http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
포톤 계수 방식의 $32{\times}32$ 픽셀 어레이를 갖는 디지털 CMOS X-ray 이미지 센서 설계
성관영,김태호,황윤금,전성채,진승오,허영,하판봉,박무훈,김영희,Sung, Kwan-Young,Kim, Tae-Ho,Hwang, Yoon-Geum,Jeon, Sung-Chae,Jin, Seung-Oh,Huh, Young,Ha, Pan-Bong,Park, Mu-Hun,Kim, Young-Hee 한국정보통신학회 2008 한국정보통신학회논문지 Vol.12 No.7
본 논문에서는 $0.18{\mu}m$ triple-well CMOS 공정을 사용하여 포톤계수 방식의 $32{\times}32$ 픽셀 어레이를 갖는 CMOS ray 영상센서를 설계하였다. 설계된 영상센서의 카픽셀은 $100{\times}100\;{\mu}m2$ 면적을 가지고 있고 약 400개의 트랜지스터로 구성되어 있으며, 범프 본딩을 통해 ray 검출기와 CSA(Charge Sensitive Amplifier)의 연결을 위한 $50{\times}50{\mu}m2$의 오픈패드를 가지고 있다. 각각의 싱글픽셀 CSA에서 전압 바이어스 회로를 사용한 folded cascode CMOS OP amp 대신 레이아웃 면적을 줄이기 위하여 self biased folded cascode CMOS OP amp를 이용하였으며, 계수 모드 진입 전후에 CLK에서 발생 할 수 있는 short pulse를 제거하는 15bit LFSR 계수기 (Linear Feedback Shift Register Counter) 클럭 발생회로를 제안하였으며, 읽기 모드에서 CMOS X-ray 영상센서의 최대 전류를 줄이기 위하여 열 어드레스 디코더를 이용하여 한 열씩 읽도록 설계하였다. In this paper, x-ray image sensor of photon counting type having a $32{\times}32$ pixel array is designed with $0.18{\mu}m$ triple-well CMOS process. Each pixel of the designed image sensor has an area of loot $100{\times}100\;{\mu}m2$ and is composed of about 400 transistors. It has an open pad of an area of $50{\times}50{\mu}m2$ of CSA(charge Sensitive Amplifier) with x-ray detector through a bump bonding. To reduce layout size, self-biased folded cascode CMOS OP amp is used instead of folded cascode OP amp with voltage bias circuit at each single-pixel CSA, and 15-bit LFSR(Linear Feedback Shift Register) counter clock generator is proposed to remove short pulse which occurs from the clock before and after it enters the counting mode. And it is designed that sensor data can be read out of the sensor column by column using a column address decoder to reduce the maximum current of the CMOS x-ray image sensor in the readout mode.
넓은 전압 범위와 개선된 파워-업 특성을 가지는 밴드갭 기준전압 발생기의 스타트-업 회로
성관영,김종희,김태호,카오투안부,이재형,임규호,박무훈,하판봉,김영희,Sung, Kwang-Young,Kim, Jong-Hee,Kim, Tae-Ho,Vu, Cao Tuan,Lee, Jae-Hyung,Lim, Gyu-Ho,Park, Mu-Hum,Ha, Pan-Bong,Kim, Young-Hee 한국정보통신학회 2007 한국정보통신학회논문지 Vol.11 No.8
본 논문에서는 넓은 동작전압 범위와 저소비 전력 그리고 개선된 파워-업 특성을 가지는 캐스코드 전류 거울형 CMOS 밴드갭 기준전압 발생기의 스타트-업 회로를 제안하였다. 새롭게 제안된 스타트-업 회로는 기존의 스타트-업 회로에 비해 안정적인 파워-업 특성을 가지며 공급전압(VDDA)이 높아지더라도 밴드갭 기준전압 발생기 회로의 동작에 영향을 미치지 않는 것을 모의실험을 통하여 확인하였고 $0.18{\mu}m$ tripple-well CMOS 공정을 이용하여 테스트 칩을 제작하고 측정하였다. 측정 된 기준전압 Vref는 평균값이 738mV이고 $3{\sigma}$는 29.88mV이다. A start-up circuit of the bandgap reference voltage generator of cascode current mirror type with wide operating voltage range and enhanced power-up characteristics is proposed in the paper. It is confirmed by simulation that the newly proposed start-up circuit does not affect the operation of the bandgap reference voltage generatory even though the supply voltage(VDDA) is higher and has more stable power-up characteristic than the conventional start-up circuit. Test chips are designed and fabricated with $0.18{\mu}m$ tripple well CMOS process and their test has been completed. The mean value of measured the reference voltage(Vref) is 738mV and The three sigma value($3{\sigma}$) is 29.88mV.
