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      • 인공 유방 확대술을 받은 환자의 유방암 치료 시 크기에 따른 반대 측 유방의 피폭 선량 및 차폐 효율 평가

        김종욱,우헌,정현학,김경아,김찬용,유숙현,Kim, Jong Wook,Woo, Heon,Jeong, Hyeon Hak,Kim, Kyeong Ah,Kim, Chan Yong,Yoo, Suk Hyun 대한방사선치료학회 2014 대한방사선치료학회지 Vol.26 No.2

        목 적 : 인공 유방 확대술을 받은 환자가 유방암 방사선치료를 받을 경우 유방의 크기별로 치료 조사야와의 거리에 따른 치료반대 측 유방조직에 피폭되는 선량 및 차폐의 효율성을 평가해 보고자 한다. 대상 및 방법 : 인체팬텀(Rando-phantom)을 이용하여 유방 모형의 크기별 (200 cc ~ 500 cc) CT영상을 획득한 후 크기 별로 일 선량 180 cGy의 왼쪽 유방암 방사선 치료계획을 세웠다. 유방 모형이 커질수록 치료 반대 측 유방모형의 표면과 X선의 진행지점 사이에 발생하는 거리가 가까워지게 설정하였고, 체표에 입사하는 선속중심축을 기준으로 3 cm, 6 cm 떨어진 점에서 반대측 유방 표면에 수직으로 내린 거리를 각 A point, B point로 설정하였다. 그리고 유두지점에서 외측으로 2 cm 되는 점을 C point, 체표중앙에서 외측으로 6 cm 되는 점을 D point로 설정하였다. 유방 모형의 크기별로 각 측정지점에 MOSFET을 부착하여 6 MV, 10 MV, 15 MV의 X선 에너지로 조사하여 측정하였다. 이와 동일한 조건으로 납 2 mm의 두께로 차폐한 후의 선량 값과 납 2 mm 아래에 bolus 3 mm를 부착하여 차폐한 후의 선량 값을 얻었다. 결 과 : 유방 모형이 200 cc에서 500 cc로 커짐에 따라 유방 모형의 표면과 X선의 진행지점과의 거리가 A point에서는 2.14 cm에서 최대 1.23 cm으로 근접하였고 B point에서는 2.55 cm에서 1.31 cm으로 근접하였다. 유방 모형의 크기에 따라 180 cGy 기준으로 200 cc 대비 500 cc의 산란선 측정값이 A point에서 3.22 ~ 4.17%, B point에서 4.06 ~ 6.22%, C point는 0.4~0.5% 증가하였고, D point에서는 크기별로 측정값의 차이가 0.4% 미만이었다. X선 에너지가 커짐에 따라 6 MV 대비 15 MV X선에서 180cGy 기준으로 산란선이 A point에서는 4.06~5%, B point에서는 2.85~4.94%, C point에서는 0.74~1.65% 증가하였고, D point에서는 측정값 차이가 0.4% 미만이었다. 차폐체로 납 2 mm를 사용하였을 경우 A와 B point에서 평균 9.74%, C point에서 2.8%, D point에서 1% 미만의 산란선 감소효과가 있었고, 납과 bolus를 함께 차폐하였을 경우 A와 B point에서 평균 9.76%, C point에서 2.2%, D point에서 1% 미만의 산란선 감소효과가 있었다. 결 론 : 일반적으로 인공 유방 확대술을 받은 환자의 경우 유방의 크기에 따라 치료 반대편 유방 표면과 치료조사야의 거리가 가까울수록 유방 표면이 받는 산란선이 증가하였다. 동일한 크기의 유방 모형에서는 사용 X선 에너지가 커질수록 산란선에 의한 피폭이 증가하는 경향을 보였고, 이는 사용 X선의 에너지 선택에 있어 유방암의 방사선 치료계획에서 허용되는 한도에서는 낮은 X선 에너지의 사용이 반대측 유방의 선량 감소에 유리할 것으로 여겨진다. Purpose : To evaluate the dose on a contralateral breast and the usefulness of shielding according to the distance between the contralateral breast and the side of the beam by breast size when patients who got breast implant receive radiation therapy. Materials and Methods : We equipped 200 cc, 300 cc, 400 cc, and 500 cc breast model on the human phantom (Rando-phantom), acquired CT images (philips 16channel, Netherlands) and established the radiation treatment plan, 180 cGy per day on the left breast (EclipseTM ver10.0.42, Varian Medical Systems, USA) by size. We set up each points, A, B, C, and D on the right(contralateral) breast model for measurement by size and by the distance from the beam and attached MOSFET at each points. The 6 MV, 10 MV and 15 MV X-ray were irradiated to the left(target) breast model and we measured exposure dose of contralateral breast model using MOSFET. Also, at the same condition, we acquired the dose value after shielding using only Pb 2 mm and bolus 3 mm under the Pb 2 mm together. Results : As the breast model is bigger from 200 cc to 500 cc, The surface of the contralateral breast is closer to the beam. As a result, from 200 cc to 500 cc, on 180 cGy basis, the measurement value of the scattered ray inclined by 3.22 ~ 4.17% at A point, 4.06 ~ 6.22% at B point, 0.4~0.5% at C point, and was under 0.4% at D point. As the X-ray energy is higher, from 6 MV to 15 MV, on 180 cGy basis, the measurement value of the scattered ray inclined by 4.06~5% at A point, 2.85~4.94% at B point, 0.74~1.65% at C point, and was under 0.4% at D point. As using Pb 2 mm for shield, scattered ray declined by average 9.74% at A and B point, 2.8% at C point, and is under 1% at D point. As using Pb 2 mm and bolus together for shield, scattered ray declined by average 9.76% at A and B point, 2.2% at C point, and is under 1% at D point. Conclusion : Commonly, in case of patients who got breast implant, there is a distance difference by breast size between the contralateral breast and the side of beam. As the distance is closer to the beam, the scattered ray inclined. At the same size of the breast, as the X-ray energy is higher, the exposure dose by scattered ray tends to incline. As a result, as low as possible energy wihtin the plan dose is good for reducing the exposure dose.

