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        Direct Wafer Bonding법에 의한 InP 기판과 $\textrm{Si}_3\textrm{N}_4$/InP의 접합특성

        김선운,신동석,이정용,최인훈,Kim, Seon-Un,Sin, Dong-Seok,Lee, Jeong-Yong,Choe, In-Hun 한국재료학회 1998 한국재료학회지 Vol.8 No.10

        n-InP(001)기판과 PECVD법으로 ${Si}_3N_4$(200nm)막이 성장된 InP 기판사이의 direct wafer bonding을 분석하였다. 두 기판을 접촉시켰을 때 이들 사이의 결합력에 크게 영향을 주는 표면 상태를 접촉각 측정과 AFM을 통해서 분석하였다. InP 기판은 $50{\%}$ 불산용액으로 에칭하였을 때 접촉각이 $5^{\circ}$, RMS roughness는 $1.54{\AA}$이었다. ${Si}_3N_4$는 암모니아수 용액으로 에칭하였을 때 RMS roughness가 $3.11{\AA}$이었다. Inp 기판과 ${Si}_3N_4$/InP를 각각 $50{\%}$ 불산 용액과 암모니아수 용액에 에칭한 후 접촉시켰을 때 상당한 크기의 초기 겹합력을 관찰할 수 있었다. 기계적으로 결합된 시편을 $580^{\circ}C$-$680^{\circ}C$, 1시간동안 수소 분위기와 질소분우기에서 열처리하였다. SAT(Scanning Acoustic Tomography)측정으로 두 기판 사이의 결합여부를 확인하였다. shear force로 측정한 InP 기판과 ${Si}_3N_4$/InP사이의 결합력은 ${Si}_3N_4$/InP 계면의 결합력만큼 증가되었다. TEM과 AES를 이용해서 di-rect water bonding 계면과 PECVD계면을 분석하였다. The direct wafer bonding between n-InP(001) wafer and the ${Si}_3N_4$(200 nm) film grown on the InP wafer by PECVD method was investigated. The surface states of InP wafer and ${Si}_3N_4$/InP which strongly depend upon the direct wafer bonding strength between them when they are brought into contact, were characterized by the contact angle measurement technique and atomic force microscopy. When InP wafer was etched by $50{\%}$ HF, contact angle was $5^{\circ}$ and RMS roughness was $1.54{\AA}$. When ${Si}_3N_4$ was etched by ammonia solution, RMS roughness was $3.11{\AA}$. The considerable amount of initial bonding strength between InP wafer and ${Si}_3N_4$/InP was observed when the two wafer was contacted after the etching process by $50{\%}$ HF and ammonia solution respectively. The bonded specimen was heat treated in $H^2$ or $N^2$, ambient at the temperature of $580^{\circ}C$-$680^{\circ}C$ for lhr. The bonding state was confirmed by SAT(Scannig Acoustic Tomography). The bonding strength was measured by shear force measurement of ${Si}_3N_4$/InP to InP wafer increased up to the same level of PECVD interface. The direct wafer bonding interface and ${Si}_3N_4$/InP PECVD interface were chracterized by TEM and AES.

      • 급성 골수성 백혈병의 자연 완전 관해 1예

        김선운,김희,박성재,최경환,김양욱,주영돈,손창학 인제대학교 1999 仁濟醫學 Vol.20 No.1

        급성 골수성 백혈병의 자연 완전 관해는 매우 드문 현상으로 1980년대 이후로 전 세계적으로 20예 이하로 보고되고 있다. 저자 등은 급성 골수성 백혈병(AML, M5b)으로 진단된 55세 남자 환자에서 병발된 급성 췌장염, 급성 후두개염으로 인해 전신화학 요법을 연기하는 도중 자연 완전 관해된 1예를 경험하였기에 문헌 고찰과 함께 보고하는 바이다. Spontaneous complete remission of acute myeloid leukemia are extremely rare. It is an uncommon variant of the natural course of acute myeloid leukemia in the adult. The pathophysiologic features are still unclear, but most of cases were related either to the infections, transfusions or termination of pregnancy. The duration of spontaneous remission was relatively short and then relapsed after several months. This case is highly representative of the potential antileukemic activity of the human immune system by a probable consequence of the profound immunologic modifications. It encourages the development of immunological therapeutic strategies in patients with acute myeloid leukemia. We have experienced a case of acute myeloid leukemia with spontaneous complete remission, which was combined to concurrent acute pancreatitis and epiglottitis. There is no previous case report in Korea, so we report this case with the brief review of the literature.

