Sol-gel 법으로 제작된 ZnO 박막의 결정화 및 PL 특성에 관한 연구

최병균,장동훈,강성준,윤영섭,Choi Byeong Kyun,Chang Dong Hoon,Kang Seong Jun,Yoon Yung Sup 대한전자공학회 2006 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.43 No.2

졸-겔 법으로 $Pt/TiO-2/SiO_2/Si$ 기판 위에 ZnO 박막을 제작하여, 열처리 온도에 따른 박막의 결정화 특성 및 미세구조와 광학적 특성을 조사하였다. XRD 측정 결과로부터, 열처리 온도가 $600^{\circ}C$ 일때 가장 우수한 c-축 배향성을 나타냈으며, 이때 반가폭은 $0.4360^{\circ}C$ 이었다. AFM 으로 ZnO 박막의 표면형상과 표면 거칠기를 관찰한 결과, $600^{\circ}C$ 열처리 온도에서 입자가 고르게 성장하여 치밀한 박막이 형성되었음을 관찰할 수 있었고, 표면 거칠기도 1.048nm 로 가장 우수한 값을 나타내었다. ZnO 박막의 열처리 온도에 따른 PL 특성을 조사한 결과, $600^{\circ}C$로 열처리된 ZnO 박막에서 자외선 영역의 발광 피크 (378nm)는 가장 크게 가시광 영역의 발광 피크 (510nm)는 가장 작게 관찰되었다. 가시광 영역의 발광 피크가 작은 것은 산소 공공 또는 불순물이 매우 적다는 것을 의미하므로, $600^{\circ}C$로 열처리된 ZnO 박막은 비교적 화학양론적으로 성장되었음을 확인할 수 있었다. We have fabricated ZnO thin film on $Pt/TiO-2/SiO_2/Si$ substrate by the sol-gel method and have investigated the effect of annealing temperature on the structural morphology and optical properties of ZnO thin films. The ZnO thin film annealed at $600^{\circ}C$ exhibits the highest c-axis orientation and its FWHM of X-ray peak is $0.4360^{\circ}C$. In the results of surface morphology investigation of ZnO thin film by using Am it is observed that ZnO thin film annealed at $600^{\circ}C$ exhibits the largest UV (ultraviolet) exciton emission at around 378nm and the smallest visible emission at around 510nm among these of ZnO thin films annealed at various temperatures. It is deduced that the ZnO thim film annealed at $600^{\circ}C$ is formed most stoichiometrically since the visible emission at around 510nm comes from oxygen vacancy or impurities.

한국노총의 산업안전보건활동

최병균 한국노동조합총연맹 2003 기타자료 Vol.2003 No.1

RF파워가 SiO2/PES 기판위에 증착한 ITZO 박막의 광학적 및 전기적 특성에 미치는 효과

최병균(Byeong-Kyun Choi),정양희(Yang-Hee Joung),강성준(Seong-Jun Kang) 한국전자통신학회 2021 한국전자통신학회 논문지 Vol.16 No.3

플라스틱 기판 중에서 열적 안정성과 광학적 특성이 우수한 PES 기판을 선택한 후, 흡습성이 높은 단점을 보완하기 위해 플라즈마 화학기상증착 법으로 SiO2 박막을 버퍼층으로 20nm 두께로 증착하였다. 그 후 ITZO 박막을 고주파 마그네트론 스퍼터링 법으로 증착하여 RF파워에 따른 전기적 및 광학적 특성들을 조사하였다. RF파워 50W에서 증착한 ITZO 박막이 8.02 × 10-4 Ω-cm의 비저항과 50.13 Ω/sq.의 면저항으로 가장 우수한 전기적 특성을 나타내었다. ITZO 박막의 가시광 영역(400-800 nm)에서의 평균 투과도는 RF파워가 40, 50W인 경우 80% 이상으로 비교적 높은 값을 나타내었다. 재료 평가 지수들인 ΦTC와 FOM은 RF파워 50W에서 증착한 ITZO 박막에서 각각 23.90×10-4 Ω-1와 5883 Ω-1cm-1로 가장 큰 값을 나타내었다. After selecting a PES substrate with excellent thermal stability and optical properties among plastic substrates, a SiO2 thin film was deposited as a buffer layer to a thickness of 20nm by plasma-enhanced chemical vapor deposition to compensate for the high moisture absorption. Then, the ITZO thin film was deposited by a RF magnetron sputtering method to investigate electrical and optical properties according to RF power. The ITZO thin film deposited at 50W showed the best electrical properties such as a resistivity of 8.02×10-4 Ω-cm and a sheet resistance of 50.13Ω/sq.. The average transmittance of the ITZO thin film in the visible light region(400-800nm) was relatively high as 80% or more when the RF power was 40 and 50W. Figure of Merits (ΦTC and FOM) showed the largest values of 23.90×10-4 Ω-1 and 5883 Ω-1cm-1, respectively, in the ITZO thin film deposited at 50W.

