하드웨어 기반 암호화와 메모리 격리를 통한 경량 RISC-V 신뢰 실행 환경

박우정,김해용,지장현,문재근,김호원 한국디지털콘텐츠학회 2022 한국디지털콘텐츠학회논문지 Vol.23 No.9

A trusted execution environment (TEE) is a technology that isolates sensitive data and code from untrusted environments to provide resistance to external tampering and ensure safe execution. However, the existing trusted execution environment technologies lack support for functions such as mitigation of physical attacks on external memory in a lightweight embedded environment, protection of memory isolation rules for safely isolating real-time tasks, and multiple trusted domains. In this paper, based on Ibex, a low-power RISC-V-based open-source processor implementation that has been widely researched in recent years, we present a trusted execution environment structure that can safely isolate and execute multiple trusted domains at the same time. Our structure can ensure confidentiality and integrity of data and code efficiently through on-chip hardware cipher accelerator and has high resistance to advanced software and physical attacks. 신뢰 실행 환경(trusted execution environment)은 민감한 데이터와 코드를 비신뢰 환경으로부터 격리하여 외부 탬퍼링에 대한 저항성을 제공하고 안전한 실행을 보장하기 위한 기술이다. 하지만, 기존의 신뢰 실행 환경 기술은 경량 임베디드 환경의 외부 메모리에 대한 물리적 공격 완화, 실시간 작업을 안전하게 격리하기 위한 메모리 격리 규칙에 대한 보호, 다중 신뢰 영역과 같은 기능의 지원이 미비하다. 본 논문에서는 최근 많은 연구가 이루어지고 있는 저전력 RISC-V 기반 오픈 소스 프로세서 구현인 Ibex를 기반으로 다중 신뢰 영역을 안전하게 격리하여 동시에 실행할 수 있는 신뢰 실행 환경 구조를 제시한다. 본 구조는 온 칩(on-chip) 하드웨어 암호 가속기를 통해 데이터 및 코드의 기밀성과 무결성을 효과적으로 보장하며 고도화된 소프트웨어 및 물리적 공격에 대한 높은 저항성을 가진다.

급속 microwave 열처리 방법으로 합성한 $YVO_4$: $Eu^{3+}$, $Bi^{3+}$ 적색 형광체의 발광 특성

박우정,송영현,문지욱,윤대호,Park, W.J.,Song, Y.H.,Moon, J.W.,Yoon, D.H. 한국결정성장학회 2008 韓國結晶成長學會誌 Vol.18 No.4

본 연구에서는 자외선 영역에서 우수한 발광강도를 가지는 적색 형광체를 얻기 위하여 microwave 급속 열처리법으로 합성하여 $Eu^{3+}$와 $Bi^{3+}$가 도핑된 $YVO_4$의 발광특성을 관찰하였다. Microwave 급속 열처리시 입자의 크기는 매우 미세하며, 응집이 매우 심하였으나 열처리 유지시간이 증가할수록 입자 크기는 증가하고 응집현상은 개선되는 경향을 나타내었다. $YVO_4$: $Eu^{3+}$, $Bi^{3+}$ 적색 형광체의 발광 peak는 $Eu^{3+}$ ion의 영향에 의해 594.9 nm와 602.3 nm에서 $^5D_0{\longrightarrow}^7F_1$ 전자 천이에 의한 약한 발광 peak와 616.7 nm와 620.0 nm에서 $^5D_0{\longrightarrow}^7F_2$ 전자 천이에 의한 강한 발광 peak이 관찰 되었다. Microwave 급속 열처리법을 형광체 합성시 장시간 열처리 시간이 필요하지 않으면서 균일한 activator의 확산으로 인하여 발광특성을 향상시키는 것을 확인 할 수 있었다. $Eu^{3+}$ and $Bi^{3+}$ co-doped $YVO_4$ phosphors were produced by a microwave heating process. When the microwave heating method was synthesized,. the particle size was very small and the particles tended to agglomerate. However, as the heating time increased, the particle size increased and the agglomeration decreased. The emission spectrum exhibited a weak band for $^5D_0{\longrightarrow}^7F_1$ at 594.91 and 602.3 nm and strong sharp peaks at 616.7 and 620.0 nm due to the $^5D_0{\longrightarrow}^7F_2$ transition of $Eu^{3+}$. Microwave heating synthesis can provide a product without long time heating as well as good homogeneous distribution of activators.

