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AlAs 습식산화와 열처리로 인한 InGaAs 양자점 레이저 구조의 Intermixing효과에 관한 공간 분해 광학적 특성
황준석,권봉준,곽호상,최재원,조용훈,조남기,전헌수,조운조,송진동,최원준,이정일,Hwang J.S.,Kwon B.J.,Kwack H.S.,Choi J.W.,Choi Y.H.,Cho N.K.,Cheon H.S.,Cho W.C.,Song J.D.,Choi W.J.,Lee J.I. 한국진공학회 2006 Applied Science and Convergence Technology Vol.15 No.2
전류 차단층으로서 AlAs 자연산화층 ($AlO_x$) 을 갖는 InGaAs 양자점 (quantum dot) 구조를 분자선 박막 성장법 (molecular-beam epitaxy)과 습식 산화법 (wet oxidation)을 이용하여 제작하였고, 이들 구조의 열처리에 따른 광학적인 특성 변화를 photoluminescence (PL), PL excitation, 그리고 공간 분해능을 갖는 micro-PL을 이용하여 분석하였다. 습식 산화와 열처리 과정을 통해 intermixing된 InGaAs 양자점 영역에서 PL 특성을 조사한 결과, intermixing 되지 않은 영역보다 높은 에너지에서 완만한 PL peak이 추가적으로 관측되었다. 산화되지 않은 (non-oxided) AlAs 아래에 있는 InGaAs 양자점 영역에서는 약 1.1 eV에서 PL emission이 주로 관측되었으나, $AlO_x$와 $SiN_x$에 의해 intermixing 된 InGaAs 양자점 영역에서는 각각 약 1.16 eV와 $1.18{\sim}1.20$ eV 에서의 PL emission도 함께 관측되었다. 실험 결과, $AlO_x$층이 있는 InGaAs 양자점 영역이 산화 되지 않은 AlAs층이 있는 영역에 비해서 intermixing 효과가 크게 작용함을 알 수 있었다. Optical characteristics of InGaAs quantum dot (QD) laser structures with an Al native oxide (AlOx) layer as a current-blocking layer were studied by means of photoluminescence (PL), PL excitation, and spatially-resolved micro-PL techniques. The InGaAs QD samples were first grown by molecular-beam epitaxy (MBE), and then prepared by wet oxidation and thermal annealing techniques. For the InGaAs QD structures treated by the wet oxidation and thermal annealing processes, a broad PL emission due to the intermixing effect of the AlOx layer was observed at PL emission energy higher than that of the non-intermixed region. We observed a dominant InGaAs QD emission at about 1.1 eV in the non-oxide AlAs region, while InGaAs QD-related emissions at about 1.16 eV and $1.18{\sim}1.20eV$ were observed for the AlOx and the SiNx regions, respectively. We conclude that the intermixing effect of the InGaAs QD region under an AlOx layer is stronger than that of the InGaAs QD region under a non-oxided AlAs layer.
광학적 방법으로 측정된 양자우물 안의 InAs 양자점의 에너지 준위
남형도,곽호상,송진동,최원준,조운조,이정일,조용훈,최정우,양해석,Nam H.D.,Kwack H.S.,Doynnette L.,Song J.D.,Choi W.J.,Cho W.J.,Lee J.I.,Cho Y.H.,Julien F.H.,Choe J.W.,Yang H.S. 한국진공학회 2006 Applied Science and Convergence Technology Vol.15 No.2
PL (photoluminescence), PLE (PL excitation) 그리고 근 적외선 투과 분광법을 활용하여 InAsGa/GaAs 우물 내 InAs 양자점 구조의 광학적 특성과 전자 버금 띠 구조에 대하여 연구하였다. 투과 스펙트럼과 PLE 스펙트럼으로부터 InAs 양자점 내 세 개의 구속 상태와 InGaAs/GaAs 우물 내에 두 개의 구속 상태가 존재함을 발견하였고, 광전류 스펙트럼에서 관측된 버금 띠 사이 전이들과 연관지어 해석하였다. We investigated the optical property and the electronic subband structure of InAs quantum dots in an InAsGa/GaAs well structure utilizing photoluminescence (PL), PL excitation (PLE) and near infrared transmission spectroscopy. From transmission and PLE spectra, we found three bound states in the InAs quantum dot and two bound states in InGaAs/GaAs quantum well, and correlated to the results of intersubband transitions observed in photocurrent spectrum.