공정압력이 GTZO 박막의 구조적, 전기적 및 광학적 특성에 미치는 영향

최병균(Byeong-Kyun Choi),정양희(Yang-Hee Joung),강성준(Seong-Jun Kang) 한국전자통신학회 2024 한국전자통신학회 논문지 Vol.19 No.1

본 연구에서는 고주파 마그네트론 스퍼터링 법으로 공정압력을 1에서 7mTorr 로 변화시켜 가며 GTZO (Ga-Ti-Zn-O)박막을 제작하여, 구조적 특성과 전기적 및 광학적 특성을 조사하였다. XRD측정을 통해 공정압력에 무관하게 모든 GTZO박막이 c-축으로 우선 성장함을 확인할 수 있었고, 1mTorr 에서 제작한 GTZO 박막이 반가폭 0.38° 로 가장 우수한 결정성을 나타내었다. 가시광 영역(400∼800 nm)에서의 평균 투과도는 공정압력에 상관없이 80%이상의 값을 나타내었고, 공정압력이 증가함에 따라 캐리어 농도가 감소하고 이로 인해 에너지 밴드갭이 좁아지는 Burstein - Moss 효과도 관찰할 수 있었다. 공정압력 1mTorr 에서 증착한 GTZO박막의 재료 평가 지수는 9.08 × 103 Ω-1·cm-1 로 가장 우수한 값을 나타내었고 이때 비저항과 가시광 영역에서의 평균 투과도는 각각 5.12 × 10-4 Ω·cm 과 80.64 % 이었다. In this study, GTZO(Ga-Ti-Zn-O) thin films were deposited at various working pressures (1∼7mTorr) by RF magnetron sputtering to examine the structural, electrical, and optical properties. All GTZO thin films exhibited c-axis preferential growth regardless of working pressure, the GTZO thin film deposited at 1mTorr showed the most excellent crystallinity having 0.38˚ of FWHM. The average transmittance in the visible light region (400∼800nm) showed 80% or more regardless of the working pressure. We could observed the Burstein-Moss effect that carrier concentration decrease with the increase of working pressure and thus the energy band gap is narrowed. Figure of merits of GTZO thin film deposited at 1mTorr showed the highest value of 9.08 × 103 Ω-1·cm-1, in this case resistivity and average transmittance in the visible light region were 5.12 × 10-4 Ω·cm and 80.64%, respectively.

Multi-Objective Optimization of Rotor-Bearing System wtih Dynamic Constraints Using IGA

Byung Gun Choi(최병균),Bo Suk Yang(양보석),Yeo Dong Jun(여동준) 한국지능시스템학회 1998 한국지능시스템학회 학술발표 논문집 Vol.8 No.2

공정압력이 SiO₂ 버퍼층을 갖는 PES 기판위에 증착한 ITZO 박막의 전기적 및 광학적 특성에 미치는 영향

정양희,최병균,강성준,Joung, Yang-Hee,Choi, Byeong-Kyun,Kang, Seong-Jun 한국전자통신학회 2019 한국전자통신학회 논문지 Vol.14 No.5