      • KCI등재

        RF 파워에 따라 스퍼터된 Al doped ZnO 박막의 구조적, 광학적, 전기적 특성

        김종욱,김덕규,김홍배,Kim, Jong-Wook,Kim, Deok-Kyu,Kim, Hong-Bae 한국전기전자재료학회 2011 전기전자재료학회논문지 Vol.24 No.3

        We have studied structural, optical, and electrical properties of the Al-doped ZnO (AZO) thin films being usable in transparent conducting oxides. The AZO thin films were deposited on the corning 1737 glass plate by the RF magnetron sputtering system. To find optimal properties of AZO for transparent conducting oxides, the RF power in sputtering process was varied as 40 W, 60 W, and 80 W, respectively. As RF power increased, the crystallinity of AZO thin film was decreased, the optical bandgap of AZO thin film increased. The transmittance of the film was over 80% in the visible light range regardless of the changes in RF power. The measurement of Hall effect characterizes the whole thin film as n-type, and the electrical property was improved with increasing RF power. The structural, optical, and electrical properties of the AZO thin films were affected by Al dopant content in AZO thin film.

      • 다층 InAs 양자점을 이용한 장파장 적외선 수광소자에 관한 연구

        김종욱,오재응,홍성철,Kim, Jong-Wook,Oh, Jae-Eung,Hong, Seong-Chul 대한전자공학회 2000 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.37 No.8

