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- 저자 : 김응수(Kim, Eung Soo) (검색결과 327 건)
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졸-겔 공정에 의한 YMnO<sub>3</sub> 박막의 전기적 특성
김응수,김병규,김유택,Kim, Eung-Soo,Kim, Beng-Gu,Kim, Yoo-Taek 한국세라믹학회 2002 한국세라믹학회지 Vol.39 No.5
$Y(NO_3)_3{\cdot}5H_2O$ 과 $Mn(CH_3CO_2)_2{\cdot}4H_2O$를 출발물질로 하여 졸-겔(sol-gel)법으로 Si(100) 기판위에 육방정계의 $YMnO_3$ 박막을 제조하였다. $YMnO_3$ 박막의 열처리 온도변화, 가수분해시 가수의 양(Rw)과 촉매제의 첨가에 따른 결정 구조 및 전기적 특성을 조사하였다. $YMnO_3$ 박막의 결정화는 700${\circ}C$부터 시작되었고 완전한 결정화는 800${\circ}C$-1시간 열처리하여 이루어 졌으며, $YMnO_3$ 박막의 가수의 양 Rw=6일때 육방정계 $YMnO_3$상의 c-축 (0001) 우선 배향성을 나타내었고, Rw=1 과 Rw=12인 경우에는 Rw=6인 경우보다 c-축 배향성은 감소하였다. 산성이나 염기성 촉매제 첨가에 따라 $YMnO_3$ 박막의 결정성 및 우선 배향성은 영향을 받아 c-축 우선 배향성은 감소하고 사방정계의 $YMnO_3$ 상을 형성하였다. Rw=6일 때 $YMnO_3$박막은 0.2V인가 전압에서 $1.2{\times}10-8 A/cm^2$으로 우수한 누설 전류 밀도를 나타내었고 누설 전류 밀도는 인가 전압에 따라 크게 변하지 않았다. Hexagonal $YMnO_3$ thin films were prepared from $Y(NO_3)_3{\cdot}5H_2O$ and $Mn(CH_3CO_2)_2{\cdot}4H_2O$ as starting materials on the Si(100) substrates by the sol-gel method. The crystal structure and the electrical properties of the $YMnO_3$ thin films were investigated as a function of heat treatment temperature, the amount of water(Rw) of hydrolysis and the addition of catalysis. The crystallization of the $YMnO_3$ thin film began at 700${\circ}C$ and completed at 800${\circ}C$ for 1 h. The c-axis (0001) preferred orientation of hexagonal $YMnO_3$ was detected for the $YMnO_3$ thin films with Rw=6 and that was decreased for the $YMnO_3$ thin films with Rw=1 and Rw=12. The crystallinity and preferred orientation of the $YMnO_3$ thin films were depended on the addition of acid and/or alkali catalysis, which, in turn, the preferred orientation of c-axis was decreased and the orthorhombic phase of $YMnO_3$ was detected to the specimens with the addition of catalysis. The $YMnO_3$ thin film with Rw=6 showed good leakage current density of $1.2{\times}10-8 A/cm^2$ at the applied voltage of 0.2V and the leakage current density was not changed drastically with applied voltage.
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김응수,김용현,김준철,방규석,Kim, Eung-Soo,Kim, Yong-Hyun,Kim, Jun-Chul,Bang, Kyu-Seok 한국재료학회 2001 한국재료학회지 Vol.11 No.8
($Pb_{0.2}$$Ca_{0.8}$ )[($Ca_{1}$3$Nb_{2}$3/)$_{1-x}$ $Ti_{x}$ ]O$_{3}$ 세라믹스의 $^{4+}$ 치환량 변화에 따른 마이크로파 유전특성을 고찰하였다. $Ti^{4+}$ 치환량이 증가함에 따라 x=0.05부터 x=0.15까지의 조성범위에서는 단일상의 페롭스카이트상을 얻을 수 있었으며, x=0.2이상에서는 $Ti_2$와 $CaNb_2$$O_{6}$ 가 제 2상으로 존재하였고, 결정구조는 x=0.05에서 사방정(orthorhombic) 구조가 x=0.35에서 이방정(cubic) 구조로 전이하였다. 유전상수(K)는 $Ti^{4+}$ 치환량의 증가에 따라 rattling 효과의 증가로 인하여 증가되었으며, B-자리 양이온의 평균이온반겨의 세제곱의 반비례하였다. 그러나 결정립 크기의 감소와 제 2상의 존재로 인하여 Qf값은 감소하였다. $Ti^{4+}$ 치환량이 증가됨에 따리 tolerance factor(t)와 B-자리 결합원자가의 영향으로 공진주파수의 온도계수(TCF)는 -27.36ppm/$^{\circ}C$값으로부터 +18ppm/$^{\circ}C$r값으로 조절되었다. $1350^{\circ}C$d서 3시간 소결한 ($Pb_{0.2}$ $Ca_{0.8}$ )[(Ca$_{1}$3$Nb_{2}$3)$_{1-x}$ /$Ti_{x}$]$O_{3}$ 시편에서 K=51.67, Qf=7268(GHz), TCF=0 ppm/$^{\circ}C$의 우수한 특성을 얻을 수 있었다. Microwave dielectric properties of $(Pb_{0.2}Ca_{0.8})[(Ca_{1/3}Nb{2/3})_{1-x}Ti_x]O_3$ ceramics were investigated as a function of $Ti^{4+}$ content (0.05$\leq$x$\leq$0.35). A single perovskite phase was obtained from x=0.05 to x=0.15, and $TiO_2$ and $CaNb_2O^6$ were detected as a secondary