21세기를 대비하는 중전기기 업체의 노력을 보면서…

장성주,Jang, Seong-Ju 한국전기산업진흥회 1996 電氣産業 Vol.7 No.4

백색 PET필름을 라미네이팅한 PVC시트에 반턱이음 구조를 적용한 저온열풍 3중 접합 옥상방수공법

장성주,장진호,이상근,배기선 한국건축시공학회 2017 건축시공 Vol.17 No.1

화학기상증착법으로 성장시킨 단결정 6H-SiC 동종박막의 성장 특성

장성주,설운학 한국결정성장학회 2000 韓國結晶成長學會誌 Vol.10 No.1

Silicon carbide(SiC)는 뛰어난 전기적, 열적, 물리적 특성 때문에 내환경 전자소자용 반도체 재료로 널리 연구되고 있다. 본 연구에서는 화학기상증착법으로 단결정 6H-SiC 동종박막을 성장시키고 이의 성장 특성을 조사하였다. 특히, 몰리브덴 (Mo)-plate를 이용하여 SiC를 코팅하지 않은 graphite susceptor를 사용한 6H-SiC 동종박막 성장조건을 성공적으로 얻었다. 대기압 상태의 RF-유도가열식 챔버에서 CVD성장을 수행하였고, <1120> 방향으로 $3.5^{\circ}$off-axis된 기판을 사용하였다. 성장 박막의 결정성을 평가하기 위하여 Nomarski 관찰, 투과율 측정 , 라만 분광, XRD, 광발광(PL) 분광, 투과전자현미경(TEM) 측 정 등의 방법을 이용하였다. 이상과 같은 실험을 통하여, 본 연구에서는 성장온도 $1500^{\circ}C$, C/Si flow ratio ($C_3H_8$ 0.2 sccm, $SiH_4$ 0.3 sccm)인 성장조건에서 결정성이 가장 좋은 6H-SiC 동종박막을 얻을 수 있었다. As a semiconductor material for electronic devices operated under extreme environmental conditions, silicon carbides (SiCs) have been intensively studied because of their excellent electrical, thermal and other physical properties. The growth characteristics of single- crystalline 6H-SiC homoepitaxial layers grown by a thermal chemical vapor deposition (CVD) were investigated. Especially, the successful growth condition of 6H-SiC homoepitaxial layers using a SiC-uncoated graphite susceptor that utilized Mo-plates was obtained. The CVD growth was performed in an RF-induction heated atmospheric pressure chamber and carried out using off-oriented ($3.5^{\circ}$tilt) substrates from the (0001) basal plane in the <110> direction with the Si-face side of the wafer. In order to investigate the crystallinity of grown epilayers, Nomarski optical microscopy, transmittance spectra, Raman spectroscopy, XRD, Photoluninescence (PL) and transmission electron microscopy (TEM) were utilized. The best quality of 6H-SiC homoepitaxial layers was observed in conditions of growth temperature $1500^{\circ}C$ and C/Si flow ratio 2.0 of $C_3H_8$ 0.2 sccm & $SiH_4$ 0.3 sccm.

Thermal CVD 방법에 의한 SiC 동종박막 성장에 관한 연구

장성주,설운학,정준익,정영운,정문택 한국진공학회 1997 한국진공학회 학술발표회초록집 Vol.- No.-

InGaAsP/InP 계의 LPE성장에 관한 연구

장성주 東新大學 1990 論文集 Vol.3 No.-

The growth conditions have been studied for InGaAsP LPE layers grown on (100) InP substrates using the two-phase melt technique. It has been found that the melt-compositions to obtain the 1.1 ㎛ InGaAsP lattice-matched to InP are X_Ga = 0.00417 and X_As = 0.032 when the growth temperature is 630℃ and the cooling rate 0.5℃/min. In this case, the solid-compositions x and y are 0.9 and 0.23, respectively. Also the influences of variations of the Ga and As atomic fraction in the liquid, X_Ga^L and X_As^L on the bandgap energies and the lattice constants have been investigated. The surface morphology and the growth thickness of InGaAsP LPE layers have also been studied.