      • KCI등재

        Patterned substrate을 이용하여 MOCVD법으로 성장된 고효율 질화물 반도체의 광특성 및 구조 분석

        김선운,김제원,Kim, Sun-Woon,Kim, Je-Won 한국재료학회 2005 한국재료학회지 Vol.15 No.10

        GaN-related compound semiconductors were grown on the corrugated interface substrate using a metalorganic chemical vapor deposition system to increase the optical power of white LEDs. The patterning of substrate for enhancing the extraction efficiency was processed using an inductively coupled plasma reactive ion etching system and the surface morphology of the etched sapphire wafer and that of the non-etched surface were investigated using an atomic force microscope. The structural and optical properties of GaN grown on the corrugated interface substrate were characterized by a high-resolution x-ray diffraction, transmission electron microscopy, atomic force microscope and photoluminescence. The roughness of the etched sapphire wafer was higher than that of the non-etched one. The surface of III-nitride films grown on the hemispherically patterned wafer showed the nano-sized pin-holes that were not grown partially. In this case, the leakage current of the LED chip at the reverse bias was abruptly increased. The reason is that the hemispherically patterned region doesn't have (0001) plane that is favor for GaN growth. The lateral growth of the GaN layer grown on (0001) plane located in between the patterns was enhanced by raising the growth temperature ana lowering the reactor pressure resulting in the smooth surface over the patterned region. The crystal quality of GaN on the patterned substrate was also similar with that of GaN on the conventional substrate and no defect was detected in the interface. The optical power of the LED on the patterned substrate was $14\%$ higher than that on the conventional substrate due to the increased extraction efficiency.

      • 급성 백혈병 관해유도요법후 발생한 다발성 비장농양 1예

        이홍기,김선운,박경동,이현성,주영돈,손창학 인제대학교 2000 仁濟醫學 Vol.21 No.1

        Splenic abscess is a rare illness. Its incidence has ranged from 0.14 to 0.7 % in various autopsies conducted in the US. Even in the most recently published articles, diagnosis was made only in autopsies in 37 % of the cases. While splenic abscess may arise occasionally from contiguous spread of infection or direct trauma to the spleen, usually it develops with hematogenous spread or infection. But, bacterial endocarditis is the most common cause. RUQ pain of abdomen developed in only half of series. Splenomegaly, fever and leucocytosis was also present. When splenic abscesses are being considered in a differential diagnosis, CT scan of the abdomen has been the most sensitive diagnostic tool. Streptococcal species are the most common bacterial isolates from splenic abscesses, S. aureus is the next most common. Salmonella species are seen commonly in patients with sickle cell hemoglobinopathy. Because of the high mortality related for splenic abscess, the treatment of choice is splenectomy with adjunctive antibiotics. However, percutaneous drainage has been successful alternative. We reported a 19-years old female patient who had splenic abscess after remission induction chemotherapy of acute leukemia, successfully treated with splenectomy.

      • Eaton-Lambert 증후군과 항이뇨 호르몬 과다 분비 증후군을 동반한 소세포 폐암 1예

        김희,김선운,김인기,이형준,김양욱,주영돈,손창학 인제대학교 1999 仁濟醫學 Vol.20 No.1

        종양수반 증후군은 암의 원발 부위 또는 전이 이의의 부위에서 발생하는 다양한 증상이라 증후를 일컬으며 진단 전에도 나타날 수 있다. 이 중 Eaton-Lambert 증후군은 드물게 나타나는 신경학적 종양수반 증후군이며, 항이뇨 호르몬 과다 분비증은 종양에 의한 항이뇨 호르몬의 이소성 분비에 의해서 생기며 이 두 가지 종양수반 증후군이 소세포 폐암에서 병발할 예는 매우 드물며 국내에서는 아직 보고된 바가 없다. 이에 저자 등은 최근 소세포 폐암으로 진단된 56세 남자 환자에서 Eaton-Lambert 증후군과 항이뇨 호르몬 과다 분비증이 동반된 1예를 경험하여 문헌 고찰과 함께 보고하는 바이다. The paraneoplastic syndrome refers to the ability of some tumors producing signs and syndromes at a distance from the site of the primary tumor or its metastasis. Eaton-Lambert syndrome has a rare neurologic menifestations and Syndrome of Inappropriate Antidiuretic Hormone (SIADH) is developed by ectopic secretion of antidiuretic hormone. The small cell lung cancer which is accompanied by above two paraneoplastic phenomenon is very rare and has not been reported in Korea. We report a case of 56-year-old male who has samll cell lung cancer accompanied by Eaton-Lambert syndrome and SIADH.