Bi와 Eu이 도핑된 yttrium oxide의 white LED용 적색 형광체 발광 특성

박우정,정몽권,윤석규,윤대호,Park, W.J.,Jung, M.K.,Yoon, S.G.,Yoon, D.H. 한국결정성장학회 2006 韓國結晶成長學會誌 Vol.16 No.3

본 연구에서는 장파장 UV 영역하에서 비교적 우수한 발광강도를 가지는 적색 형광체를 얻기 위하여 고상법으로 합성하여 발광특성을 관찰하였다. 발광 피크는 581, 587, 593nm의 약한 발광 peak과 611 nm의 최대 peak을 관찰 할 수 있는데 이들 중 581, 587, 593nm의 peak들은 $^5D_0{\rightarrow}^7F_1$로의 전자천이에 기인하는 발광 peak들이며, 611 nm의 최대 발광 peak과 630nm의 약한 peak은 $^5D_0{\rightarrow}^7F_2$로의 전자 천이에 기인하는 발광 peak들이다. 또한 합성된 적색 형광체는 $310{\sim}390nm$의 broad한 흡수피크를 나타낸다. 또한 융제를 0.43mo1% $H_3BO_3$와 2.08mo1% $BaCl_2{\cdot}2H_2O$를 첨가한 입자 크기는 $700{\sim}800nm$로 매우 균일하게 성장되었다. The red emission properties of $Bi^{3+}$ co-doped $Y_2O_3:Eu^{3+}$ prepared by the solid-state reaction was investigated, in order to verify its potential to act as the red emitting phosphor of white LEDs. The emission spectrum consisted of a weak band at 581, 587, 5931 and 599 nm, with maximum sharp peaks occurring at about 611 nm due to the $^5D_0{\rightarrow}^7F_2$ transition of $Eu^{3+}$, while the excitation spectrum exhibited a broad band between 290 and 430 mm with peaks occurring in the range of $310{\sim}390nm$. Also, SEM image of the sample containing 0.43 mol% $H_3BO_3$ and 2.08 mol% $BaCl_2{\cdot}2H_2O$ phosphor particles grew to achieve diameters of $700{\sim}800nm$.

부산 「한국역사교실」에 참여한 뒤

박우정 한국역사연구회 1992 한국역사연구회회보 Vol.- No.13

태풍의 대표 경로 추출 및 통과 예상지역 추정

박우정,최진무,홍성연 국토지리학회 2016 국토지리학회지 Vol.50 No.3

The main purpose of this study was to extract representative path of typhoon and to estimate typhoon path. Typhoon data of Korea and Japan, and that of USA from 1951 to 2014 were used for estimation. The data were classified by path area and intensity of typhoon. Representative paths were extracted using classified typhoon data. Representative paths of Korea and Japan data and USA data could be distinctive on 34 hours and 42 hours before landing, respectively. Probability zones of typhoon’s representative paths were identified using Jack-Knife resampling method and estimated area of typhoon path. As a result, it was estimated that the typhoon having Chinese and West Sea’s representative path would pass through North-Central region in Korea and the typhoon having South sea’s representative path would pass wide areas covering Junnam, Kyungnam and Kyungbuk. The result of this study can be used not only as a parameter of typhoon path estimation model but for the reference of typhoon damage estimation and prevention. 본 연구는 태풍의 대표 경로를 추출하고 확률 범위를 통해 태풍 통과 예상지역을 추정하고자 하였다. 분석 자료는 1951년부터 2014년까지의 한국과 일본, 미국의 태풍 자료를 이용하였다. 태풍 경로를 세분화하기 위해 태풍의 대표 경로를 추출하기에 앞서 해역별로 5개의 이동경로와 5등급 강도로 분류하였다. 세분화된 태풍 자료를 활용하여 각 경로 지역별 태풍의 대표 경로를 추출하였다. 한국 및 일본 자료와 미국 자료의 이동경로 및 강도별 대표 경로는 각각 상륙 34시간, 42시간 전에 다른 경로들과 서로 뚜렷한 차이를 보였다. 또한 잭나이프 방법을 응용하여 태풍 대표 경로의 확률 범위와 태풍 통과 예상지역을 추정하였다. 그 결과, 중국 및 황해를 통과하는 태풍 대표경로의 경우 우리나라 중북부 지역을 통과하며, 남해를 통과하는 태풍 대표 경로의 경우 우리나라 전라남도와 경상남도, 경상북도의 넓은 범위를 통과할 것으로 추정되었다. 본 연구의 결과는 태풍의 이동경로 예측 모델에 인자로 활용될 수 있을 것이며, 태풍 피해 추정 및 방재를 위한 참고자료로 활용할 수 있을 것이다.

