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- 저자 : 김선태 ( Seon Tae Kim ) (검색결과 103 건)
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RF 마그네트론 스퍼터링법에 의해 PET 기판 위에 증착된 ITO 박막의 특성에 대한 산소 분압의 영향
김선태,김태규,조현,김진곤,Kim, Seon Tae,Kim, Tae Gyu,Cho, Hyun,Kim, Jin Kon 한국결정성장학회 2014 한국결정성장학회지 Vol.24 No.6
ITO(indium tin oxide) 박막을 RF 마그네트론 스퍼터링법에 의해 산소 분압을 0에서 $6{\times}10^{-5}$ Pa로 변화시킨 조건 하에서 PET 기판 위에 증착하였고, 산소 분압에 따른 ITO 박막의 전기적, 광학적 특성과 결정성의 변화를 조사하였다. 산소 분압이 $1{\times}10^{-5}$ Pa 이하에서는 증착된 ITO 박막은 비정질 구조를 가지는 반면에 $2{\times}10^{-5}$ Pa 이상에서는 결정질임을 확인하였다. 이러한 구조적 변화와 더불어 전하 캐리어 농도와 비저항이 증가하였다. 산소 분압이 $4{\times}10^{-5}$ Pa에서 최소 비저항($9.8{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$)을 얻을 수 있었다. ITO/PET 박막의 광투과율도 산소 분압이 증가함에 따라 증가하였으며 산소 분압 $4{\times}10^{-5}$ Pa에서 80 % 이상을 나타내었다. 본 연구를 통하여 최적의 산소 분압 선정이 ITO 박막의 결정성 향상, 캐리어 밀도 향상 그리고 전기전도도 향상 효과를 나타냄을 확인하였다. Indium tin oxide (ITO) films with various oxygen partial pressure from 0 to $6{\times}10^{-5}$ Pa were prepared onto polyethylene terephthalate (PET) using RF magnetron sputtering at room temperature. The structural, electrical and optical properties of the grown ITO films were investigated as a function of the oxygen partial pressure. The amorphous nature of the ITO films was dominant at the partial pressure below $1{\times}10^{-5}$ Pa and the degree of crystallinity increased as the oxygen concentration increased further. This structural change comes with the increased carrier concentration and reduction of the electrical resistivity down to $9.8{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$. The average transmittance (at 400~800 nm) of the ITO deposited on the PET substrates increased as the oxygen partial pressure increased and transmittance above 80 % was achieved with the partial pressure of $4{\times}10^{-5}$ Pa. The results show that the choice of optimal oxygen partial pressure can present improved film crystallinity, the increased carrier concentration, and the enhancement in the electrical conductivity.
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$MgAl_{2}O_{4}$ 기판위에 GaN의 HVPE 성장조건에 따른 광루미네센스 특성
김선태,이영주,Kim, Seon-Tae,Lee, Yeong-Ju 한국재료학회 1998 한국재료학회지 Vol.8 No.8
이 연구에서는 HVPE법으로 $MgAl_{2}O_{4}$ 기판 위에 GaN를 서로 다른 조건에서 성장시키고, 성장된 GaN의 PL특성을 조사하였다. $MgAl_{2}O_{4}$ 기판위에 성장된 GaN는 $MgAl_{2}O_{4}$ 기판으로부터 Mg의 out-diffusion에 의한 auto-doping 효과에 의하여 불순물이 첨가된 GaN의 PL 성질을 나타내었다. Mg과 관련된 발광 강도는 GaN의 성장온도가 증가함에 따라 GaN의 표면에서 Mg의 재증발에 의하여 감소하였으며, GaN의 두께에 대하여 지수 함수적으로 감소하였다. 두 개의 무한 고체 사이에서 농도 차에 의한 확산현상을 고려하여 구한 GaN 내에서 Mg 원자의 확산계수는 D= 2$\times$$lO^{-10}\textrm{cm}^2/sec. 이었다. The photoluminescence (pL) characteristics of hydride vapor phase epiyaxy (HVPE) grown GaN films on $MgAl_{2}O_{4}$ substrate were investigated with several growth conditions. The GaN films on $MgAl_{2}O_{4}$ substrate is autodoped with Mg atoms which thermally out-diffused from substrate lead to a PL characteristics of impurity doped ones. The Mg-related emission band intensity decreased with growth temperature may due to the evaporation of Mg atoms at the GaN film surfaces. and it also decreased with GaN film thicknesses. We can estimate the diffusion coefficient of Mg atoms in GaN under the consideration of diffusion phenomena between two infinite solids lead to a value of D= 2$\times$$lO^{-10}\textrm{cm}^2/sec.