        Long-wavelength infrared (LWIR) detectors made of self-assembled quantum dots embedded in the channel region of high electron mobility transistor (HEMT) is demonstrated. Above 180 K, the detector shows low dark currents due to strong confinement effect of electrons in InAs quantum dots and exhibits the broad spectral response ranging from 7 mm to 11 mm. The peak detectivity ($D^*$) of $1.93{\times}10^{10}cmHz^{1/2}/W$ is obtained at 9.4 mm. The photocurrent characteristics as a function of applied bias are similar to that of normal FETs, while the photocurrent decreases as the applied electric field exceeds $2{\times}10^3V/cm$ because of the increased dark current. 분자선결정성장법을 이용하여 자기구성 양자점들을 high electron mobility transistor (HEMT)의 체널 영역에 삽입하여, 양자점내의 inter-subband transition을 이용한 전파장 적외선 수광소자를 제작하였다. 제작된 소자는 180 K 이상의 온도에서 InAs 양자점의 전자에 대한 강한 구속력으로 인해 낮은 암전류 특성을 보이며 7${\mu}m$에서 11${\mu}m$까지의 넓은 수광영역을 나타내었다. 9.4${\mu}m$에서 peak 광전류가 검출되었으며 이때의 검출율은 $1.93{\times}10^{10}cmHz^{1/2}/W$ 였다. 장파장 적외선 검출에 따른 광전류는 가해진 전압에 대하여 전계효과트랜지스터와 같은 전류-전압 특성을 가지며, 인가된 전압이 증가함에 따라 증가된 암전류에 의하여 광전류가 감소하는 특성을 보여주고 있다.

      • 고전압과 고전력 응용을 위한 $Al_{0.3}Ga_0.7N/GaN$ 이종접합 전계효과 트랜지스터의 제작 및 특성에 관한 연구

        김종욱,이재승,김창석,정두찬,이재학,신진호,Kim, Jong-Wook,Lee, Jae-Seung,Kim, Chang-Suk,Jeong, Doo-Chan,Lee, Jae-Hak,Shin, Jin-Ho 대한전자공학회 2001 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.38 No.8

        분자선 결정 성장법을 이용하여 성장된 서로 다른 장벽층의 두께를 갖는 $Al_{0.3}Ga_{0.7}N$ heterojunction field effect transistors (HFETs) 를 제작하여 그 특성을 비교, 관찰하였다. $Al_{0.3}Ga_{0.7}N$층의 두께에 따른 특성의 비교로부터 최적의 2 차원 전자개스 (2 dimensional electron gas) 를 가질 수 있는 $Al_{0.3}Ga_{0.7}N$/GaN HFET 소자 구조를 얻을 수 있었다. $L_g=0.6$ ${\mu}m$ 와 $W_g=34\;{\mu}m$ $Al_{0.3}Ga_{0.7}N$/GaN (20 nm/2 mm) HFET에서 Imax ($V_{gs}=1\;V$) 와 $G_{m,maX}$는 각각 1.155 A/mm 및 250ms/${\mu}m$ 이었으며 $F_t=13$ GHz 와 $F_{max}=48$ GHz의 우수한 고주파 특성을 얻을 수 있었고 2 inch 기판상에서 제작된 소자들은 5% 이하의 매우 균일한 DC 특성을 나타내었다. 이와 더불어 게이트-드레인 간의 간격에 따른 소자의 특성을 관찰함으로서 소자의 항복전압과 고주파 특성과의 상관관계를 고찰하였다. We report on the fabrication and characterization of $Al_{0.3}Ga_{0.7}N$ HFETs with different barrier layer thickness which were grown using plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE). The barrier thickness of $Al_{0.3}Ga_{0.7}N$/GaN HFETs could be optimized in order to maximize 2 dimensional electron gas induced by piezoelectric effect without the relaxation of $Al_{0.3}Ga_{0.7}N$ layer. $Al_{0.3}Ga_{0.7}N$/GaN (20 nm/2 mm) HFET with 0.6 ${\mu}m$-long and 34 ${\mu}m$-wide gate shows saturated current density ($V_{gs}=1\;V$) of 1.155 A/mm and transconductance of 250 ms/mm, respectively. From high frequency measurement, the fabricated $Al_{0.3}Ga_{0.7}N$/GaN HFETs showed $F_t=13$ GHz and $F_{max}=48$ GHz, respectively. The uniformity of less than 5% could be obtained over the 2 inch wafer. In addition to the optimization of epi-layer structure, the relation between breakdown voltage and high frequency characteristics has been examined.