GaAs 기반 1300 ㎚ 파장대역 InAs 양자점 레이저 다이오드의 발진 특성
김광웅(K. W. Kim),조남기(N. K. Cho),송진동(J. D. Song),이정일(J. I. Lee),박정호,이유종(Y. J. Lee),최원준(W. J. Choi) 한국진공학회(ASCT) 2009 Applied Science and Convergence Technology Vol.18 No.4
Migration Enhanced Molecular Beam Epitaxy를 통해 성장한 GaAs 기반 1300 ㎚ 파장대역 InAs 양자점 레이저 다이오드의 발진 특성을 연구하였다. 펄스 및 상온 연속 동작에서 전류 주입 및 동작 온도 변화에 따른 L-I 특성과 발진 스펙트럼 측정을 통해 바닥준위(1302 ㎚)에서 여기준위(1206 nm)로의 발진 파장의 전환을 관찰하였으며 이는 양자점 바닥준위 이득의 포화로 이해된다. 상온 펄스 동작시 문턱전류 밀도는 92 A/㎠, 발진 파장은 1311 ㎚이며, 상온 연속 동작시 문턱전류 밀도는 247 A/㎠, 발진 파장은 1320 ㎚이다. We have investigated the lasing characteristics of GaAs-based 1300 nm wavelength region InAs Quantum Dot Laser Diode grown by Migration Enhanced Molecular Beam Epitaxy. Under a pulsed and CW operation, we observed the state switching of lasing wavelength from ground state (1302 ㎚) to excited state (1206 ㎚) due to the gain saturation of ground state. Under a pulsed operation, Jth=92 A/㎠, λL=1311 ㎚ and under a CW operation, Jth=247 A/㎠, λL=1320 ㎚.
Spectral Response Change in a Quantum Well Infrared Photodetector by Using Quantum Well Intermixing
최원준,김은규,H. J. Kim,한일기,J. C. Shin,J. I. Lee,J. W. Choi,Y. J. Park 한국물리학회 2003 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.42 No.III
We have studied the change of spectral response in a Quantum Well Infrared Photodetector (QWIP) by using the Impurity Free Vacancy Disordering (IFVD) technique to change the bandgap of GaAs/AlGaAs Multi Quantum-Well (MQW) absorption layer. The fabricated QWIP whose MQW absorption region was intermixed by an IFVD technique showed the maximum change in spectral response peak from 8 to 10mm at 10K when compared to a QWIP without intermixing.
Residual Multi-dilated convolution U-Net을 이용한 다중 심장 영역 분할 알고리즘 연구
임상헌 ( Sang-heon Lim ),최한승 ( H. S. Choi ),배희진 ( S. K. Jung ),정서경 ( J. K. Jung ),정진교 ( Myung-suk Lee ),이명숙 한국정보처리학회 2019 한국정보처리학회 학술대회논문집 Vol.26 No.1
본 연구에서는 딥 러닝을 이용하여 완전 자동화된 다중 클래스 전체 심장 분할 알고리즘을 제안하였다. 제안된 방법은 recurrent convolutional block과 residual multi-dilated block을 삽입하여 기존 U-Net을 개선한 인공신경망 모델을 사용하였다. 평가는 자동화 분석 결과와 수동 평가를 비교하였다. 그 결과 96.88%의 평균 DSC, 95.60%의 정확도, 97.00%의 recall을 얻었다. 이 실험 결과는 제안된 방법이 다양한 심장 구조에서 효과적으로 구분되어 수행되었음을 알 수 있다. 본 연구에서 제안된 알고리즘이 의사와 방사선 의사가 영상을 판독하거나 임상 결정을 내리는데 보조적 역할을 할 것을 기대한다.