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2000년대 유럽(ETSI)의 정보통신 표준화 전략 분석
박종봉,손홍,박기식,Park, J.B.,Sohn, H.,Park, K.S. 한국전자통신연구원 2000 전자통신동향분석 Vol.15 No.2
정보통신 표준화를 둘러싼 환경의 급격한 변화는 기존의 표준화 기구로 하여금 변화를 모색하게 하고 있는 가운데, ETSI는 EFR을 도출하여 새 천년을 향한 변화된 표준화 전략을 모색하고 있다. ETSI는 EFR에서 표준화의 외부환경을 세계화, 혁신, 신속화, 경쟁으로 분석하고 이에 대한 각 대응전략 수립과 실행 recom-mendation을 제안하였다. 또한, SWOT 분석을 실시하여 이를 구체화하기 위한 극대화, 극소화 전략을 추출함으로써 보다 효과적인 전략 수립을 가능토록 하였다. 본 논문에서는 EFR의 환경요인 분석과 SWOT 분석, 그리고 환경요인별 대응전략을 소개하고, 이를 통하여 국내 표준화의 전략적 시사점을 도출하고자 한다.
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ITU-T TSAG WP3(EDH, Promotion and Publication Policy) 활동 현황
구경철,이준섭,박종봉,박기식,Koo, K.C.,Lee, J.S.,Park, J.B.,Park, K.S. 한국전자통신연구원 2001 전자통신동향분석 Vol.16 No.4
국제 표준화기구인 ITU는 급변하는 기술 및 시장 흐름에 대응하여 최근 많은 개혁을 추진하고 있으며, 표준화 분야인 ITU-T에서도 이를 반영하여 ITU-T 총회(WTSA-2000)를 통해 이번 회기(2001~2004) 동안 표준화 작업의 근거가 될 ITU 표준화 규정(ITU-T Resolutions, A-Series Recommendations)을 제.개정하였다. 본 고에서는 ITU-T가 신속한 표준화를 위해 전략적 도구로 내세우고 있는 EDH와 관련하여, ITU-T 규정을 고찰하고 지난 2001년 3월 첫번째 회의를 가진 ITU-T 전략 그룹이라 할 수 있는 TSAG 내의 WP3(EDH, Promotion and Publication Policy)에서 논의된 사항을 중심으로 주요 핵심동향을 살펴보고자 한다.
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윤대식,조완식,고은수,이영,박종봉,김종오,Yoon, T.S.,Cho, W.S.,Koo, E.S.,Li, Ying,Park, J.B.,Kim, C.O. 한국재료학회 2000 한국재료학회지 Vol.10 No.11
RF magnetron sputtering법으로 초미세결정 Fe-Sm-O계의 박막을 상온에서 제작하여 산소분압에 따른 포화자화, 보자력, 고주파에서의 투자율(100MHz)을 조사하였다. 최적조건인 5%의 산소분압에서 제조한 초미세결정 Fe(sub)83.4Sm(sub)3.4O(sub)13.2박막은 포화자속밀도 18kG, 보자력 0.82 Oe, 실효투자율 (0.5~100MHz) 2,600 이상의 우수한 연자성을 나타내었다. 산소분압이 증가함에 따라 $\alpha$-Fe 결정립의 크기가 감소하여 10%이상의 산소분압에서는 FeO가 생성되어 연자기적 성질이 열화되었다. Fe-Sm-O계 박막의 전기비저항은 산소분압이 증가함에 따라 증가하는 경향을 나타내었으며 우수한 연자기적 성질을 가지는 Fe(sub)83.4Sm(sub)3.4O(sub)13.2박막의 경우, 전기비저항은 130 $\mu$$\Omega$cm이었다. 따라서 미세하게 형성된 $\alpha$-Fe 결정립과 높은 전기비저항 때문에 초미세결정 Fe(sub)83.4Sm(sub)3.4O(sub)13.2박막이 고주파에서 우수한 연자기적 성질을 가지는 것으로 판단된다. The influence of $O_2$partial presure on saturation magnetization, coercivity and effective permeability(0.5~100MHz) of as-deposited Fe-Sm-O thin films, which were fabricated by RF magnetron reactive sputtering method, were investigated. The nanocrystalline Fe(sub)83.4Sm(sub)3.4O(sub)13.2 thin film fabricated at $O_2$partial pressure of 5% exhibits the best magnetic softness with saturation magnetization of 18kG, coercivity of 0.82 Oe and effective permeability about 2,600 at 0.5~100MHz. $\alpha$-Fe grain size is decreased with increasing $O_2$partial pressure. In case of $O_2$partial pressure of 10%, it is observed that FeO compound is formed and soft magnetic properties are decreased. The electrical resistivity of Fe-Sm-O thin films were increased with increasing $O_2$partial pressure, the electrical resistivity of Fe(sub)83.4Sm(sub)3.4O(sub)13.2 thin film with the best soft magnetic properties was 130 $\mu$$\Omega$cm. Therefore, It is assumed that the good soft magnetic properties of Fe(sub)83.4Sm(sub)3.4O(sub)13.2 thin film results from high electrical resistivity and decreasing $\alpha$-Fe grain size due to precipitation of Sm-Oxide phase.
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윤대식,조완식,고은수,이영,박종봉,김종오,Yoon, T.S.,Cho, W.S.,Koo, E.S.,Li, Ying,Park, J.B.,Kim, C.O. 한국재료학회 2001 한국재료학회지 Vol.11 No.1
Nanocrystalline Fe-Sm-O thin films were prepared by RF magnetron reactive sputtering method in $Ar+O_2$mixed atmosphere with the $O_2$content of 5%. The compositions of the thin films were changed by changing the number of $Sm_2O_3$ chips. The best soft magnetic properties of the thin film with the composition of $Fe_{83.4}Sm_{3.4}O_{13.2}$ were saturation flux density of 18 kG, coercivity of 0.82 Oe and effective permeability about 2,600 at 0.5~100 MHz, respectively. The electrical resistivity of Fe-Sm-O thin films was increased with increasing the amount of Sm and O elements which combined each other, the electrical resistivity of$Fe_{83.4}Sm_{3.4}O_{13.2}$ thin film was $130{\mu}{\Omega}cm$. In case of the small amount of Sm and O elements, the microstructures of Fe-Sm-O thin films showed a precipitated phase of $Sm_2O_3$ on the ${\alpha}-Fe$ phase. With the increase of the amount of Sm and O elements, the microstructures of the Fe- Sm-O thin films were changed into a mixed structure of ${\alpha}-Fe$ crystal-phase and Sm-oxide amorphous phase. The Fe-Sm-O thin films with Fe content in the range of 72~94 at% exhibited the quality factor (Q = $\mu$′/$\mu$") of 7~75 up to 50 MHz.
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