화재발생시 직류 플래시오버특성에 미치는 연소화염의 영향

하장호,김인식,정우영 한국화재소방학회 2003 한국화재소방학회논문지 Vol.17 No.2

본 연구에서는 파라핀 연소화염을 사용하여 침대침 및 구대구 전극배치에서 직류전압을 인가하였을 때, 대기압 공기의 플래시오버특성, 인가전압의 크기 및 극성에 따른 화염의 형상변화, 고온 연소화염의 열전리현상 및 플래시오버 특성에 미치는 상대공기밀도의 영향 등에 대해 조사하였다. 실험결과, 연소화염이 존재하면, 대기압 공기의 플래시오버특성은 매우 큰 영향을 받고 있다. 이는 전극의 형태에 따라 코로나풍과 쿨롱력이 작용함으로써 화염의 형상변화와 요동이 일어나기 때문이다. 또한 고온화염으로 인한 주변 공기의 상대공기밀도의 저하로 인해 플래시오버 특성은 더욱 낮아지고 있으며, 연소화염에 대한 열전리의 영향은 크지 않는 것으로 나타났다. In this paper, characteristics of the DC flashover voltage in the horizontal air gap of sphere-sphere/needle-needle electrode system were investigated when the combustion flame of paraffin oil was present between the two electrodes. The reduction characteristic of DC flashover voltage was discussed with the thermal ionization process, the relative air density and the deflection phenomena in the shape of flames that caused by the corona wind and Coulomb's force. As the results of an experimental investigation, It was found that the reduction characteristics of DC flashover voltages with flames were affected strongly by the flame deflection and the change of relative air density. It was also found that the thermal ionization phenomena were not important in the range of combustion flame temperature.

고주파 유도결합 플라즈마의 전자에너지 분포함수 계측에 관한 연구

하장호,전용우,최상태,박원주,이광식 한국조명전기설비학회 1999 조명·전기설비학회논문지 Vol.13 No.4

본 연구에서는 푸로브법과 교류중첩법을 이용하여 고주파 유도결합 플라즈마에서 전자에너지 분포함수를 측정하였다. 실험조건은 압력 10∼40[mTorr], 입력파워는 100∼600[W]이고, 가스유량은 3∼12[sccm]이며, 전자에너지 분포함수의 공간분포 측정에 있어서 아스펙트비(R/L)는 2로 하였다. 전자에너지 분포함수는 압력 및 입력파워에 대하여 강한 의존성을 나타내었고, 가스유량이 증가할수록 증가 하였다. 전자에너지 분포함수의 반경방향 분포는 플라즈마 중심에서 최대가 되었다. 전자에너지 분포함수의 축방향 분포는 석영창과 기판 사이의 중심에서 최대가 되었다. 이러한 결과는 고주파 유도결합 플라즈마의 생성 메커니즘 이해와 간단한 ICP(Inductively Coupled Plasma) 모델링 응용에 기여할 수 있을 것이다. Electron Energy Distribution Function(EEDF) were treasured In Radio-Frequency Inductively Coupled Plasma(RFlCP) using a probe rrethocl Measurerrents were conducted in argon discharge for pressure from 10[mTorr] to 4O[mTorr] and input rf power from 100[W] to 600[W] and flow rate from 3[sccm] to 12[sccm]. Spatial distribution of electron energy distribution function were measured for discharge with same aspoct ratio (R/L=2). Electron energy distribution function strongly depended on both pressure and power. Electron energy distribution function increased with increasing flow rate. Radial distribution of the electron energy distribution function were peaked in the plasma center. Normal distribution of the electron energy distribution function were peaked in the center between quartz plate and substrate. From the results, we can find out the generation mechanism of Radio Frequency Inductively Coupled Plasma. And these results contribute the application of a simple Inductively Coupled Plasma(ICP).a(ICP).

Schottky Barrier Inhomogeneities of a 4H-SiC/Ni Contact in a Surface Barrier Detector

하장호,김한수 한국물리학회 2011 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.58 No.2

The surface barrier detector (SBD) is one of the solid state detectors used to measure charged particles and gamma-rays. To suppress the dark current in detector, the surface barrier height determines detector performance. The metal-semiconductor contact of SiC/Ni exhibits barrier inhomogeneity phenomena, I(V,T) and C(V), that depend on the temperature. The barrier height obtained from the I(V) data increased from 0.97 to 1.25 V with a increasing temperature, and the value obtained from C(V) data was 1.83 V. Gaussian potential model was used in order to explain the barrier height inhomogeneity observed in a 4H-SiC/Ni Schottky n-type diode detector. This discrepancy could be explained by local inhomogeneities at the Schottky contact by considering fluctuations in the local surface potential.