TFT -LCD 구동 IC용 커패시터 내장형 DC-DC 변환기 설계
임규호,강형근,이재형,손기성,조기석,백승면,성관영,이용진,박무훈,하판봉,김영희,Lim Gyu-Ho,Kang Hyung-Geun,Lee Jae-Hyung,Sohn Ki-Sung,Cho Ki-Seok,Baek Seung-Myun,Sung Kwan-Young,Li Long-Zhen,Park Mu-Hun,Ha Pan-Bong,Kim Young-Hee 한국정보통신학회 2006 한국정보통신학회논문지 Vol.10 No.7
A non-overlap boosted-clock charge pump(NBCCP) with internal pumping capacitor, an advantageous circuit from a minimizing point of TFT-LCD driver IC module, is proposed in this paper. By using the non-overlap boosted-clock swinging in 2VDC voltage, the number of pumping stages is reduced to half and a back current of pumping charge from charge pumping node to input stage is also prevented compared with conventional cross-coupled charge pump with internal pumping capacitor. As a result, pumping current of the proposed NBCCP circuit is increased more than conventional cross-coupled charge pump, and a layout area is decreased. A proposed DC-DC converter for TFT-LCD driver IC is designed with $0.18{\mu}m$ triple-well CMOS process and a test chip is in the marking. 본 논문에서는 TFT-LCD 구동 IC 모듈의 소형화측면에서 유리한 DC-DC 변환기 회로인 펌핑 커패시터 내장형 비중첩 부스트-클락 전하펌프 (Non-overlap Boosted-Clock Charge Pump: NBCCP) 회로가 제안되었다 .2VDC 전압으로 스윙하는 비중첩 부스트-클럭의 사용으로 기존의 펌핑 커패시터 내장형 크로스-커플드 전하펌프에 비해 펌핑 단의 수를 반으로 줄일 수 있었고, 전하 펌핑 노드의 펌핑된 전하가 입력 단으로 역류되는 현상을 방지하였다 . 그 결과 제안된 펌핑 커패시터 내장형 비중첩 부스트-클럭 전하펌프 회로는 기존의 펌핑 커패시터 내장형 크로스-커플드 전하펌프에 비해 펌핑 전류가 증가하였고, 레이아웃 면적은 감소되었다. 제안된 TFT-LCD 구동 IC용 DC-DC 변환기 회로를 $0.18{\mu}m$ Triple-Well CMOS 공정을 사용하여 설계하고, 테스트 칩을 제작 중에 있다.
정진수(Jinl-Soo Jung),김선구(Sun-Gu Kim),정종욱(Jong-Wook Jung),성관영(Gaun-Young Sung) 대한전기학회 2010 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2010 No.11
본 논문은 인체감전보호를 위한 차단기의 선정, 저항의 범위 규정 및 안전전압 등을 규정할 때 가장 기본이 되는 루프임피던스 중 수용가 외부의 루프임피던스를 선정하기 위한 연구이다. 기존 국내연구의 경우 루프임피던스에 대한 개념이 도입되기 시작한 단계로 아직까지 외부루프임피던스에 대한 연구가 이루어지지 않은 상태이다. 단, 전원의 품질 분석을 위해 IEC 60725에서 기준임피던스에 관한 연구가 이루어지고 있다. 본 논문에서는 인체감전 보호의 측면에서 외부루프임피던스 측정에 관한 연구를 실시하였다.