본 연구에서는 플라스틱 기판 중에서 가장 내열성이 우수하다고 알려진 PES 기판위에 버퍼층으로 20nm두께로 $SiO_2$ 박막을 플라즈마 화학기상증착 법으로 증착한 후, ITZO 박막을 고주파 마그네트론 스퍼터링 법으로 증착하여 공정압력에 따른 ITZO 박막의 전기적 및 광학적 특성을 조사하였다. 공정압력 3 mTorr 에서 증착한 ITZO 박막이 $8.02{\times}10^{-4}{\Omega}-cm$의 비저항과 $50.13{\Omega}/sq.$의 면저항으로 가장 우수한 전기적 특성을 보였다. 모든 ITZO 박막의 가시광 영역(400-800 nm)에서 평균 투과도는 공정압력에 무관하게 80 %이상으로 나타났다. 재료평가지수는 3 mTorr에서 증착한 ITZO 박막에서 $23.90{\times}10^{-4}{\Omega}^{-1}$로 가장 큰 값을 나타내었다. 본 연구를 통해 ITZO 박막이 차세대 플렉시블 디스플레이 소자에서 ITO 박막을 대체할 매우 유망한 재료라는 것을 알 수 있었다. In this study, after 20nm-thick $SiO_2$ thin film was deposited by PECVD method on the PES substrate, which is known to have the highest heat resistance among plastic substrates, as a buffer layer, ITZO thin films were deposited by RF magnetron sputtering method to investigate the electrical and optical properties according to the working pressure. The ITZO thin film deposited at the working pressure of 3mTorr showed the best electrical properties with a resistivity of $8.02{\times}10^{-4}{\Omega}-cm$ and a sheet resistance of $50.13{\Omega}/sq.$. The average transmittance in the visible region (400-800nm) of all ITZO films was over 80% regardless of working pressure. The Figure of merit showed the largest value of $23.90{\times}10^{-4}{\Omega}^{-1}$ in the ITZO thin film deposited at 3mTorr. This study found that ITZO thin films are very promising materials to replace ITO thin films in next-generation flexible display devices.

고성능 그래픽스 전용 프로세서 개발

최상길,최병균 대한전자공학회 1993 전자공학회지 Vol.20 No.7

텍스쳐 매핑 가속화 방안 ( A Scheme for Texture Mapping Acceleration )

지석춘,황교종,문상호,위영철,최병균 대한전자공학회 1994 대한전자공학회 학술대회 Vol.1994 No.11

공정압력이 SiO2 버퍼층을 갖는 PES 기판위에 증착한 ITZO 박막의 전기적 및 광학적 특성에 미치는 영향

정양희(Yang-Hee Joung),최병균(Byeong-Kyun Choi),강성준(Seong-Jun Kang) 한국전자통신학회 2019 한국전자통신학회 논문지 Vol.14 No.5

본 연구에서는 플라스틱 기판 중에서 가장 내열성이 우수하다고 알려진 PES 기판위에 버퍼층으로 20nm두께로 SiO2 박막을 플라즈마 화학기상증착 법으로 증착한 후, ITZO 박막을 고주파 마그네트론 스퍼터링 법으로 증착하여 공정압력에 따른 ITZO 박막의 전기적 및 광학적 특성을 조사하였다. 공정압력 3 mTorr 에서 증착한 ITZO 박막이 8.02 × 10-4 Ω-cm의 비저항과 50.13 Ω/sq.의 면저항으로 가장 우수한 전기적 특성을 보였다. 모든 ITZO 박막의 가시광 영역(400-800 nm)에서 평균 투과도는 공정압력에 무관하게 80 %이상으로 나타났다. 재료평가지수는 3 mTorr에서 증착한 ITZO 박막에서 23.90×10-4 Ω-1로 가장 큰 값을 나타내었다. 본 연구를 통해 ITZO 박막이 차세대 플렉시블 디스플레이 소자에서 ITO 박막을 대체할 매우 유망한 재료라는 것을 알 수 있었다. In this study, after 20nm-thick SiO2 thin film was deposited by PECVD method on the PES substrate, which is known to have the highest heat resistance among plastic substrates, as a buffer layer, ITZO thin films were deposited by RF magnetron sputtering method to investigate the electrical and optical properties according to the working pressure. The ITZO thin film deposited at the working pressure of 3mTorr showed the best electrical properties with a resistivity of 8.02×10-4Ω-cm and a sheet resistance of 50.13Ω/sq.. The average transmittance in the visible region (400-800nm) of all ITZO films was over 80% regardless of working pressure. The Figure of merit showed the largest value of 23.90×10-4Ω-1 in the ITZO thin film deposited at 3mTorr. This study found that ITZO thin films are very promising materials to replace TO thin films in next-generation flexible display devices.

다자참여형 3차원 가상환경 시스템 구현

김래현(Lae-Hyun Kim),김주한(Juh-Han Kim),고희동(Heedong Ko),최병균(ByungKyun Choe) 한국컴퓨터그래픽스학회 1997 컴퓨터그래픽스학회논문지 Vol.3 No.1