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- 저자 : 한백형 (검색결과 32 건)
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3원계 화합물 반도체의 에너지 밴드 구조와 전기적 특성 연구
김철회,김형관,한백형 漢陽大學校 基礎科學硏究所 1994 基礎科學論文集 Vol.13 No.-
Empirical pseudopotential 방법을 이용하여 아연 화합물 반도체의 에너지 밴드 구조를 구하였다. ??의 에너지 간격은 InSb의 조성비에 따라 ??=0.606χ²-0.727χ+0.361를 얻었고 전자이동도는 χ=0.6, 합금산란 포텐셜이 0.82eV, 온도가 77。K, 불순물 농도가 ??일때 6.7 × 10⁴cm/V-s을 얻었다. Energy band structure of zinc-blende semiconductors is calculated by the empirical pseudopotential method using the adjustable parameter. Energy gap of ?? with InSb mole fraction is ??=0.606χ²-0.727χ+0.361 and its electron mobility is found to be a high value of 6.7 × 10⁴cm/V-s with mole fraction x=0.6, alloy scattering potential ΔU=0.82eV, Temperature T=77。K, and impurity concentration ??.
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윤상호,한백형 漢陽大學校 自然科學硏究所 2000 自然科學論文集 Vol.19 No.-
물매진 양자우물 구조를 갖는 적외선검출기에서 양자우물의 물매정도가 흡수계수와 그 최대흡수파장에 미치는 영향을 연구하였다. 흡수계수를 구하는데 사용되는 파동함수는 Airy함수를 이용하여 구하였다. 사용된 적외선 검출기의 구조에서는 우물의 너비가 좁아서 stark effect가 매우 작게 나타나므로 흡수 봉우리의 이동은 매우 작다. 그러나, 인가전압이 커짐에 따라 quasi-continuum state가 우물 안으로 침투하게 되어 흡수 봉우리의 적외선 이동을 볼 수 있다. 최근에는 포톤의 흡수로 여기된 전자가 우물에 머무는 시간을 줄여 responsivity를 높이고 반응시간을 줄이기 위해 양자우물에 물매를 주기도 한다. 물매가 작을 때는 물매가 아주 강한 전기장의 효과를 나타내어 stark shift가 일어나 바닥상태 에너지가 감소하지만, 물매가 큰 경우에는 양자우물의 너비를 줄이는 효과에 의해 바닥상태 에너지가 증가하는 경향이 있었다. 이 경향은 여기 상태 준 에너지 상태에도 비슷하게 나타나므로 흡수 봉우리의 적색 또는 청색 이동은 비교적 작게 나타난다. 그래서, 물매진 양자우물 구조는 흡수파장의 큰 변화 없이 광 전류 이득을 얻을 수 있다. We consider the grading effect in quantum well infrared photodetectors(QWIP) calculated by using airy function as basis. We found that the stark effect is very small in our QWIP structure with the narrow quantum well. When the electric fields are applied, we observed the red shift due to shallow effective depth of quantum well. Recently, They consider the graded quantum well infrared photodetectors that have high responsivity and fast response time. The ground energy level is shift to a lower energy state in small graded quantum well by the stark effect but a higher energy state in large graded quantum well because the effective width are reduced by the larger grading. These trends appear similarly in the case of second energy state. Therefore, we can obtain the good photocurrent gain with the graded quantum well structures which the red shift and the blue shift of absorption peaks are small.
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서로 다른 제 2최근접 원자의 상호작용을 고려한 Ga Al AS의 에너지띠 연구
김철회,김형관,한백형 漢陽大學校 基礎科學硏究所 1994 基礎科學論文集 Vol.13 No.-
본 논문에서는 ??의 에너지 띠를 연구하기 위하여 tight-binding방법을 사용하였고 VCA(Virtual Crystal Approximation)방법을 개선하여, 서로 다른 제2최근접원자의 상호작용을 고려하였다. 간접갭에서 직접갭으로의 전환점은 AlAs의 조성비가 0.43일때였고, band gap은 0.0≤χ≤0.43에서 ??=0.22χ²+1.408χ+1.55, 0.43≤χ≤1.0에서는 ??=0.35χ²-0.084χ+2.03을 얻었고, 실험치와 잘 일치하였다. In this paper, the energy band structure of ?? is calculated by the tight-binding method, and the interactions of different kinds of the next-nearests are included in order to improve VCA(Virtual Crystal Approximation) method. Turning point from indirect band gap to direct band gap is found to be at AlAs mole fraction of 0.43. In 0.0≤χ≤0.43, the dependence of band gap on x is well fitted to ??=0.22χ²+1.408χ+1.55, and 0.43≤χ≤1.0, ??=0.35χ²-0.084χ+2.03.
