재해 홍수 취약성 평가

        김환석,박기정,김상단,최민하,박무종,윤재영,Kim. Hwan Suk,Park. Gi Jung,Kim. Sang Dan,Choi. Min Ha,Park. Moo Jong,Yoon. Jae Young 한국방재학회 2012 한국방재학회논문집 Vol.12 No.2

        전 세계적으로 기후변화에 의한 자연재해 피해가 증가하고 있으며 이에 대한 적응전략의 일환으로 기후변화 취약성에 대한 개념이 도입되기 시작하였다. 하지만 국내의 경우 취약성 관련 연구가 미흡한 실정이며 전세계를 대상으로 실시된 국가단위 취약성 평가방법을 국내에 적용하는 것은 공간스케일의 차이로 인해 적합하지 않은 것으로 보고된 바 있다. 본 연구에서는 취약성 평가의 국내적용의 일환으로서 낙동강 유역을 대상으로 기후변화와 대규모 하천정비사업 영향에 의한 취약성 변화를 평가하고자 하였다. 이를 위하여 국내외 문헌조사 및 가용 자료 검토를 통하여 취약성지표 대리변수를 선정하였고, 시군구별 자료를 수집하여 엔트로피 방법에 의해 대리변수별 가중치를 산정하였다. 선정된 대리변수와 엔트로피 방법을 사용해 결정된 가중치를 활용해 취약성을 계산하고 이를 지도로 작성하여 검토한 결과 홍수취약성 높은 지역이 과거 침수피해지역과 상당부분 일치함을 확인할 수 있어 방법론의 타당성을 확인할 수 있었다. 또한 현재 상태와 비교할 때 대규모 하천정비에 의해 취약성이 완화되는 지역이 있었으며, 미래 기후변화에 의해 취약성이 증가하는 지역이 발생하는 것을 확인할 수 있었다. 하지만 미래상황에서의 대규모 하천정비사업의 효과는 기후변화에 따른 홍수량 증가로 인해 취약성 완화에 있어 그 효과가 미미한 것으로 나타났다. 본 연구에서 제안한 방법론은 취약도 우선순위 지역 판별을 통해 기후변화 적응 정책 및 방재 계획 수립에 있어 유용하게 활용될 수 있을 것으로 기대된다. Damage caused by natural disasters has been increasing throughout the world due to climate change. As part of adaptation strategies, concept of vulnerability to climate change is introduced abroad to identify flood hotspots and to establish improvement measures. However, there has been very few research on vulnerability domestically. In addition, vulnerability studies conducted at a country level was also reported to be unsuitable for sub-country level. In this study, we conduct vulnerability assessment using entropy method for the Nakdong River Basin as part of domestic application. Vulnerability for present condition are first determined, and then changes in vulnerability due to climate change and large-scale river restoration project to identify their impacts. To achieve this, proxy variables that make up the vulnerability index were selected based on literature survey and data availability. Using data collected for this area, weights for proxy variables were then determined by entropy method. Finally, vulnerability was calculated and mapped for the basin. Reviewing the vulnerability maps showed that vulnerability hotspots were consistent with historical flooded areas for present condition. This suggests that the methodology employed is reasonable. The results for future scenario also showed that there were areas where vulnerability is mitigated by the large-scale river restoration project but also increased by climate change. However, the effect of the project in the future is found to be minimal because the decrease in water level by the project is offset by the increase in runoff due to climate change. The methodology presented in this study is thought to be useful in establishing the disaster prevention plan and climate-change adaptation policy by identifying hotspots.

      • 신첨성대 - 상아탑과학, 기업과학, 그리고 시민과학

        김환석,Kim, Hwan-Seok 한국과학기술단체총연합회 1997 과학과 기술 Vol.30 No.7

        과학은 상아탑이나 기업의 것일 뿐 시민의 것일 수는 없을까. 이러한 시민 참여문제를 고민해왔던 네덜란드의 대학들은 교수와 대학원생들에 의해 지역사회집단 등이 제기하는 문제들을 교수와 학생들이 연구와 자문을 해주는 '과학상점'이란 것을 70년대부터 운영해오고 있다. 이러한 대학연구의 새로운 모델은 구미 각국에 확산되고 있는 실정으로 우리 대학들도 도입을 고려해 볼 때가 된 것이다.