Thermal CVD법을 이용한 3C - SiC / 6H - SiC 이종박막 성장

장성주,박주훈 한국진공학회 2001 한국진공학회 학술발표회초록집 Vol.- No.-

김으로부터 Porphyra 334의 양산 및 분석법 밸리데이션에 관한 연구

장성주,이삭,허경연,이정훈,모상현 한국산학기술학회 2022 한국산학기술학회논문지 Vol.23 No.12

Laver comprises large amounts of mycosporine-like amino acids, one of the high-content substances being Porphyra 334. Since this compound reportedly exerts anti-aging effects such as anti-oxidant, wound healing, wrinkle improvement, and UV absorption, it is under constant research and development by cosmetic companies for varied applications as a cosmetic ingredient. However, to date, there is no commercialized Porphyra 334, and there is an unmet necessity to develop a technology for mass production. In this study, extraction was achieved under varied conditions to increase the yield of Porphyra 334, and the optimal solvent, time, and temperature conditions were confirmed. Additionally, a high content of Porphyra 334 was purified from laver extract using liquid chromatography. A quantitative analysis method of Porphyra 334 was devised, and the analytical method was validated by evaluating the specificity, linearity, precision, accuracy, and stability. In conclusion, our study achieved optimizing the bulk extraction process for Porphyra 334. Moreover, the analysis method was established and validated for future industrial applications. 김에는 다양한 종류의 미코스포린 유사 아미노산이라는 물질이 함유되어 있으며 이러한 물질들 중 특히 높은함량으로 함유된 물질 중 하나가 바로 Porphyra 334이다. 항산화, 상처 치유, 주름 개선, 자외선 흡수 등 다양한 효능이확인된 이 물질은 화장품 원료로 사용하기 위해 많은 화장품 회사들이 연구 개발 중에 있다. 이를 위해서는 우선Porphyra 334의 원료 확보가 필요한 실정인데, 현재까지는 대량 생산 방법이 정립되어 있지 않다. 본 연구에서는 김에서부터 Porphyra 334를 산업적으로 정제·생산하는 데 있어 생산 수율을 높이기 위한 다양한 방법의 추출을 수행하였다. 최적의 처리 방법을 찾고자 용매, 시간 및 온도와 같은 여러 조건을 확인하여 최적의 추출 공정을 찾았고, 확립한방법으로 대량 추출한 후 액체 크로마토그래피를 통해 Porphyra 334의 단일 화합물을 정제 및 생산하였다. 이렇게생산된 Porphyra 334를 이용하여 정량분석에 필요한 분석 방법을 연구하였고, 분석법 밸리데이션을 실시하였으며, 그결과 특이성, 직선성, 정밀성, 정확성, 안정성이 확보된 분석법을 확립함으로써 분석법 검증을 완료하였다. 결론적으로본 연구를 통해 확인된 대용량 추출 공정을 거쳐 Porphyra 334를 생산하였고 분석법까지 확립함으로써 본 생산 공정은산업적으로 적용이 가능함을 확인하였다.