phase beyond x=0.2. The structure was changed from orthorhombic at x=0.05 to cubic at x=0.35. Dielectric constant(K) was increased with increase of $Ti^{4+}$ content due to increase of rattling effect, and was inversely proportional to the cube of the average radius of B-site cation, however, Qf value was decreased, which was due to the decrease of grain size and the secondary phase. With the increase of $Ti^{4+}$ content, the temperature coefficient of resonant frequency(TCF) was controlled from -27.36 ppm/$^{\circ}C$ value to +18.4 ppm/$^{\circ}C$ value, which was caused by the influence of tolerance factor(t) and the bond valence of B-site. Typically, K of 51.67, Qf of 7268(GHz), TCF of 0 ppm/$^{\circ}C$ were obtained in the $(Pb_{0.2}Ca_{0.8})[(Ca_{1/3}Nb_{2/3})_{0.8}Ti_0.2]O_3$ sintered at 13$50^{\circ}C$ for 3h.
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김응수,김민성,강신원,Kim, Eung-Soo,Kim, Min-Sung,Kang, Shin-Won 한국광학회 2005 한국광학회지 Vol.16 No.1
Second harmonic generation(SHG) by guided phase matching is observed in waveguide structure using the anomalous dispersion of a poled polymer. The second harmonic TM$_{0}$ guided mode could be generated from the fundamental TM$_{0}$ guided mode and then the second harmonic power was higher than any other phase matchable mode because the overlap integral between the fundamental and the second harmonic wave was the largest in the theoretical analysis. Near UV SHG(370 nm) was obtained from the fundamental wavelength of Ti-sapphire laser(740 nm). Poled polymer를 사용하여 도파로구조를 제작하고 2차 비선형광학현상에 의해 제 2고조파(SHG)글 발생시켰다. 기본파와 제 2고조파 사이의 위상정합은 poled polymer의 이상분산 특성을 이용하여 기본파 도파모드(TM$_{0}$)로부터 제 2고조파 도파모드(TM$_{0}$)를 실현하였다. 이때 발생되는 제 2고조파의 power는 위상정합이 가능한 다른 모드의 기본파로부터 발생한 제 2고조파의 power보다 크게 됨을 이론적으로 확인하였고, 위상정합이 가능한 도파로를 제작하였다. 기본파로서 Ti-sapphire laser(740 nm)를 사용하여 근자외 영역의 제 2고조파(370 nm)를 관찰하였다.
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김응수,정자춘,이철동,유영욱,Kim, Eung-Su,Jeong, Ja-Chun,Lee, Cheol-Dong,Yu, Yeong-Uk 한국전자통신연구원 1986 전자통신 Vol.8 No.3
Currently, CIF is used widely as a common data base to represent IC layouts. The CIF2PG program is developed using C language to obtain electromask or mann 3000 PG file from the CIF input file. By obtaining the PG data, which can realize the actual mask layout, the construction of IC Design Automation System became possible using a general purpose computer.
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김응수,이철동,유영욱,Kim, Eung-Su,Lee, Cheol-Dong,Yu, Yeong-Uk 한국전자통신연구원 1985 전자통신 Vol.7 No.3
CAD tools that has the common data base system are important to design for the VLSI. Each CAD tools are used to design for the VLSI, and to reduce the complexity, man-error, design-time for the IC design. CIF, a layout description language, was proved to be effective in this point. In this article, the program which translates pattern generation data for the mask tooling into CIF data was described. This program has its character in the unification of physical design data base for a design automated CAD system. The output format of CIF data is fitting to the input of the kgraph that is graphic layout editor, and the name of each layer and the output file is extended as a user's option.
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