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EACVD로 Si 위에 성장한 다이아몬드 박막의 계면 접합강도
이철로(C. R. Lee),박재홍(J. H. Park),임재영(J. Y. Leem),김관식(K. S. Kim),천병선(B. S. Chun) 한국진공학회(ASCT) 1993 Applied Science and Convergence Technology Vol.2 No.3
필라멘트와 Si 기판 사이의 기전력을 20, 80, 140, 200V로 증가시키면서 EACVD에 의하여 성장된 다이아몬드 박막에 대하여 다이아몬드/Si 계면분석 및 계면강도를 측정하였다. 주사형전자현미경(SEM), 고분해능투과형전자현미경(HRTEM), 오제이전자분석기(AES)에 의해 계면상태를 분석한 결과, 기전력 증가에 따라 활성탄화수소 이온(C_mH_n^-) 에너지가 증가되어져 C_mH_n^-이 Si내로 침투(Impringement)가 증가되고 침투된 높은 에너지의 C_mH_n^-이 Si과 화학결합하여 생성되는 SiC층 깊이 및 농도 분포도 증가된다. 풀 시험(Pull test)에 의한 계면강도 측정 결과, SiC층 깊이 및 농도분포가 증가할수록 계면강도가 증가하였다. 관찰된 파면과 파면의 X-선 메핑 결과 및 HRTEM과 AES에 의한 분석 결과, 기전력 증가에 따라 공극율이 적고 치밀한 다이아몬드 박막이 성장된다. 그리고 생성되는 SiC층 농도 및 깊이 분포가 증가함에 따라 다이아몬드/Si 계면이 강화되고, 상대적으로 파괴는 다이아몬드/Si 계면이 아닌 SiC층이나 Si 내부에서 발생된다. 결국, 기전력을 증가하여 활성탄화수소 이온의 에너지를 증가함으로써 계면강도가 우수하며 공극율이 매우 적고 치밀한 다이아몬드 박막을 성장할 수 있다. The diamond thin films on Si which 20 V (Film A), 80 V (Film B), 140 V (Film C) and 200 V (Film D) had been applied respectively between filament and Si substrates during growth were analysed with SEM, HRTEM and AES. Judging from those results, the diffusion of carbon increased due to the increment of the energy of active hydrocarbon ion (C_mH_n^-) and also the SiC layers were formed as the result of chemical bonding of C_mH_n^- with Si. The amount and depth of SiC layer increased as the potentials increased. The interface adhesion of these films were also measured with Pull test which is the most accurate and general method in evaluation of thin film adhesion. The film (D) which SiC was formed most deeply and widely exhibited the most adhesion in diamond/Si interface. Meanwhiles, the film (A) which had most shallow SiC layer and low SiC concentration exhibited very weak adhesion compare to film (D). Judging from the observation and X-Ray Mapping of fracture surface, the film (D) was fractured in Si below interface and the film (A) was fractured in diamond thin film/Si interface. Also, there are many voids in film (A) and a little in film (D). Conclusively, it is possible to grow the high strength and condensed diamond thin film without pores because the energy of active hydrocarbon ion was increased by elevation of potentials during growth.
A MELANOCYTE-SPECIFIC cDNA WHOSE EXPRESSION IS INDUCIBLE BY α-MSH AND IBMX
Kwon, Byoung S,Ruth Halaban,Kim, Gwan Shik,Seymour Pomerantz,Asifa K. Haq 대한구강생물학회 1987 International Journal of Oral Biology Vol.11 No.1
Normal human melanocyte의 λgtll cDNA library를 tyrosinase항체를 이용하여 검 색, 16 cDNA clones을 분리하였다. 이중 albino locus혹은 그인접부위에 존재하는 13clones는 tyrosinase gene으로 여겨지며 나머지 3clones는 상호간 상동성(homology)을 보이고 있으나 tyrosinase gene과 는 상이하였다. 이들 3clones의 대표적인 Pmel 17 - 1에 상응하는 mRNA(cRNA)는 사람과 mouse melanocyte에서만 특이하게 표현되며 크기는 약 2.4kb, 표현도는 melanin양과 비례 하였다. 여러종류의 melanoma cell을 αMSH 또는 IBMX로 자극시 Pmel 17 - 1의 cRNA표현은 증가되었으며 단일항체를 이용한 면역학적 실험으로 Pmel 17 - 1은 tyrosinase와 면역학적 동질성을 갖는 75KD glycoprotein을 합성함이 판명되었다. 또한 genomic DNA blot실험결과 Pmel 17 - 1 cDNA는 mouse albino locus 혹은 인접부위에 위치하지는 않으나 mouse와 사람에 single gene으로 존재하며 evolutionarily conserved gene임을 볼 수 있어 중요한 기능을 가지고 있을 것으로 사료된다.
김원태,천병선,김관식,김종희 대한금속재료학회(대한금속학회) 1994 대한금속·재료학회지 Vol.32 No.1
The effects of atomizing gas pressure and geometry of melt delivery nozzle on the aspiration pressure, water flow rate and gas flow rate were studied in two different types of gas nozzles(converging gas nozzle, and converging and diverging gas nozzle). In case of converging gas nozzle, adjustment of protrusion length of the melt dilivery nozzle below the gas nozzle is required to get stable high aspiration pressure. The optimum extrusion distance varies with outer diameter of melt delivery nozzle. In case of converging and diverging gas nozzle, high aspiration pressure is obtained without any extrusion of melt dilivery nozzle. the effect of inner diameter of melt delivery nozzle on the aspiration pressure is insignificant in both types of gas nozzles. Variation of water flow race with aspiration pressure can not be interpreted with Bernoluui's equation because the aspiration pressure was measured without water flow, which affects the has field during atomization. Gas flow rate increases linearly with atomizing gas pressure. With increasing atomizing gas pressure the ratio of gas flow rate to melt flow rate increases.