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van der Pauw method를 이용한 ITO박막의 면저항 정밀측정
강전홍(Jeon Hong Kang),유광민(Kwang Min Yu),박영태(Young Tae Park),이상화(Sang Hwa Lee) 대한전기학회 2010 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2010 No.7
Touch screen 및 평판표시장치(Flat Panel Display)의 공정에서 필수적으로 사용되는 ITO 박막시료에 대하여 van der Pauw method로 측정한 면저항 측정결과와 FPP method로 측정한 면저항의 최대편차는 1.82 Ω/sq.이었고, 약 0.35 % 범위내에서 일치도를 나타냈다.
평행판 전극과 전기장 센서를 이용한 교류 고전압 발생원의 측정범위 확장기술 개발
姜銓洪(Jeon Hong Kang),鄭在甲(Jae Kap Jung),柳濟天(Jea Cheon Ryu),李相和(Sang Hwa Lee),金奎泰(Kyu Tae Kim),金明壽(Myungsoo Kim),韓相玉(Sang Ok Han) 대한전기학회 2006 전기학회논문지C Vol.55 No.9
The output voltage value of AC high voltage source has been usually measured by employing the high voltage divider of inductive or capacitive type. In the study, we have developed a new method for measuring the output voltage up to 60 ㎸ using parallel plates electrode and electric field sensor, which are constructed by home-made. Unlikely the conventional method using a high voltage divider, this developed method makes it possible to extend the range of output voltage from known low voltage measurement to high voltage measurement. From the linearity measured between electric field and applied voltage in the output voltage range of 1 ㎸ ~ 30 ㎸, the output voltage value up to 60 ㎸ can be obtained by the electric field measurement using the electric field sensor. The output voltage value obtained using the method is consistent with that obtained using high voltage divider within corresponding uncertainties.
Four-Point Probe method를 이용한 실리콘 웨이퍼의 비저항 정밀측정
강전홍(Kang Jeon-Hong),유광민(Yu Kwang-Min),한상옥(Han Sang-Ok),구경완(Gu Kung-Wan) 대한전기학회 2010 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2010 No.11
실리콘 웨이퍼의 비저항 정밀측정은 일반적으로 Four-Point Probe(FPP) method의 single-configuration 기술을 이용하여 측정한다. 이 측정방법은 시료의 표면에 프로브를 접촉시키면 실리콘 웨이퍼의 비저항을 쉽게 측정할 수 있는 방법이지만 탐침 간격에 대한 시료의 크기와 두께 보정계수를 반드시 적용하여야 한다. 보정계수를 적용한 경우의 비저항 측정값과 그렇지 않은 경우의 비저항 측정값을 비교한 결과 1.0 %이상의 편차를 나타냈으며, 보정계수 적용 유무에 따라 측정의 정확도에 큰 영향을 미친다.
Single-configuration FPP method에 의한 실리콘 웨이퍼의 비저항 정밀측정
강전홍(Jeon-Hong Kang),유광민(Kwang-Min Yu),구경완(Kung-Wan Koo),한상옥(Sang-Ok Han) 대한전기학회 2011 전기학회논문지 Vol.60 No.7
Precision measurement of silicon wafer resistivity has been using single-configuration Four-Point Probe(FPP) method. This FPP method have to applying sample size, shape and thickness correction factor for a probe pin spacing to precision measurement of silicon wafer. The deference for resistivity measurement values applied correction factor and not applied correction factor was about 1.0 % deviation. The sample size, shape and thickness correction factor for a probe pin spacing have an effects on precision measurement for resistivity of silicon wafer.
Dual-Configuration Four-Point Probe Method에 의한 휴대형 면저항 측정기 개발
강전홍(Jeon-Hong Kang),유광민(Kwang-Min Yu),김완섭(Wan-Seop Kim) 대한전기학회 2010 전기학회논문지 P Vol.59 No.4
Portable sheet resistance-measuring instrument using the dual-configuration Four-Point Probe method is developed for the purpose of precisely measuring the sheet resistance of conducting thin films. While single-configuration Four-Point Probe method has disadvantages of applying sample size, shape and thickness corrections for a probe spacing, the developed instrument has advantages of no such corrections, little edge effects and measuring simply and accurately the sheet resistance between 0.2 Ω/sq and 2 kΩ/sq..