사용후 핵연료의 민감 핵물질 공간 분포 측정을 위한 중성자 스캐너 원리 실증 연구

하장호,조윤호,이태훈,고원일,정정환,송대용,김호동,양명승 한국방사성폐기물학회 2005 한국방사성폐기물학회 학술논문요약집 Vol.3 No.1

SF_6 플라즈마에 의한 에칭 프로세스의 적용

하장호,정도영,이상호 三陟大學校 2001 論文集 Vol.34 No.1

In this paper, RFICP equipment is designed and manufactured with the aid of high frequency discharge to produce uniform plasma with high density and large diameter. And SF6 gas is used to investigate plasma characteristics. The electron density and temperature, potential dependence of SF6 plasma in accordance with its operating pressure, gas flux and input power are measured by the method of Langmuir probe. The etching characteristics of the plasma is researched in accordance with operating pressure, gas flux, input power to apply to Silicon Wafer which is used in the field of semiconductor process. The proposed RFICP equipment, in this paper, has relatively excellent etching characteristics, and is thought to be element of oxidization-sheath etching facility in semiconductor manufacturing process.

탄화규소기반 방사선 검출기 기술 동향

하장호 한국전기전자재료학회 2005 전기전자재료 Vol.18 No.10

Algorithm Analysis of Gas Bubble Generation in a Microfluidic Device

하장호,Hirak Mazumdar,김태현,이종민,나정길,정봉근 한국바이오칩학회 2019 BioChip Journal Vol.13 No.2

We investigated the algorithm analysis of the bubble generation in a microfluidic device to study the effect of the surface tension and the flow rate on the microbubble size. For the analysis of the surface tension, five different solutions were used: 3.5% brine, mineral oil, 1% polyethylene glycol (PEG) 400, 1% tween 80, and 1% triton X-100. The various flow rates were also employed: 5~15 μL/min for the liquid and 100~200 mL/min for the gas phase. The size of the bubble was measured via the algorithm analysis and the bubble defect was also detected by c chart. We observed that the microbubble size was affected by the flow rates of solution and the gas. Hence, we developed an equation to estimate the size through the flow rate ratio between the solution and gas phase, showing that the microbubble size could be controlled by the liquid properties or the flow rates. Therefore, this algorithm-based microfluidic device could be a powerful tool for generating gas microbubbles in a controlled manner.

대단위 감마선 조사에 따른 방사선 계측기용 신호처리회로 부품의 내방사성 특성 평가

하장호,강상묵,박세환,김한수,이재형,송태영 대한방사선방어학회 2009 대한방사선방어학회 학술발표회 논문요약집 Vol.2009 No.11

Fabrication and Characteristics of a Fully Depleted Semi-Insulating GaAs Semiconductor Detector for Alpha Radiation Detection at Room Temperature in Air

하장호,김용균 한국물리학회 2008 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.52 No.3

Fully depleted GaAs Schottky barrier detectors were fabricated by using a semi-insulating (SI) bulk crystal with a thickness of 350 μm and an orientation of (100). The bulk SI-GaAs detector structure was Au/Ti-GaAs-Ni/Au. The leakage current density responses to the bias voltage were used to determine the Schottky barrier height (SBH). The determined SBHs were placed in the range of 0.80 -- 0.83 eV for metal work functions from 4.3 to 5.2 eV on the basis of the thermo-ionic emission theory. Alpha particle resolution was determined by using a 5.5-MeV Pu-238 source at room temperature in air at a 1-atm pressure. As a result, the bulk SI-GaAs detectors showed a moderate response to alpha particle; thus, they are promising candidates for an alpha particle detector at room temperature in air.

고주파 유도 결합 플라즈마의 자기장 계측에 관한 연구

하장호,전용우,전재일,김기채,박원주,이광식,이동인 한국조명·전기설비학회 1997 한국조명·전기설비학회 학술대회논문집 Vol.1997 No.-

고주파 유도결합 플라즈마(RFICP)에서 루우프법에 의해 자기장특성을 계측하였다. 자기장 계측은 플라즈마의 거시적 변화를 시간적으로 접근하여, 반도체 프로세스의 관건인 균일하고, 고집적인 분포를 얼마나 교란, 응집하는가를 검증하고, 밀도와의 관계를 비교, 분석하여 방적의 최적화를 규명 할 수 있을 것이다. 작은 루우프 안테나(Φ:외경 7.5mm)는 RF 자기장의 크기와 방향을 결정하기 위해 방전속에 삽입된다. 자기장의 세기는 전형적으로 입력파워 50 - 500 [W]에 대해 0.1에서 2.5 G 사이로 변화하였다. 사용가스는 아르곤가스(99.9% 고순도)를 사용하였으며, 동작압력은 20 [mTorr] 에서 90 [mTorr]로 하였고, 아르곤 가스유량변화는 3 [sccm] 에서 15 [sccm]까지 하였다. 반경방향의 공간분포에서는 아스펙트비(aspect ratio : R/L)를 2로 하여 자기장 분포를 계측하였다. 자기장은 입력파워의존성에 대해서 200 [W]까지 상승하고, 300 [W]에서 안정성을 지속한다. 압력에 대한 의존성은 300 [W]에서 60 [mTorr]이상 일 때는 플라즈마의 균질한 압력상태를 벗어남을 보인다. 아르곤 가스유량에 대해서는 무거운 중성기체입자가 자기장의 영향을 거의 받지 않기 때문에 일정한 경향이 나타났다. 반경방향의 공간분포 측정에서는 자기장은 RFICP의 대구경 특성에 맞게 전체적으로 일정한 분포를 이루고 있음을 확인하였다. 이러한 결과로부터 고주파유도결합 플라즈마에서의 동작생성, 유지기구 등의 파악에 도움이 될 것이다.