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한국자생 음나무집단 및 채취부위에 따른 Kalosaponin 함량 변이
최명석,권기원,이철호,Choi, Myung-Suk,Kwon, Ki-Won,Lee, Cheol-Ho 한국생약학회 2000 생약학회지 Vol.31 No.2
The concentrations of 4 kalosaponins from tissues of Kalopanax septemlobus (Thunb.)Koidz grown in 7 provenances in Korea were determined by HPLC. Kalosaponin contents in plant part were much higher in the inner bark(30.59 mg/g on the dry weight basis) than those of young leaves(22.74 mg/g on the dry weight basis) and root bark(18.02 mg/g on the dry weight basis). A considerable range of variation in the contents was observed among population. The kalosaponin contents in inner bark from each population were highest in the Mt. Barwang (30.37 mg/g on the dry weight basis) followed by Mt. Gariwang, Hanra II, Mangun, Paltan, and Hanra I population. A variation of kalosaponin contents among population may be affected by both environmental and genetic factors. Establishment of selection and propagation of high kalosaponin containing trees can be a good source for the development of valuable forest products.
내부 고조파 조정 회로로 구성되는 고효율 370 W GaN HEMT 소형 전력 증폭기
최명석(Myung-seok Choi),윤태산(Tae-san Yoon),강부기(Bu-gi Kang),조삼열(Samuel Cho) 한국전자파학회 2013 한국전자파학회논문지 Vol.24 No.11
본 논문에서는 내부 고조파 조정 회로로 구성되는 셀룰러와 L-대역용 소형의 고효율 370 W GaN(Gallium Nitride) HEMT(High Electron Mobility Transistor) 소형 전력 증폭기(PA)를 구현하였다. 원천 및 2차 고조파 주파수에서 동시에 높은 효율을 내기 위해 새로운 회로 정합 형태를 적용했다. 소형화를 위하여 새로운 41.8 ㎜ GaN HEMT와 2개의 MOS(Metal Oxide Semiconductor) 캐패시터를 구성 물질의 변화를 이용하여 열 저항을 개선한 10.16×10.16×1.5T ㎣ 크기의 새로운 패키지에 와이어 본딩으로 결합하였다. 드레인 바이어스 48 V 인가 시, 개발된 GaN HEMT 전력 증폭기는 370 W 포화 출력 전력(Psat.)과 770~870 ㎒에서 80 % 이상, 1,805~1,880 ㎒에서 75 % 이상의 드레인 효율(DE)을 나타내었다. 이는 지금까지 보고된 셀룰러와 L대역에서 GaN HEMT 전력 증폭기 중 최고의 효율과 출력 전력 특성이다. In this paper, a compact 370 W high efficiency GaN(Gallium Nitride) HEMT(High Electron Mobility Transistor) power amplifier(PA) using internal harmonic manipulation circuits is presented for cellular and L-band. We employed a new circuit topology for simultaneous high efficiency matching at both fundamental and 2nd harmonic frequency. In order to minimize package size, new 41.8 ㎜ GaN HEMT and two MOS(Metal Oxide Semiconductor) capacitors are internally matched and combined package size 10.16×10.16×1.5T ㎣ through package material changes and wire bonded in a new package to improve thermal resistance. When drain biased at 48 V, the developed GaN HEMT power amplifier has achieved over 80 % Drain Efficiency(DE) from 770~870 ㎒ and 75 % DE at 1,805~1,880 ㎒ with 370 W peak output power(Psat.). This is the state-of-the-art efficiency and output power of GaN HEMT power amplifier at cellular and L-band to the best of our knowledge.
구문 트리 부착 코퍼스를 이용한 부분 구문 분석 규칙의 자동 추출
최명석(Myung Seok Choi),이공주(Kong Joo Lee),김길창(Gil Chang Kim) 한국정보과학회 1999 한국정보과학회 학술발표논문집 Vol.26 No.1B
본 논문에서는 구문 트리 부착 코퍼스로부터 부분 구문 분석 규칙을 자동으로 추출하는 방법을 제안한다. 구문 트리가 부착된 30,086문장으로 구성된 학습 코퍼스로부터 부분 구문 분석 규칙을 추출하고, 이를 기반으로 부분 구문 분석을 수행한 결과 97.5%의 정확도를 얻을 수 있었다.
영한 기계 번역 시스템에서의 휴리스틱을 이용한 영어 문장의 구조적 중의성 해소
최명석(Myung Seok Choi),이공주(Kong Joo Lee),김길창(Gil Chang Kim) 한국정보과학회 1997 한국정보과학회 학술발표논문집 Vol.24 No.2Ⅱ
본 논문에서는 대량의 코퍼스가 없는, 시스템 개발 초기 단계의 구조적 중의성 해소 방안으로 유용하게 사용될 수 있는 휴리스틱을 이용한 구조적 중의성 해소 방법을 제안한다. 휴리스틱을 이용해 각 분석 규칙의 가중치를 조정하여 구문 트리의 순서 매김을 자동적으로 수행함으로써 구조적 중의성을 해소한다. 이 방법은 사람이 직접 각 분석 규칙의 가중치를 조정하는 방법을 대신해서 효율적으로 이용될 수 있다. 군사 정보 분야의 112 문장에 대해서 실험한 결과 약 93%의 정확률을 얻었다.