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한백형,김형관 漢陽大學校 基礎科學硏究所 1983 基礎科學論文集 Vol.2 No.-
선형진동계를 분석할때 전달함수의 수식을, 충격에 대한 순간 반응을 푸우리 변환하여 얻은 데이터에 맞추어 얻는다. 흔히 사용되는 맞추는 방법으로서 오차함수의 최소자승법을 사용하는데 본연구에서는 매개수 정정 방법을 써서 이방법을 개선하였다. In the analysis of a nalysis of a linear vibrating system, a mathematical transfer function is fitted to data obtained by fourier transformation of transient response to an impulse. As an usual fitting technique, the least square of error function isused. In this paper we implemented this ehnique by introducing parameter correction method.
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Monte Carlo Method에 의한 GaAs의 Hydrodynamic Model Parameter의 추출
박성호,한백형,Park, Seong-Ho,Han, Baik-Hyung 대한전자공학회 1990 전자공학회논문지 Vol. No.
Hydrodynamic model에 의해서 submicron GaAs device를 simulation 할 때 필요한 hydrodynamic model parameter 들을 Monte Carlo code를 개발하여 추출하였다. GaAs 전도대의 밴드구조로 $\Gamma$, L, X세개의 valley를 고려하였고, 산란기구로는 polar optic phonon, acoustic phonon, equivalent intervalley, non-equivalent intervalley, ionized impurity 및 piezoelectric scattering을 고려하였다. 계산으로부터 얻은 속도 - 전계 곡선은 실험결과와 잘 일치하였고, 다른 연구자들이 소자 시뮬레이션에 사용할 수 있도록 모델 파라메터들을 표로 제시하였다. The hydrodynamic model parameters for the submicron GaAs simulation are calculated using the Monte Carlo method. $\Gamma$, L-, and X-valleys are included in the conduction band of GaAs, and polar optic phonon, acoustic phonon, equivalent intervalley, non-equivalent intervalley, ionized impurity, and piezoelectric scattering are taken into account. The velocity-electric field strength curve obtained in this paper is in good agreement with experimental one. We present the results in tabular form so that other participants can make use of them to simulate the submicron GaAs devices by the hydrodynamic model.
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고속직접변조를 위한 1.55.$\mu$. InGaAsP/InGaAsP SL-MQW DFB-LD의 양자우물구조의 최적화
심종인,한백형 대한전자공학회 1997 電子工學會論文誌, D Vol.d34 No.3
By introducing a compressive-strained quanternary InGaAsP quantum-wells instead of a conventional ternary InGaAs quantum-wells in 1.55.mu.m DFB-LD, the lasing performances canb e improved and the problems caused by the thickness non-uniformity and the compositional abruptness among the hetero-interpaces canb e relaxed. In this paper, we investigated an iptimum InGaAsP/InGaAsP multiple-quantum-well(MQW) structure as an active layer in a direct-modulated 1.55.mu. DFB-LD from the view point of threshold current, chirping charcteristics, and resonance frequency. The optimum compressive-strained MQW structure was revealed as InGaAsP/InGaAsP structure with strain amount of about 1.2%, number of wells $N_{w}$ of 7, well width $L_{w}$ of 58.agns.. The threshold current density J of 500A/c $m^{2}$, the linewidth enhancement factor a of 1.8, and differential resonance frequency of d $f_{r}$/d(I-I)$^{1}$2/=2GHz/(mA)$^{1}$2/(atI=2 $I_{th}$) were expected in 1.55.mu.m .gamma./4-shifted DFB-LD with the cavity length of 400.mu.m long and kL value of 1.25. These values are considerably improved ones compared to those of 1.55um DFB-LD with InGaAs/InGaAsP MQW which have enhancement factor and the resonance frequence frequency by the detuning of lasing wavelength and gain-peak wavelength. It was found that the linewidth enhancement factor of 20% and differential resonance frequency of 35% without the degradation of the threshold current density could be enhanced in the range of -15nm~-20nm detuning which can be realized by controlling the thickness and Incomposition of InGaAsP well. well.and Incomposition of InGaAsP well. well.
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손종형,한백형 한국통신학회 1992 韓國通信學會論文誌 Vol.17 No.9
As the dynamics model for industrial robot is a mutural coupling of inertia, centrifugal force, gravity, etc it is very difficult to get solution to the question how it works. To control such complex non-linear features of the manipulator, it is required to develop a lot simpler algorithm on the real time.
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