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상온 진공 분말 분사 공정을 이용한 다층 박막 소재의 제조 및 전기적 특성
류정호,안철우,김종우,최종진,윤운하,한병동,최준환,박동수,Ryu, Jung-Ho,Ahn, Cheol-Woo,Kim, Jong-Woo,Choi, Jong-Jin,Yoon, Woon-Ha,Hahn, Byung-Dong,Choi, Joon-Hwan,Park, Dong-Soo 한국전기전자재료학회 2012 전기전자재료학회논문지 Vol.25 No.8
Room temperature powder spray in vacuum process, so called Aerosol deposition (AD) is a room temperature (RT) process to fabricate thick and dense ceramic films, based on collision of solid ceramic particles. This technique can provide crack-free dense thin and thick films with thicknesses ranging from sub micrometer to several hundred micrometers with very fast deposition rates at RT. In addition, this technique is using solid particles to form the ceramic films at RT, thus there is few limitation of the substrate and easy to control the compositions of the films. In this article, we review the progress made in synthesis of piezoelectric thin/thick films, multi-layer structures, NTC thermistor thin/thick films, oxide electrode thin films for actuators or sensor applications by AD at Korea Institute of Materials Science (KIMS) during the last 4 years.
The Estimation and Comparison of Photocatalytic Activities of Different TiO2 Samples
류정호,최원용 한국화학공학회 2007 화학공학의이론과응용 Vol.10 No.1
최근 새로운 광촉매를 합성하거나 기존의 광촉매를 개질하여 높은 활성을 보인다는 연구보고가 많으나 객관적으로 신빙성이 부족한 경우가 많은데, 이는 주로 한가지의 특정물질에 대한 활성으로 보고되고 있기 때문이다. 이에 본 연구에서는, 기존에 광촉매 활성 측정을 위해 사용되고 있는 여러 화학물질군들을 이용하여 다양한 광촉매의 활성을 측정하였고, 이를 바탕으로 시험물질에 대한 광촉매 활성의 상관관계를 도출함으로써 활성평가의 객관성을 위한 기초를 제시하고자 하였다. 우선 Aromaticcompound, Organic acid, Amine, Chlorohydrocarbon의 화학물질군 내에서는 광촉매 활성의 선형적 상관관계를 얻었고, 이는 같은 구조를 가지는 물질에 대해서는 비슷한 활성을 나타냄을 의미한다. DCA,Formic acid, Iodide, AO7, SDS 등의 활성은 광촉매의 Surface area에 비례한 반면 Phenol, RhodamineB 등의 활성은 반비례하였다. 또한 시험물질들의 흡착특성 및 광촉매의 표면전위에 따라서도 상관성이 입증되었다.
공명 투과 구조의 MOCVD 성장 및 특성에 관한 연구
류정호,서광석 한국통신학회 1993 韓國通信學會論文誌 Vol.18 No.7
대기압 MOCVD방법으로 이중 장벽 구조의 공명 투과 소자를 제작하여 상온과 77K에서의 부저항 특성을 특정하였다. GaAs 양자 우물과 spacer, AIGaAs 장벽을 사용하여 성장온도를 변화시켜 공명 투과 소자를 제작한 결과 상온에서 2.35, 77K에서 15.3의 높은 peak-to-valley 전류비를 얻었다 컴퓨터 모의 실험에서는 coherent 투과만을 고려하여 peak 전류를 계산해서 실험치와 잘 일치하는 것을 알 수 있었다. AlGaAs 장벽에 InGaAs 양자 우물과 spacer를 사용하여 전자의 공급량을 증가시킨 구조에서는 상온에서 8.6KA/cm의 높은 peak 전류와 4.0의 큰 peak-to-valley 전류비를 얻었다. GaAs/AIGaAs resonant tunneling structures have been grown by atmospheric pressure MOCVD. Resonant tunneling diodes fabricated with the structure grown at 650t showed a high peak-to-valley (P/V) current ratio of 2.35 at room temperature. P/V current ratio increased to 15.3 at 77K. Numerically calculated peak current agrees well with the experimental result. Resonant tunneling diodes with AIGaAs as a barrier and InGaAs as a quantum well and a spacer layer yielded a high P/V current ratio of 4.0 and a peak current density of 8.6KA/c# at room temperature because of increased carrier supply.