SiO2/4H-SiC MOS 구조의 특성 평가에 관한 연구

장성주 한국물리학회 2006 새물리 Vol.52 No.2

The existence of mobile ions in SiO$_2$ layers of MOS structures is one of the important sources of electrical instabilities in MOS devices. The characteristics of charged mobile ions in SiO$_2$ layers of 4H-SiC MOS structures were investigated by using capacitance-voltage (C-V) and thermally stimulated current (TSC) measurements. The samples used had Pt/SiO$_2$/4H-SiC MOS capacitors. Thermal oxidation was used to grow oxide layers on the Si-faces of single-crystalline 4H-SiC homoepitaxial layers grown by using thermal chemical vapor deposition. The thickness of the oxide layers for the gate oxide was about 500 {\AA}, the surface roughnesses of the oxide layers were 5 $\sim$ 8 {\AA}, and the relative dielectric constants of the oxide layers were 3.7 to 4.6 $\varepsilon_o$. The effects of chlorine in the thermally grown oxide layers were investigated using TCE. The values of QTSC \& QCV in the case of a dry+TCE oxidation were about 5.0 $\times$ 10$^{11}$ e/cm$^2$ and 3.8 $\times$ 10$^{11}$ e/cm$^2$, respectively. The breakdown fields of gate oxides, as obtained from current-voltage (I-V) characteristics, were above 10$^7$ V/cm at room temperature. The behavior of the mobile ions in the SiO$_2$ layers of SiC-MOS capacitors were found to be similar to that of the mobileions in the SiO$_2$ layers of Si-MOS capacitors. MOS 구조의 소자에서 산화막 내의 이동성 이온의 존재는 소자의 전기적 불안전성의 중요한 요인의 하나이다. 본 연구에서는 Thermal CVD 장치를 사용하여 고품위의 n-type 4H-SiC 동종박막을 성장시킨 후, 열산화막 증착장치를 사용하여 약 500 {\AA} 정도의 게이트 산화막을 증착하고 이의 특성을 분석하였다. 산화막의 표면거칠기는 5 $\sim$ 8 {\AA}정도이었고, SiO$_2$/SiC의 선명한 계면을 확인하였다. 4H-SiC MOS capacitor를 제작하고 C-V, TSC 및 I-V 특성을 측정하여 열산화막의 유전율, 이동성 산화막전하 밀도 및 절연파괴전계를 구하였다. Pt/SiO$_2$/4H-SiC (0001) 구조에서 chlorine source를 첨가한 경우에 이동성 산화막전하 밀도가 최대 1/10 이상 감소하는 결과를 나타내었는데, 이러한 결과는 열산화시에 형성되는 이동성 이온에 대하여 chlorine source가 게더링 역할을 해주는 효과가 있음을 의미한다. TCE를 첨가한 건식 산화의 경우에 Q$_{cv}$는 약 3.8 $\times$ 1011 e/cm$^2$이고 Q$_{TSC}$는 5.0 $\times$ 1011 e/cm$^2$이었다. 산화막의 상대 유전상수는 3.7 $\sim$ 4.6의 값으로 분포되어 전반적으로 양호한 산화막이 형성되었음을 확인하였다. 건식 산화한 4H-SiC MOS capacitor에서의 상온(300 K) 절연파괴전압은 80 V 이상이었고, 이로부터 산화막의 절연파괴전계는 10$^7$ V/cm 이상임을 확인하였다. Negative 바이어스에 대한 내압은 -80 V 이상이었고 누설전류 밀도는 수 ㎁ 정도이었다.

충주 호암지유적 출토 유물부장 유기물재료의 종 동정과 연구

장성주 중원문화재연구원 2010 中原文化財硏究 Vol.4 No.-

화학기상증착법에 의한 6H-SiC 기판상의 3C-SiC 이종박막 성장

장성주,박주훈 한국결정성장학회 2003 한국결정성장학회지 Vol.13 No.6

본 연구에서는 열화학기상증착법을 사용하여 6H-SiC 기판 위에 silane($SiH_4$)과 prophane($C_3H_8$)을 사용하여 3C-SiC 이종박막을 성장시키고 이의 성장 특성을 조사하였다. C/Si 유량 비율이 4.0, 운반기체의 유량은 5 slm이고 성장온도가 $1200^{\circ}C$인 경우의 박막성장율은 약 1.8 $\mu$m/h이었다. 성장박막의 Nomarski 표면형상, X-선 회절분광, Raman 산란 특성 및 광발광(PL) 특성 등을 측정하고 성장조건에 따른 결정성을 비교하였다. 이러한 평가를 통하여 성장온도 $1150^{\circ}C$ 이상에서 양질의 결정성 3C-SiC 이종박막이 성장점을 확인하였다. The heteroepitaxial growth of crystalline 3C-SiC on 6H-SiC substrates using high purity silane ($SiH_4$) and prophane ($C_3H^8$) was carried out by thermal chemical vapor deposition, and growth characteristics were investigated in this study. In case that the flow ratio of C/Si and flow rate of $H_2$ were 4.0 and 5.0 slm, respectively, the growth rate of epilayers was about 1.8 $\mu$m/h at growth temperature of $1200^{\circ}C$. The Nomarski surface morphology, X-ray diffraction, Raman spectroscopy, and photoluninescence of grown epilayers were measured to investigate the crystallinity. In this study, the high quality of crystalline 3C-SiC heteropitaxial layers was observed at growth temperature of above $1150^{\circ}C$.