      • KCI등재

        A Study on Characteristics of Wet Oxide Gate and Nitride Oxide Gate for Fabrication of NMOSFET

        김환석,이천희,Kim, Hwan-Seog,Yi, Cheon-Hee Korea Information Processing Society 2008 정보처리학회논문지 A Vol.15 No.4

        본 논문에서는 핫 케리어 효과, 항복전압 전하, 트랜지스터 Id Vg 특성곡선, 전하 트래핑, SILC와 같은 특성들을 비교하기 위하여 HP 4145 디바이스 테스터를 사용하여 습식 산화막과 질화 산화막으로된 $0.2{\mu}m$ NMOSFET를 만들어 측정하였다. 그 결과 질화 산화막으로 만들어진 디바이스가 핫 케리어 수명(질화 산화막은 30년 이상인 반면에 습식 산화막 소자는 0.1년임), Vg의 변화, 항복전압, 전계 시뮬레이션, 전하 트래핑면에서도 습식 산화막 소자보다 우수한 결과를 얻을 수 있었다. In this paper we fabricated and measured the $0.26{\mu}m$ NMOSFET with wet gate oxide and nitride oxide gate to compare that the charateristics of hot carrier effect, charge to breakdown, transistor Id_Vg curve, charge trapping, and SILC(Stress Induced Leakage Current) using the HP4145 device tester. As a result we find that the characteristics of nitride oxide gate device better than wet gate oxide device, especially hot carrier lifetime(nitride oxide gate device satisfied 30 years, but the lifetime of wet gate oxide was only 0.1 year), variation of Vg, charge to breakdown, electric field simulation and charge trapping etc.

      • 특별기고 - 생명공학 논쟁과 과학자의 윤리

        김환석,Kim, Hwan-Seok 한국과학기술단체총연합회 1999 과학과 기술 Vol.32 No.1

        97년 2월 복제양 '돌리'의 탄생이 전세계를 경악시킨 이후 지난해 11월엔 인간의 세포핵을 소의 난자에 이식시켜 배양하는데 성공함으로써 반인반수의 시대가 열렸다. 최근 생명공학기술개발에 따른 안전과 윤리를 문제삼는 환경단체ㆍ소비자단체ㆍ종교단체들이 반대운동에 앞장서고 있다. 그러나 과학기술계에선 이같은 반대가 생명공학에 대한 무지나 오해에서 비롯된 것이라고 일축하고 있다. 이러한 논쟁을 조정하고 과학기술정책을 결정할 때는 시민을 대화의 상대와 의사결정의 주체로 하는 '합의회의'방식을 도입하는 것이 바람직하다.

      • KCI등재

        고밀도 칩 신뢰성 개선을 위한 buffered deposition 소자구조에 관한 연구

        김환석,이천희,Kim, Hwan-Seog,Yi, Cheon-Hee 한국시뮬레이션학회 2008 한국시뮬레이션학회 논문지 Vol.17 No.2

        본 연구에서는 드레인 부근의 채널 영역에서 접합 전계를 줄이는 Buffered deposition 구조의 소자를 제안하였다. Buffered deposition 구조의 소자 제작은 첫 번째 게이트를 식각한 후에 NM1(N-type Minor1) 이온주입을 하고 다시 HLD막과 질화막을 덮어 식각하여 제작하였다. 이러한 Buffered deposition 구조는 전계를 줄이기 위한 버퍼층으로 되어 있으며 Buffered deposition 소자의 여러 가지 구조의 Hot carrier 수명을 비교하였으며 열화 특성도 분석하여 10년간의 Hot carrier 수명을 만족함을 증명하였다. New Buffered deposition is proposed to decrease junction electric field in this paper. Buffered deposition process is fabricated after first gate etch, followed NM1 ion implantation and deposition & etch nitride layer. New Buffered deposition structure has buffer layer to decrease electric field. Also we compared the hot carrier characteristics of Buffered deposition and conventional. Also, we design a test pattern including NMOSFET, PMOSFET, LvtNMOS, High pressure N/PMOSFET, so that we can evaluate DC/AC hot carrier degradation on-chip. As a result, we obtained 10 years hot carrier life time satisfaction.

      연관 검색어 추천

      이 검색어로 많이 본 자료

      활용도 높은 자료

      해외이동버튼