국내 결핵 환자의 연령별 공간적 분포에 따른 결핵 관리방안

박우정,나유경,최진무 대한지리학회 2015 대한지리학회 학술대회논문집 Vol.2015 No.11

광도파로 제작을 위한 단결정 LiNbO₃ 건식 식각 특성

박우정,양우석,이한영,윤대호,Park, Woo-Jung,Yang, Woo-Seok,Lee, Han-Young,Yoon, Dae-Ho 한국세라믹학회 2005 한국세라믹학회지 Vol.42 No.4

$LiNbO_{3}$ optical waveguide 구조를 neutral loop discharge plasma 방법으로 식각시 As과 $C\_{3}F_{8}$가 혼합된 가스 유량에 따른 식각속도와 표면조도 값의 특성을 관찰하였다. 식각 후 식각속도와 식각단면은 scanning electron microscopy로 비교 분석하였으며, 표면조도는 atomic force microscopy로 측정하였다. Ar과 $C_{3}F_{8}$가 혼합된 가스 유량비를 각각 0.1-0.5로 증가시킴에 따라 식각속도와 표면조도는 0.2에서 가장 높게 나타났으며, bias power를 증가함에 따라 300W에서 가장 우수한 식각속도와 가장 평탄한 표면 형상을 얻을 수 있었다. The etching characteristics of a $LiNbO_{3}$ optical waveguide structure have been investigated using neutral loop discharge plasma with the mixture of $C_{3}F_{8}$ and Ar and the bias power parameters. The etching rate and profile angle of optical waveguide with etching parameters were evaluated by scanning electron microscopy. Also, the etching RMS roughness was evaluated by atomic force microscopy. From the results of optimum etching conditions are the $C_{3}F_{8}$ gas flow ratio of 0.2 and the bias power of 300 W.

Helicon Wave Plasma에 의해 식각된 단결정 LiNbO3의 VYAUS GUDTKD ALC XMRTJD

박우정,양우석,이한영,윤대호 한국세라믹학회 2003 한국세라믹학회지 Vol.40 No.9

The etching characteristics of a LiNbO3 single crystal have been investigated using helicon wave plasma source with bias power and the mixture of CF4, HBr and SF6 parameters. The etching rate of LiNbO3 with etching parameters was evaluated by surface profiler. The etching surface was evaluated by atomic force microscopy (AFM). The surface morphology of the etched LiNbO3 changed with bias power and the mixture of CF4/Ar/Cl2, HBr/Ar/Cl2 and SF6/Ar/Cl2 parameters. Optimum etching conditions, considering both the surface flatness and etch rate were determined. 단결정 LINbO3를 Helicon wave plasama 방법으로 식각시 bias power와 CF4, HBr, SF6가 혼합된 gas 유량에 따른 식각 속도와 Rms roughness값의 특성을 관찰하였다. 식각된 깊이는 surface profiler로 관찰하였으며 Rms roughness값은 atomic force microscopy (AFM)으로 측정하였다. Bias power 증가함에 따라 500 W에서 가장 높은 식각 속도와 가장 평탄한 표면 형상을 얻을 수 있었으며, CF4, HBr, SF6 gas 유량을 각각 10 ~ 30 sccm 으로 증가시킴에 따라 식각 속도는 CF4, HBr, SF6 gas 유량이 10 sccm, 30 sccm, 10 sccm에서 가장 높게 나타났으며, Rms roughness값은 CF4, HBr, SF6 gas 유량이 30 sccm, 10 sccm, 30 sccm에서 가장 낮은 표면 조도를 나타내었다.

