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薄膜 光電에너지 變換素子의 開發에 關한 硏究
成英權(Yung Kwon Sung),閔南基(Nam Ki Min),成萬永(Man Yung Sung),金承培(Seung Bae Kim) 대한전기학회 1976 전기의 세계 Vol.25 No.5
Study on Experimental Fabrication of a New MOS Transistor for High Speed Device
成英權(Yung Kwon Sung),閔南基(Nam Ki Min),成萬永(Man Young Sung) 대한전기학회 1978 전기의 세계 Vol.27 No.4
A Study on the Analysis of a Vertical V-groove Junction Field Effect Transistor with Finite Element Method
成英權(Yung-Kwon Sung),成萬永(Man-Young Sung),金一洙(Il-Soo Kim),朴?元(Chan-Won Park) 대한전기학회 1981 전기의 세계 Vol.30 No.10
급속열처리에 의한 TiN/TiTi₂ 이중구조막 형성에 대한 Ti-Si 계면에 얇은 산화막의 영향
이철진(Cheol-Jin Lee),성만영(Man-Young Sung),성영권(Yung-Kwon Sung) 대한전기학회 1994 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.1994 No.7
Comparison of NDR Characteristics in RTDs betweem AlGaAs/GaAs and AllnAs/GalnAs SQW Structures
金成振(Seong-Jeen Kim),成萬永(Man-Young Sung),成英權(Yung-Kwon Sung) 대한전기학회 1995 전기학회논문지 Vol.44 No.10
TiN/TiSi<SUB>2</SUB> 이중구조막의 submicron contact에서의 전기적 특성
이철진(Cheol-jin Lee),성만영(Man-Young Sung),성영권(Yung-Kwon Sung) 대한전자공학회 1994 대한전자공학회 학술대회 Vol.1994 No.7
Rapid Thermal Process에 의해 형성시킨 얇은 산화막의 전기적 특성
이철진(Cheol Jin Lee),성만영(Man Young Sung),성영권(Yung Kwon Sung) 대한전기학회 1994 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.1994 No.11
후속열처리에 따른 AI/TiN/Ti/Si 전극의 전기적 특성
李鐵眞(Cheol-Jin Lee),成萬永(Man-Young Sung),成英權(Yung-Kwon Sung) 대한전기학회 1996 전기학회논문지 Vol.45 No.7
Ti-Si 계면의 얇은 산화막이 TiN/TiSi₂ 이중구조막 형성에 미치는 영향
李鐵眞(Cheol-Jin Lee),成萬永(Man-Young Sung),成英權(Yung-Kwon Sung) 대한전기학회 1996 전기학회논문지 Vol.45 No.2
AI/TiN/Ti 전극의 Submicron contact에서의 전기적특성(1)
이철진(Cheol Jin Lee),엄문종(Moon Jong Eum),라용춘(Yong Choon Ra),성만영(Man Young Sung),성영권(Yung Kwon Sung) 대한전기학회 1995 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.1995 No.7
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