PFO:MEH-PPV를 이용한 White PLED의 제작과 특성평가

신상배,공수철,박형호,전형탁,장호정,Shin, Sang-Baie,Gong, Su-Choel,Park, Hyung-Ho,Jeon, Hyeong-Tag,Chang, Ho-Jung 한국마이크로전자및패키징학회 2008 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.15 No.4

본 연구에서는 백색 고분자유기 발광다이오드를 제작하여 전기 광학적 특성을 평가하였다. ITO(indium tin oxide)를 양극으로 사용하고 정공수송층으로 PEDOT:PSS [poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfolnate)]를 발광물질로는 PFO [poly(9,9-dioctylfluorene)]와 MEH-PPV [poly(2-methoxy-5(2-ethylhexoxy)-1,4-phenyl-enevinyle)]를 각각 host와 dopant로 사용하였다. 전자주입층으로 LiF(lithium flouride)와 음극으로 Al(aluminum)을 증착하여 최종적으로 ITO/PEDOT:PSS/PFO:MEH-PPV/LiF/Al 구조를 갖는 백색 고분자 유기발광다이오드를 제작하고 PFO와 MEH-PPV의 농도에 따른 전기 광학적 특성 변화를 조사하였다. 제작된 소자는 9V에서(x=0.36, y=0.35)의 CIE 색좌표를 갖는 백색 발광이 관찰되었으며, 최대 전류밀도와 휘도는 약 13V의 인가전압에서 $740mA/cm^2,\;900cd/m^2$의 값을 나타내었으며, $200cd/m^2$ 휘도에서 0.37 cd/A의 최대 전류효율이 관찰되었다. In this paper, white polymer light emitting diodes(WPLEDs) were fabricated and investigated the electrical and optical properties for the prepared devices. ITO(indium tin oxide) and PEDOT:PSS [poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfolnate)] as anode and hole injection materials, PFO [poly(9,9-dioctylfluorene)] and MEH-PPV [poly(2-methoxy-5(2-ethylhe xoxy)-1,4-phenylenevinyle)] were used as the light emitting host and guest materials, respectively. The LiF(lithium flouride) and Al(aluminum) were used electron injection materials and cathode materials. Finally, the WPLED with structure of ITO/PEDOT:PSS/PFO:MEH-PPV/LiF/Al was fabricated. The prepared WPLED showed white emission with CIE coordinates of (x=0.36, y=0.35) at the applied voltage of 9V. The maximum current density and luminance were about $740mA/cm^2\;and\;900cd/m^2$ at 13V, respectively. And the maximum current efficiency was 0.37 cd/A at $200cd/m^2$ in luminance.

[TCTA-TAZ] : Ir(ppy)₃ 이중 발광층을 갖는 고효율 녹색 인광소자의 제작과 특성 평가

신상배,신현관,김원기,장지근,Shin, Sang-Baie,Shin, Hyun-Kwan,Kim, Won-Ki,Jang, Ji-Geun 한국재료학회 2008 한국재료학회지 Vol.18 No.4

High-efficiency phosphorescent organic light emitting diodes using TCTA-TAZ as a double host and $Ir(ppy)_3$ as a dopant were fabricated and their electro-luminescence properties were evaluated. The fabricated devices have the multi-layered organic structure of 2-TNATA/NPB/(TCTA-TAZ) : $Ir(ppy)_3$/BCP/SFC137 between an anode of ITO and a cathode of LiF/AL. In the device structure, 2-TNATA[4,4',4"-tris(2-naphthylphenyl-phenylamino)-triphenylamine] and NPB[N,N'-bis(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine] were used as a hole injection layer and a hole transport layer, respectively. BCP [2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline] was introduced as a hole blocking layer and an electron transport layer, respectively. TCTA [4,4',4"-tris(N-carbazolyl)-triphenylamine] and TAZ [3-phenyl-4-(1-naphthyl)-5-phenyl-1,2,4-triazole] were sequentially deposited, forming a double host doped with $Ir(ppy)_3$ in the [TCTA-TAZ] : $Ir(ppy)_3$ region. Among devices with different thickness combinations of TCTA ($50\;{\AA}-200\;{\AA}$) and TAZ ($100\;{\AA}-250\;{\AA}$) within the confines of the total host thickness of $300\;{\AA}$ and an $Ir(ppy)_3$-doping concentration of 7%, the best electroluminescence characteristics were obtained in a device with $100\;{\AA}$-think TCTA and $200\;{\AA}$-thick TAZ. The $Ir(ppy)_3$ concentration in the doping range of 4%-10% in devices with an emissive layer of [TCTA ($100\;{\AA}$)-TAZ ($200\;{\AA}$)] : $Ir(ppy)_3$ gave rise to little difference in the luminance and current efficiency.

