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RF Magnetron Sputtering 법으로 제조된 AIN 박막에 관한 연구
남창길(C. K. Nam),최승우(S. W. Choi),천희곤(H. G. Chun),조동율(T. Y. Cho) 한국진공학회(ASCT) 1997 Applied Science and Convergence Technology Vol.6 No.1
반응성 RF 스퍼터링 장치에 반응성 질소와 작업가스 아르곤을 동시에 주입하면서 Al을 스퍼터링 하여 AlN 박막을 형성하였다. poIycarbonate 기판이나 이 디스크 표면 위의 micron 크기의 pregroove 형태에 손상이 일어나지 않을 정도의 저온을 유지키 위하여 플라즈마(pIasma) 자체 온도(100℃이하)로 가열하면서 Silicon과 glass 기판 위에 AlN 박막을 증착시켰다. 여러 증착변수 변화에 따른 박막의 결정성, 단면형상 및 굴절율의 변화 등을 분석하였다. AlN thin films were deposited on silicon and glass substrates by sputtering Al target and introducing mixed gases of argon and nitrogen into reactive RF magnetron sputter. The substrate was not heated to protect the PC (polycarbonate) substrate and the micro-sized pregroove morphology on the surface of PC substrate. But its temperature was around 100℃ due to the self-heating by plasma. The crystallinity, cross-section morphology and refractive index were characterized by changing various deposition parameters.
300㎜ 웨이퍼용 식각 장비에서 안테나에 의한 플라즈마 균일도 모델링
양원균,주정훈,남창길 한국표면공학회 2010 한국표면공학회 학술발표회 초록집 Vol.2010 No.11
300㎜ 웨이퍼 공정용 식각 장비에서 안테나 구조에 따른 기판 표면에서의 전자 온도, 전자 밀도의 불균일도에 대해서 모델링 했다. 유도결합 플라즈마 안테나에는 27.12 ㎒를 사용하고, 플라즈마 흡수 전력은 2 ㎾로 고정하였다. 안테나는 기본적으로 inner와 outer가 있는 2 turn parallel이 두 층으로 되어 있는 구조이다. 다양한 안테나 구조에서 10 mTorr의 압력에서 안테나의 inner turn과 outer turn의 전류비를 1:1로 했을 때, 기판 표면에서 0.12%의 전자 온도, 3.95%의 전자 밀도의 불균일도를 얻었다.
dual frequency ICP에서의 Frequency 조합과 capacitance 변화에 따른 SiO₂및 poly-Si 식각 특성
김진호,김희대,이내응,허승희,장기명,남창길,손종원 한국표면공학회 2007 한국표면공학회 학술발표회 초록집 Vol.2007 No.-
2개의 주파수가 인가된 유도결합 플라즈마(ICP)를 이용하여 주파수 조합(13.56 or 27.12/2MHz)과 안테나의 캐패시턴스 변화에 따른 SiO₂와 poly-Si 의 식각특성을 연구하였다. 본 실험의 결과로, 27.12 MHz에서 plasma density가 높다는 것과 13.56 MHz에서 center high profile이 쉽게 형성됨을 알 수 있었다. SiO₂식각에서는 non-uniformity와 etch rate모두 27.12 MHz가 13.56 MHz 보다 높다는 것을 알 수 있었고, poly-Si 식각에서는 non-uniformity와 etch rate모두 비슷한 경향을 나타낸다는 것을 알 수 있었다.