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배성식,백수현 동국대학교 산업기술연구원 2000 산업기술논문집 Vol.11 No.1
현재 고층 아파트 지하 주차장에는 온종일 전등을 켜고 있는 실정이므로 많은 에너지가 낭비되고 있는 현실을 개선하고자 본 기술을 개발하게 되었다. 사람 또는 차량의 이동에 따라 필요한 장소에만 전등을 점등할 수 있는 에너지 절약형 주차장 시스템으로, 지하 주차장의 모든 전등을 통합 관리 하기 위하여 두 가닥 통신라인으로 네트워크를 구축하고 PC와 센서에 의해 각 구역별로 필요한 전등을 제어한다. 대규모 주차장에서는 PC를 이용한 통합관리가 유용하며, 소형 주차장은 CS/CM만으로 센서를 이용한 주차장 관리가 가능하다. 열 감지 센서를 채용하므로 일정 온도 이상의 물체를 감지하면 조명등이 동작하며 이 물체가 움직이면 주위에 설치된 조명등이 켜진다. 고객의 선택에 따라 원하는 시간에만 CCTV가 동작되도록 하기 때문에 에너지 절약뿐만 아니라, 보안기능도 증대시킬 수 있는 일석이조 효과를 얻을 수 있으며, 또한 각종 방범, 방재 시스템과의 연계가 용이하며 시간제어가 가능하다. 본 개발은 지하 주차장의 에너지 절약형 조명 및 보안 제어시스템에 관한 것으로, 현재 많은 에너지가 낭비되고 있는 현실을 개선하기 위해 개개의 형광등을 동작시킬 수 있고 이를 효율적으로 관리할 수 있는 시스템을 실현하기 위해 적합한 하드웨어와 소프트웨어를 설계, 구성하고 이를 사용자 욕구에 맞게 운용할 수 있는 Firmware를 제시하였다.
N₂O분위기에서 oxynitridation에 의해 형성된 게이트 유전체의 특성
배성식,장의구 중앙대학교 생산공학연구소 1993 생산공학연구소 논문집 Vol.2 No.2
N₂O가스 분위기에서 실리콘 기판상에 직접 열산화한 oxynitride막과 10nm 및 19nm 열산화막을 재산화시킨 oxynitride막의 전기적 특성을 연구하였다. 게이트 산화막을 질화한 질산화막은 기존의 열산화막을 대체할 수 있는 유전체로서 촉망받고 있는 재료의 하나이다. 질화의 방식 가운데서, N₂O분위기에서의 열산화는 암모니아 질화에서 나타나는 수소 관련 전자트랩핑을 피할 수 있다. N₂O가스로 산화시킬 때, Si/SiO₂계면에서의 질소 축적(pile-up)이 관찰되었다. Si/SiO₂계면에서의 질소 축적은 산화율을 상당히 감소시키는 산화제 확산 장벽을 작용했다. 그리고 Si/SiO₂계면으로의 질소 도입은 계면에서의 막구조를 강화시켰을 뿐만 아니라 게이트 유전체의 질을 개선시켰다. 이 공정에 의해 형성된 oxynitride막은 Si/SiO₂계면에서의 질소 축적에 기인하여 막성장율이 쉽게 제어되었다. 본 논문에서, oxynitidation은 전기로에서 수행되었으며, oxynitride막의 특성은 AES분석, 성장율, C-V, I-V 및 절연파괴특성을 분석함으로서 조사되었다. Electricial characteristics of gate dielectircs formed by oxidation of bare and oxidized(10nm and 19nm oxide) silicon in nitrous oxide gas(N₂O) have been studied. Nitrogen incorporation into the gate oxide is one of the promising methods as a possible alternatives to thermal oxides. Among the methods of nitridation thermal oxidation in N₂O ambient is capable of avoiding the H-related electron trapping which shown in the NH₃nitridation. During the N₂O oxidation, nitrogen pile-up at Si/SiO₂interface is observed. Nitrogen pile-up at Si/SiO₂interface acted as a oxidant diffusion barrier that reduces the oxidation rate significantly. And the incorporation of nitrogen at Si/SiO₂interface not only strengthens oxynitride structure at the interface but improves the gate dielectric quality. Oxynitride films formed by this process control film growth rate easily due to nitrogen pile-up at Si/SiO₂interface. In this paper, the oxynitridation is performed by the conventional furnace and the properties of the oxynitride films haven been investigated by analyzing the AES(Auger Electron Spectroscopy), growth rate, C-V, I-V and breakdown characteristics.