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I-V 장치 특성 및 I-V 장치를 이용한 ZnO 나노막대의 전기적 특성 연구
김정란 ( Zhen Lan Jin ),박창인 ( C. I. Park ),김병혁 ( B. H. Kim ),한상욱 ( S. W. Han ) 전북대학교 과학교육연구소 2010 과학과 과학교육 논문지 Vol.35 No.-
수직으로 배열이 잘 된 ZnO 나노막대는 metal organic chemical vapor deposition방법을 이용하여 Al2O3(0001)기판 위에 생장시킨 후 질소이온을 주입하여 400 ℃에 열처리하였다. ZnO 나노막대의 전기적 특성은 I-V 장비를 이용하여 측정하였다. I-V 장비는 매우 미세한 전류를 측정할 수 있는 장비로서 주위 환경의 안정성 그리고 측정 시 두 팁사이의 거리, 팁이 샘플에 주는 압력, 인가한 전압의 크기 및 팁의 지름의 크기와 매우 밀접한 관계가 있음을 볼 수 있었다. ZnO 나노막대의 전기적 특성을 측정한 결과 ohmic contact 현상이 발생하였음을 알 수 있었다. We have synthesized vertically aligned ZnO nanorods by metal organic chemical vapor deposition on Al2O3(0001) substrate. We implanted N+ to vertically aligned ZnO nanorods and annealed at different temperatures. The electrical property of Zno nanorods was measured by using I-V measurements. I-V systems is very sensitive with around condition, between two tips distance, pressure of tip for the sample, source range of electric field and used tip diameter at measurement. We observed that ZnO nanorods showed ohmic contact.