정공 주입층 및 수송층에 따른 고분자 유기발광다이오드의 특성 연구

신상배,장호정,Shin, Sang-Baie,Chang, Ho-Jung 한국마이크로전자및패키징학회 2007 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.14 No.4

본 연구에서는 ITO/PEDOT:PSS/PFO:MEH-PPV/LiF/Al의 구조를 갖는 고분자 유기발광다이오드를 제작하여 정공 주입층으로 사용되는 PEDOT:PSS의 두께 변화와 PVK 정공 수송층을 도입하여 ITO/PEDOT:PSS/PVK/PFO:MEH-PPV/LiF/Al 구조를 갖는 고분자 유기발광 다이오드를 제작하여 정공수송층이 유기발광다이오드의 전기 광학적 특성에 미치는 영향에 대하여 조사, 비교하였다. 실험에 사용된 모든 유기물은 플라즈마 처리된 ITO/glass 기판위에 스핀 코팅법으로 도포하였다. 정공 주입층인 PEDOT:PSS 두께를 약 80 nm에서 50 nm로 감소한 경우 PLED 소자의 휘도는 약 $220cd/m^2$ 에서 $450cd/m^2$으로 크게 증가하였다. 이러한 결과는 정공 주입층의 두께가 감소할수록 ITO 전극에서 발생한 정공이 보다 쉽게 발광막으로 전달되기 때문이다. 또한 PVK 정공 수송층을 도입한 PLED소자에서 최대 전류밀도와 휘도는 $268mA/cm^2$ 와 $540cd/m^2$ (at 12V)의 값을 각각 나타내었다. PVK 정공 수송층이 도입되지 않은 소자에 비해 전류밀도는 약 14%, 휘도는 약 22%의 특성개선을 나타내었다. We fabricated the polymer light emitting diodes (PLEDs) with ITO/PEDOT:PSS/PVK/PFO:MEH-PPV/LiF/Al structures. The effect of the thickness of PEDOT:PSS hole injection layer(HIL) on the electrical and optical properties of PLEDs was investigated. In addition, PVK hole transport layer(HTL) was introduced in the PLED device, and compared the properties of the PLEDS with and without PVX layer. All organic film layers were prepared by the spin coating method on the plasma treated ITO/glass substrates. As the thickness of PEDOT:PSS film layer decreased from about 80 nm to 50 nm, the luminance of PLED device increased from $220cd/m^2$에서 $450cd/m^2$. This may be ascribed to the increased transportation efficiency of the holes into the emission layer of PLED. The maximum current density and luminance were obtained fir the PLED device with PVX hole transport layer, showing that the current density and luminance were $268mA/cm^2\;and\;540cd/m^2$ at 12V, respectively. This values were improved by about 14% and 22% in current density and luminance compared with the PLED device without PVK layer.

중첩된 WBAN 환경에서 내쉬중재를 이용한 비경쟁구간 할당 방안

신상배(Sangbae Shin),조진성(Jinsung Cho) 한국정보과학회 2011 정보과학회 컴퓨팅의 실제 논문지 Vol.17 No.11

본 논문에서는 중첩된 WBAN (Wireless Body Area Network) 환경에서 비경쟁 전송구간의 신뢰성 있는 전송을 위해 한정된 자원(비경쟁 전송구간)을 각각의 WBAN에게 할당하는 방안을 제안한다. 이를 위해 협동적 게임 이론(cooperative game theory)을 바탕으로 한정된 자원(비경쟁 전송구간)을 효율적이고 공평하게 할당 할 수 있도록 내쉬중재(nash arbitration) 기법을 통한 자원 할당 방안을 살펴본다. 내쉬중재 협상해법을 통해 WBAN 간 비경쟁 전송구간의 충돌 없이 신뢰성 있는 전송을 보장한다. 또한 각 WBAN의 비경쟁 전송 구간 내의 디바이스 우선순위와 할당 받은 구간의 크기를 고려하여 전략 선택에 따른 형평성과 각 WBAN이 비경쟁 전송구간 내에 요구하는 할당구간(allocation interval)을 보장한다. In this paper we propose a limited resources (contention free period) allocation method for reliable transmission in overlapped WBAN (Wireless Body Area Network) environment. For efficient and fair allocation method we consider a nash arbitration which is based on cooperative game theory. This bargaining solution through the nash arbitration ensures reliable transmission without a collision between two WBAN's contentioin free period. The decision of our method considers the combination of device priority and allocated intervals in contention free period of each WBAN. This method based on nash arbitration ensures fairness and efficiency.