      • KCI등재

        기성 지대주와 맞춤형 CAD-CAM 지대주의 적합 및 나사 안정성 비교

        김종욱,허유리,김희중,정재헌,Kim, Jong-Wook,Heo, Yu-Ri,Kim, Hee-Jung,Chung, Chae-Heon 대한치과보철학회 2013 대한치과보철학회지 Vol.51 No.4

        연구 목적: 본 연구에서는 기성 지대주와 맞춤형CAD-CAM 지대주의 적합성 및 나사 사이의 안정성 대해 알아보고자 한다. 연구 재료 및 방법: 오스템 임플란트 시스템을 이용하였다. 동일회사에서 제작된 기성 지대주(Transfer abutment, Osstem Implant Co. Ltd, Busan, Korea) 및 맞춤형CAD-CAM 지대주(CustomFit abutment, Osstem Implant Co. Ltd, Busan, Korea)와 국내 외주 제작된 맞춤형CAD-CAM 지대주(Myplant, Raphabio Co., Seoul, Korea)를 5개씩 선택, 제작하였으며 나사는 각 회사에서 제공되는 것을 사용하였다. 제조사의 지시에 따라 고정체와 지대주를 30 Ncm으로 조인 후 초기 풀림 토크를 3회 반복 측정한 후 통계 분석하였다(${\alpha}=.05$). 고정체-지대주 연결체를 에폭시 레진에 매몰 후 습식 절삭 및 연마하여 계면 사이의 적합성을 FE-SEM으로 관찰하였다. 결과: 지대주의 초기 풀림 토크 값은 각각 기성 지대주(Transfer abutment)에서 $26.0{\pm}0.30Ncm$, 동일 회사에서 제작된 맞춤형CAD-CAM 지대주(CustomFit abutment)에서 $26.3{\pm}0.32Ncm$, 외주로 제작된 맞춤형CAD-CAM 지대주(Myplant abutment)에서 $24.7{\pm}0.67Ncm$였다. 국내 외주 제작된 맞춤형CAD-CAM 지대주에서 유의적으로 낮은 초기 풀림 토크 값을 보였으며(P=.027), 고정체-지대주 계면에서 변연 간극이 관찰되었다. 결론: 본 실험의 한계 내에서 국내 외주 제작된 맞춤형CAD-CAM 지대주는 동일 회사에서 제작된 기성 지대주나 맞춤형CAD-CAM 지대주에 비해 더 낮은 나사 안정성 및 적합성을 보인다고 볼 수 있다. Purpose: The purpose of this study was to investigate the fit and screw joint stability between Ready-made abutment and CAD-CAM custom-made abutment. Materials and methods: Osstem implant system was used. Ready-made abutment (Transfer abutment, Osstem Implant Co. Ltd, Busan, Korea), CAD-CAM custom-made abutment (CustomFit abutment, Osstem Implant Co. Ltd, Busan, Korea) and domestically manufactured CAD-CAM custom-made abutment (Myplant, Raphabio Co., Seoul, Korea) were fabricated five each and screws were provided by each company. Fixture and abutments were tightening with 30Ncm according to the manufacturer's instruction and then preloding reverse torque values were measured 3 times repeatedly. Kruskal-Wallis test was used for statistical analysis of the preloading reverse torque values (${\alpha}=.05$). After specimens were embedded into epoxy resin, wet cutting and polishing was performed and FE-SEM imaging was performed, on the contact interface. Results: The pre-loading reverse torque values were $26.0{\pm}0.30Ncm$ (ready-made abutment; Transfer abutment) and $26.3{\pm}0.32Ncm$ (CAD-CAM custom-made abutment; CustomFit abutment) and $24.7{\pm}0.67Ncm$ (CAD-CAM custom-made abutment; Myplant). The domestically manufactured CAD-CAM custom-made abutment (Myplant abutment) presented lower pre-loading reverse torque value with statistically significant difference than that of the ready-made abutment (Transfer abutment) and CAD-CAM custom-made abutment (CustomFit abutment) manufactured from the same company (P=.027) and showed marginal gap in the fixture-abutment interface. Conclusion: Within the limitation of the present in-vitro study, in domestically manufactured CAD-CAM custom-made abutment (Myplant abutment) showed lower screw joint stability and fitness between fixture and abutment.

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