Delftia acidovorans EK2에 의한 고농도 Trichloroethylene (TCE)의 생물학적 분해 특성

박우정,이상섭,Park, Woo-Jung,Lee, Sang-Seob 한국미생물학회 2010 미생물학회지 Vol.46 No.2

본 연구에서는 성장기질로써 다양한 방향족 화합물을 첨가하여 TCE 분해 균주를 분리하고 고효율 TCE 분해 균주에 의한 고농도의 TCE 분해 특징에 대해 연구하였다. TCE에 오염된 토양 및 폐수로부터 시료를 채취하였고 성장기질로써 벤젠(Benzene), 페놀(Phenol), 에틸벤젠(Ethylbenzene), 아닐린(Aniline), 큐멘(Cumene), 톨루엔(Toluene) 등을 사용하여 TCE에 내성을 가지는 179 균주를 순수 분리하였다. 순수 분리된 균주들을 TCE 농도 30 mg/L, 성장기질 농도 0.2 g/L, $30^{\circ}C$, pH 7, 균 농도 1.0 g/L (w/v)의 호기적 조건으로 21일 동안 분해효율을 측정한 결과, 아닐린을 성장기질로 이용한 EK2 균주가 74.4%의 가장 높은 효율을 보여주었다. EK2 균주는 형태학적 특징, 생화학적 특징 및 분자적 특징을 분석한 결과 Delftia acidovorans로 동정되었다. D. acidovorans EK2의 TCE 분해는 TCE 농도 10에서 200 mg/L까지 성장 및 분해할 수 있었으나 250 mg/L 이상의 농도에서는 성장과 분해가 보이지 않았다. 저농도(1.0 mg/L) 분해 실험을 위하여 D. acidovorans EK2를 각 0.01 g/L, 0.03 g/L, 0.05 g/L로 적용한 결과, 모든 조건에서 12일 동안 99.9%의 분해효율을 보였다. 고농도(200 mg/L)를 분해하기 위한 최적 배양조건은 균 농도 1.0 g/L, 아닐린 농도 0.5 g/L, pH 7, 온도 $30^{\circ}C$로 확인되었으며, 21일 동안 호기적으로 배양 시 71.0%의 가장 높은 TCE 분해효율을 보여주었고, 분해속도는 94.7 nmol/h이었다. 결과적으로 본 연구에서 개발된 D. acidovorans EK2를 이용하여 고농도의 TCE로 오염된 토양 및 지하수의 생물학적 처리에 효율적으로 이용될 수 있을 것으로 사료된다. In this study, we isolated 179 bacterial strains using benzene, phenol, ethylbenzene, aniline, cumene, toluene as growth substrate from TCE contaminated soils and wastewaters. All the 179 strains were screened for TCE (30 mg/L) removal (growth substrate 0.2 g/L, $30^{\circ}C$, pH 7, cell biomass 1.0 g/L (w/v)) under aerobic condition for 21 days. EK2 strain using aniline showed the highest removal efficiency (74.4%) for TCE degradation. This strain was identified as Delftia acidovorans as the results of API kit, 16S rDNA sequence and fatty acid assay. In the batch culture, D. acidovorans EK2 showed the bio-degradation for TCE in the various TCE concentration (10 mg/L to 200 mg/L). However, D. acidovorans EK2 did not show the bio-degradation in the TCE 250 mg/L. D. acidovorans EK2 also show the removal efficiency (99.9%) for 12 days in the low concentration (1.0 mg/L). Optimal conditions to degrade TCE 200 mg/L were cell biomass 1.0 g/L (w/v), aniline 0.5 g/L, pH 7 and $30^{\circ}C$. Removal efficiency and removal rate by D. acidovorans EK2 strain was 71.0% and 94.7 nmol/h for 21 days under optimal conditions. Conclusion, we expect that D. acidovorans EK2 may contribute on the biological treatment in the contaminated soil or industrio us wastewater.

Helicon Wave Plasma에 의해 식각된 단결정 LiNbO₃의 표면 형상 및 특성

박우정,양우석,이한영,윤대호 한국세라믹학회 2003 한국세라믹학회지 Vol.40 No.9

단결정 LiNbO$_3$를 helicon wave plasma 방법으로 식각시 bias power와 CF$_4$, HBr, SR$_{6}$가 혼합된 gas 유량에 따른 식각 속도와 rms roughness 값의 특성을 관찰하였다. 식각된 깊이는 surface profiler로 관찰하였으며 rms roughness 값은 Atomic Force Microscopy (AFM)으로 측정하였다. Bias power 증가함에 따라 500W에서 가장 높은 식각 속도와 가장 평탄한 표면형상을 얻을 수 있었으며, CF$_4$, HBr, SF$_{6}$ gas 유량을 각각 10~30 sccm으로 증가시킴에 따라 식각 속도는 CF$_4$, HBr, SF$_{6}$ gas 유량이 10 sccm, 30 sccm, 10 sccm에서 가장 높게 나타났으며, rms roughness 값은 CF$_4$, HBr, SF$_{6}$ gas 유량이 30 sccm, 10 sccm, 30 sccm에서 가장 낮은 표면 조도를 나타내었다. The etching characteristics of a LiNbO$_3$ single crystal have been investigated using helicon wave plasma source with bias power and the mixture of CF$_4$, HBr, SF$_{6}$ gas parameters. The etching rate of LiNbO$_3$ with etching parameters was evaluated by surface profiler. The etching surface was evaluated by Atomic Force Microscopy (AFM). The surface morphology of the etched LiNbO$_3$ changed with bias power and the mixture of CF$_4$/Ar/Cl$_2$, HBr/Ar/Cl$_2$, and SF$_{6}$/Ar/Cl$_2$ parameters. Optimum etching conditions, considering both the surface flatness and etch rate were determined.