중첩된 WBAN 환경에서 내쉬중재를 이용한 비경쟁구간 할당 방안

신상배(Sangbae Shin),조진성(Jinsung Cho) 한국정보과학회 2011 한국정보과학회 학술발표논문집 Vol.38 No.1D

본 논문에서는 중첩 된 WBAN(Wireless Body Area Network) 환경에서 비경쟁 전송구간의 신뢰성 있는 전송을 위해 한정된 자원(비경쟁 전송구간)을 각각의 WBAN에게 할당하는 방안을 제안한다. 이를 위해 협동적 게임 이론(cooperative game theory)을 바탕으로 한정된 자원(비경쟁 전송구간)을 효율적이고 공평하게 할당 할 수 있도록 내쉬중재(Nash arbitration) 기법을 통한 자원 할당 방안을 살펴본다. 내쉬중재 협상해법을 통해 WBAN 간 비경쟁 전송구간의 충돌 없이 신뢰성 있는 전송을 보장한다. 또한, 각 WBAN의 비경쟁 전송 구간 내의 디바이스 우선순위와 할당받은 timeslot의 개수를 고려하여 전략 선택에 따른 형평성과 각 WBAN이 비경쟁전송 구간 내에 요구하는 최소한의 timeslot을 보장한다.

CBP:Ir(ppy)3 녹색 PHOLEDs 제작에서 HIL과 ETL 처리

신상배 ( Sang Baie Shin ),안종명 ( Jong Myoung Ahn ),신현관 ( Hyun Kwan Shin ),장지근 ( Ji Geun Jang ) 단국대학교 신소재기술연구소 2007 신소재 연구논집 Vol.15 No.-

고효율 $CBP:Ir(ppy)_3$-PhOLEDs의 제작과 특성 연구

장지근,신상배,신현관,안종명,장호정,유상욱,Jang, Ji-Geun,Shin, Sang-Baie,Shin, Hyun-Kwan,Ahn, Jong-Myoung,Chang, Ho-Jung,Ryu, Sang-Ouk 한국마이크로전자및패키징학회 2008 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.15 No.2

고효율 녹색 인광 유기발광다이오드를 개발하기 위해 소자 구조를 ITO/2-TNATA/NPB/TCTA/CBP:$7%Ir(ppy)_3$/BCP/SFC-137/LiF/Al로 설계 제작하고 그 전계발광 특성을 평가하였다. 소자 제작에서 발광 호스트의 두께를 $150{\AA}{\sim}350{\AA}$ 범위로 변화시켜, 전계발광 특성을 비교해 본 결과, CBP두께가 약 $300{\AA}$ 부근일 때 가장 우수한 휘도 특성이 얻어졌다 전류 효율은 CBP두께가 $300{\AA}{\sim}350{\AA}$범위일 때 거의 포화되어 최대로 나타났다. $CBP(300{\AA}):7%Ir(ppy)_3-EML$ 층을 갖는 PhOLED(phosphorescent organic light emitting diode)의 전류 밀도, 휘도, 그리고 전류 효율은 10V의 인가전압에서 각각 $40mA/cm^2,\;10000cd/m^2$, 25cd/A로 나타났다. 또한 이 소자의 최대 전류효율은 $160cd/m^2$의 휘도 상태에서 40.5cd/A로 나타났다. 발광 스펙트럼은 512nm의 중심 파장과 약 60nm의 FWHM(Full Width Half Maximum)을 나타내었으며, CIE (Commission Internationale de I'Eclairage)도표 상에서 색 좌표는 (0.28,0.63)으로 나타났다. New devices with the structure of ITO/2-TNATA/NPB/TCTA/CBP:$7%Ir(ppy)_3$/BCP/SFC-137/LiF/Al were designed and fabricated to develop high efficiency green phosphorescent organic light emitting diodes and their electroluminescence properties were evaluated. Among the devices with different thicknesses of CBP in a range of $150{\AA}{\sim}350{\AA}$, the best luminance was obtained in the device with $300{\AA}$-thick CBP host. Nearly saturated current efficiencies indicates that the maximum efficiency value can be obtained with CBP thicknesses of $300{\AA}{\sim}350{\AA}$. The current density, luminance, and current efficiency of the PhOLED(phosphorescent organic light emitting diode) with $CBP(300{\AA}):7%Ir(ppy)_3-emissive$ layer at an applied voltage of 10V were $40mA/cm^2,\;10000cd/m^2$, and 25 cd/A, respectively. The maximum current efficiency was 40.5cd/A under the luminance of $160cd/m^2$. The peak wavelength and FWHM(full width at half maximum) in the electroluminescence spectral were 512nm and 60nm, respectively. The color coordinate was (0.28, 0.63) on the CIE (Commission Internationale de I'Eclairage) chart.

