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에피층 농도 변화에 따른 Multi-RESURF SOI LDMOSFET의 전기적 특성 분석
김형우,서길수,방욱,김기현,김남균,Kim, Hyoung-Woo,Seo, Kil-Soo,Bahng, Wook,Kim, Ki-Hyun,Kim, Nam-Kyun 한국전기전자재료학회 2006 전기전자재료학회논문지 Vol.19 No.9
In this paper, we analyzed the breakdown voltage and on-resistance of the multi-RESURF SOI LDMOSFET as a function of epi-layer concentration. P-/n-epi layer thickness and doping concentration of the proposed structure are varied from $2{\sim}5{\mu}m\;and\;1\{times}10^{15}/cm^{3}^{\sim}9\{times}10^{15}/cm^{3}$ to find optimum breakdown voltage and on-resistance of the proposed structure. The maximum breakdown voltage of the proposed structure is $224\;V\;at\;R_{on}=0.2{\Omega}-mon^{2}\;with\;P_{epi}=3\{times}10^{15}/cm^{3},\;N_{epi}=7\{times}10^{15}/cm^{3}\;and\;L_{epi}=10{\mu}m$. Characteristics of the device are verified by two-dimensional process simulator ATHENA and device simulator ATLAS.
표면 도핑 기법을 사용한 SOI RESURF LDMOSFET의 항복전압 및 온-저항 특성 분석
김형우,김상철,방욱,강인호,김기현,김남균,Kim Hyoung-Woo,Kim Sang-Cheol,Bahng Wook,Kang In-Ho,Kim Kl-Hyun,Kim Nam-Kyun 한국전기전자재료학회 2006 전기전자재료학회논문지 Vol.19 No.1
In this paper, breakdown voltage and on-resistance characteristics of the surface doped SOI RESURF LDMOSFET were investigated as a function of surface doping depth. In order to verify the variation of characteristics, two-dimensional device simulation was carried out. Breakdown voltage of the proposed structure is varied from $73 {\~}138V$ while surface doping depth varied from $0.5{\~}2.0{\mu}m$. And on-resistance is decreased from $0.18{\~}0.143{\Omega}/cm^2$ while surface doping depth increased from $0.5 {\~}2.0{\mu}m$. Maximum breakdown voltage of the proposed structure is 138 V at $1.5{\mu}m$ depth of surface doping, yielding $22.1\%$ of improvement of breakdown voltage in comparison with that of the conventional SOI RESURF LDMOSFET with same epi-layer concentration. On-resistance characteristic is also improved about $21.7\%$.
AM3359 마이크로프로세서 기반 임베디드 시스템 설계 및 제작
김형우,김세준,최준영,Kim, Hyoung-Woo,Kim, Se-Jun,Choi, Joon-Young 대한임베디드공학회 2017 대한임베디드공학회논문지 Vol.12 No.2
We develop an embedded system to measure various sensor data, control multiple motors, and communicate with mobile devices for system managements. Choosing TI AM3359 microprocessor featuring high processing performance, low power consumption, and various I/O device support, we design and build the embedded system hardware so that it supports multiple global positioning system (GPS) and gyro sensor modules to measure precise position; multiple pulse width modulation (PWM) outputs to control multiple direct current (DC) motors; a Bluetooth module to communicate with mobile devices. Then, we port the boot loader and device drivers to the built circuit board and construct the firmware development environment for the application programming. The performance of the designed and implemented embedded system is demonstrated by real motor control test using GPS and gyro sensor data and control parameters configured by a mobile device.
TMS320F28388D Configurable Logic Block 기반 BiSS-C 엔코더 마스터 인터페이스
김형우(Hyoung-Woo Kim),홍지태,이창혁,송민철,김홍주 대한전기학회 2021 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2021 No.10
본 논문에서는 TMS320F28388D의 CLB(Configurable Logic Block)을 기반으로 위치 관리자(Position Manager) 기술을 이용한 BiSS-C 엔코더 마스터 인터페이스의 활용성에 대하여 기술한다. TMS320F28388D의 위치 관리자 기술은 BiSS-C, Endat 2.1/2.2 등 다양한 위치 센서 인터페이스에 대한 통합 솔루션 포함하는 기술로써, 외부 FPGA(Field Programmable Gate Array) 또는 ASIC(Application-Specific Integrated Circuit) 없이 MCU(Micro Controller Unit) 내 탑재된 모듈 기능만을 이용한 단일칩 솔루션 기반의 다양한 위치 센서 인터페이스 마스터 솔루션을 제공한다. CLB를 활용한 위치 관리자 기술 기반의 BiSS-C 마스터 인터페이스는 BiSS-C 인코더 인터페이스를 활용하기 위한 유연하고 비용 효율적 플랫폼으로 볼 수 있으며, 서보 모터 제어 등 다양한 BiSS-C 엔코더 인터페이스 기반 애플리케이션에 최적화 되어었다고 볼 수 있다. 본 논문에서는 TMS320F28388D BiSS-C 인코더 마스터 인터페이스 하드웨어 및 소프트웨어를 구현하여 2.2kW급 산업용 SPMSM(Surface-Mounted Permanent Magnet Synchronous Motor) 속도 제어 어플리케이션에 적용해봄으로써 TMS320F28388D 기반 BiSS-C 마스터 인터페이스의 산업 현장에서의 활용성을 확인하였다.
김형우(Hyoung-Woo Kim),오재규(Jae-Kue Oh),박성경(Sung-Kyung Park),이화영(Hwa-Young Lee),원지현(Ji-Hyun Won),강지은(Ji-Eun Kang),김의명(Eui-Myoung Kim) 대한공간정보학회 2010 한국공간정보학회 학술대회 Vol.2010 No.1
지구온난화와 교통 문제가 대두됨에 따라 자전거의 필요성이 증가하여 자전거 이용자에게 편리하고 다양한 정보를 제공하는 서비스가 필요하다. 본 연구는 자전거이동경로의 GPX파일자료를 얻어 자전거 이용자들에게 시각적인 정보를 제공하고, 이동경로확인과 운동량을 분석하는 시스템을 구축하였다.
표면 전하에 의한 Thyristor 소자의 차단전압 및 누설전류특성 연구
金亨宇(Hyoung-Woo Kim),徐吉洙(Kil-Soo Seo),房煜(Wook Bahng),金起鉉(Ki-Hyun Kim),金南均(Nam-Kyun Kim) 대한전기학회 2006 전기학회논문지C Vol.55 No.1
In high-voltage devices such as thyristor, beveling is mostly used junction termination method to reduce the surface electric field far below the bulk electric field and to expand the depletion region thus that breakdown occurs in the bulk of the device rather than at the surface. However, coating material used to protect the surface of the device contain so many charges which affect the electrical characteristics of the device. And device reliability is also affected by this charge. Therefore, it is needed to analyze the effect of surface charge on electrical characteristics of the device. In this paper, we analyzed the breakdown voltage and leakage current characteristics of the thyristor as a function of the amount of surface charge density. Two dimensional process simulator ATHENA and two-dimensional device simulator ATLAS is used to analyze the surface charge effects.