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Event Intervention이 일본, 중국 항공수요에 미치는 영향에 관한 연구
김선태,김민수,박상범,이준일,Kim, Seon Tae,Kim, Min Su,Park, Sang Beom,Lee, Joon Il 한국항공운항학회 2013 한국항공운항학회지 Vol.21 No.4
The purpose of this study is to anticipate the air travel demands over the period of 164 months, from January 1997 to August 2010 using ARIMA-Intervention modeling on the selected sample data. The sample data is composed of the number of the passengers who in the domestic route for Jeju route. In the analysis work of this study, the past events which are assumed to have affected the demands for the air travel routes to Jeju in different periods were used as the intervention variables. The impacts of such variables were reflected in the presupposed demand. The intervention variables used in this study are, respectively, the World Cup event in 2002 (from May to June), 2003 SARS outbreak (from April to May), Tsunami in January 2005, and the influenza outbreak from October to December 2009. The result of the above mentioned analysis revealed that the negative intervention events, like a global outbreak of an epidemic did have negative impact on the air travel demands in a risk aversion by the users of the aviation services. However, in case of the negative intervention events in limited area, where there are possible substituting destinations for the tourists, the impact was positive in terms of the air travel demands for substituting destinations due to the rational expectation of the users as they searched for other options. Also in this study, it was discovered that there is not a binding correlation between a nation wide mega-event, such as the World Cup games in 2002, and the increased air travel demands over a short-term period.
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이온화된 N-source를 사용한 GaN박막의 성장과 특성
김선태,이영주,Kim, Seon-Tae,Lee, Yeong-Ju 한국재료학회 1998 한국재료학회지 Vol.8 No.3
열적으로 이온화된 N과 증기상태의 Ga을 $300~730^{\circ}C$의 온도 범위에서 직접 반응시켜 (001)Si과 (00.1)사파이어 기판 위에 GaN박막의 성장 초기 단계에서는 GaN의 성장률이 증가한 후, 결정 핵을 중심으로 수평방향으로서 성장과 합체에 의하여 성장률의 변화가 일정 값에 달하였다. 이 연구에서 성장한 GaN박막에 대한 XPS분석 결과 낮은 온도에서 성장된 GaN박막은 진공 chamber 내의 산소가 성장된 박막 내에 많이 혼입 되어 있음을 알 수 있었다. 낮은 온도, 짧은 시간 동안 성장된 표면은 Ga덩어리들도 도포 되었다. 그러나, 기판온도와 성장시간이 증가함에 따라 이들은 피라미드 형태의 결정들로 성장된 후 원형고리 형태의 결정으로 합체되었다. 특히 N-소스의 공급이 충분한 경우에는 판상의 결정으로 성장되었다. 20K의 온도에서 측정된 PL스펙트럼에서는 3.32eV와 3.38eV에서 불순물과 관련된 발광이 관찰되었다. We grew the hexagonal GaN films on (100) Si and (00.1) sapphire substrates in the temperature range of $300~730^{\circ}C$ by the direct reaction between thermally ionized N-source and thermally evaporated Ga-source. The GaN growth rates are increased at the initial stage of GaN formation and it was saturated to some values by the coalescence of each crystallites. The oxygen signal was observed in XPS spectra for all the GaN films grown in this work, especially low- temperature grown GaN film may due to incorporation of the residual oxygen in the growth chamber. The surface of low-temperature and shorter time grown films covered only Ga-droplets. however, with increasing the both substrate temperature and the growth time GaN is growth to crystallites. and coalescence to ring-type crystallites. With sufficient supply of N-source, they were changed to platelets. In the PL spectrum measured at 20 K, we observed the impurity related emission at 3.32eV and 3.38eV.
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