PFO/PFO:MEH-PPV 이중 발광층을 이용한 고분자 유기발광다이오드의 제작과 특성 연구

장영철,신상배,Chang, Young-Chul,Shin, Sang-Baie 한국마이크로전자및패키징학회 2008 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.15 No.2

최적 소자구조에 의한 고분자 발광다이오드의 외부 양자효율 향상을 위해 스핀코팅 방법으로 ITO/EDOT:PSS/(PFO)/PFO:MEH-PPV/LiF/Al 구조의 발광소자를 제작하고 전기, 광학적 특성을 조사하였다. ITO(indium tin oxide) 투명전극을 양극으로 사용하고 정공수송층으로 PEDOT:PSS[poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfolnate)]를 사용하였으며, 발광물질로는 PFO[poly(9,9-dioctyl-fluorene)]와 MEH-PPV [poly(2-methoxy-5(2-ethylhexoxy)-1,4-phenylenevinyle)]를 각각 호스트와 도펀트로 사용하였다. PFO:MEH-PPV 발광층의 두께를 약 $400{\AA}$으로 형성하였고, MEH-PPV의 농도는 9wt%로 고정하여 도핑하였다. PFO 발광층의 두께를 $200{\sim}300{\AA}$의 범위로 변화시켜 전계발광 특성을 비교 해 본 결과, 두께가 약 $250{\AA}$ 부근에서 가장 우수한 광학적 특성이 관찰되었으며, 13V의 인가전압에서 각각 약 $400mA/cm^2$의 전류밀도와 $1500cd/m^2$의 휘도가 관찰되었다 또한 PFO 발광층을 2중으로 구성한 소자(PFO/PFO:MEH-PPV)가 단일 발광층을 갖는 소자 (PFO:MEH-PPV)에 비해 발광휘도 및 전류 효율에서 약 3배의 향상된 특성을 보여주었다. To improve the external quantum efficiency by means of the optimization of the polymer light emitting diodes(PLEDs) structure, the PLED with ITO/PEDOT:PSS/(PFO)/PFO:MEH-PPV/LiF/Al structure were fabricated and investigated the electrical and optical properties for the prepared devices. ITO(indium tin oxide) and PEDOT:PSS [poly (3,4-ethylenedioxythiophene): poly(styrene sulfolnate)] were used as transparent anode film and hole transport materials, respectively. PFO[poly(9,9-dioctylfluorene)] and MEHPPV[poly(2-methoxy-5(2-ethylhe xoxy)-1,4-phenylenevinyle)] were used as the light emitting host and dopant materials. The doping concentration of MEH-PPV was 9wt% with thickness of about $400{\AA}$. We investigated the dependence of the PFO thickness ranging from $200{\AA}$ to $300{\AA}$ on the electrical, optical properties of PLEDs. Among prepared PLED devices with different PFO thicknesses, the highest value of the luminance was obtained for the PLED device with $250{\AA}$ in thickness. As a result, the current density and luminance ware found to be about $400mA/cm^2$ and $1500cd/m^2$ at 13V, respectively. In addition, the luminance and current efficiency of PLED device with double emitting layer (PFO/PFO:MEH-PPV) were improved about 3 times compared with the one with single emitting layer (PFO:MEH-PPV).

TPM-BiP 청색 형광 재료의 전계발광특성

장지근,신상배,안종명,장호정,이학민,공명선,김민영,김준우,Chang, Ji-Geun,Shin, Sang-Baie,Ahn, Jong-Myoung,Chang, Ho-Jung,Lee, Hak-Min,Gong, Myoung-Sun,Kim, Min-Young,Kim, Jun-Woo 한국반도체디스플레이기술학회 2007 반도체디스플레이기술학회지 Vol.6 No.2

For the fabrication of blue color organic light emitting diodes(OLED) with a high performance, 2-TNATA [4,4',4"-tris (2-naphthylphenyl-phenylamino)-triphenylamine] as hole injection material and NPB [N,N'-bis (1-naphthyl) -N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine] as hole transport material were deposited on the ITO (indium tin oxide)/glass substrate by the vacuum thermal evaporation. After then, blue color emission layer was deposited using TPM-BiP[(4'-Benzoylferphenyl-4-yl)phenyl-methanone-Diethyl(biphenyl-4-ymethyl)phosphonate] and GDI602 as a light emitting organic material. Finally, the two kinds of OLEDs with the structure of $ITO/2-TNATA/NPB/TPM-BiP/Alq_3/LiF/Al and ITO/2-TNATA/NPB/GDI602/Alq_3/LiF/Al$ were prepared by in-situ deposition. The maximum current density and luminance were found to be about $588\;mA/cm^2\;and\;5239\;cd/m^2$ at 12V for the OLED sample with the structure of $ITO/2-TNATA/NPB/TPM-BiP/Alq_3/LiF/Al$. Color coordinate of blue OLED was x=0.18, y=0.18 (at llV) and the maximum current efficiency was 2.82 cd/A (at 6V) with the peak emission wavelength of 440 nm.

Ethernet 기반 가입자망의 보호 및 절체에 대한 연구

조성대,신상배,박영일 한국통신학회 2002 韓國通信學會論文誌 Vol.27 No.10C