      • KCI등재후보
      • KCI등재

        저주파 초음파를 이용한 미세기포 파괴를 통한 근육조직으로의 유전자 전달 증강에 대한 연구

        이상철,정성수,김선운,임성훈,조대경,권성욱,이일,김정민,이정선,성기익,박승우,전은석,김덕경,이상훈,홍경표,박정의,서정돈 대한심장학회 2006 Korean Circulation Journal Vol.36 No.1

        Background and Objectives:The aim of this study was to investigate the value of microbubble destruction usinglow-frequency ultrasound for enhancing gene delivery to skeletal muscles of laboratory animals. Materials andMethods:Lac-Z gene was injected into 21 mouse anterior tibialis muscles. Seven muscles received the gene only,and seven each received either 20-kHz ultrasound exposure or ultrasound-PESDA (perfluorocarbon-exposedsonicated albumin) destruction, respectively, following the injection; the extent of Lac-Z expression was thencompared. Luciferase gene was injected into the muscles (N=80). The muscles were divided into two groupsaccording to the mixture; in the first group saline was used as the mixture solute, with PESDA used in the secondgroup. The groups were subdivided into two groups, one receiv 10 seconds of ultrasound at the injection site afterinjection, and the other that received no further intervention. Luciferase activities were measured and compared.Results:The proportions of Lac-Z stained cells were 0, 5.7±1.2 and 7.7±1.7%, respectively, showing a significantstepwise increase microbubble destruction (p<0.05). Luciferase activities were as follows: Luciferase only(Group 1, N=17), 5727±2178 RLU/mg; luciferase plus PESDA (Group 2, N=17), 1170±470.7 RLU/mg;luciferase plus ultrasound (Group 3, N=17), 16480±5239 RLU/mg; and luciferase plus PESDA destruction(Group 4, N=17), 49910±16500 RLU/mg. The activity in group 4 was significantly higher than in group 1(p<0.01), showing an 8.7-fold increase in gene delivery due to microbubble destruction. Conclusion:Microbubbledestruction using low-frequency ultrasound is an efficient method for increasing the efficacy of directgene delivery to skeletal muscles. (Korean Circulation J 2006;36:32-38) 배경 및 목적:유전자 요법은 난치성 허혈성 혈관질환의 치료에 효과적일 것으로 기대되고 있는 치료법이나, 전신적인 유전자 요법은 악성종양 등의 문제를 불러올 수 있고 기존의 바이러스 벡터 등은 환자에서 염증 등 이상반응을 일으킬 수 있어 더 나은 유전자 전달 방법이 강구되고 있다. 본 연구에서는 실험동물에서 저주파 초음파를 이용하여 미세기포 파괴를 유도하고 이를 통해 근육으로의 유전자 전달을 증강시키는 효과를 보고자 하였다.방 법:21개의 생쥐 하지 근육에 Lac-Z 유전자 10 μg을 주입하였다. 7개의 근육에는 유전자만을 주입하였고, 7개에는유전자 주입 후 20 kHz의 저주파 초음파를 조사하였으며나머지 7개에는 유전자와 미세기포(PESDA) 혼합액을 주입하고 초음파를 조사하였다. 이후 각 근육 조직에서 염색된세포의 분율을 측정하여 비교하였다. 이어 40마리의 생쥐양측 하지 근육에 luciferase 유전자 10 μg을 다음과 같이주입하였다. 실험동물을 4군으로 나누어 유전자만을 주입하는 군(1군), 유전자-미세기포 혼합액을 주입하는 군(2군),유전자만을 주입하고 초음파를 조사하는 군(3군), 그리고유전자와 미세기포 혼합액을 함께 주입하고 초음파를 조사하는 군(4군)으로 분류하여 주입과 조작을 실시하였다. 각하지 근육에서 luciferase 유전자 발현을 확인하여 각 군에서의 유전자 발현 정도를 비교 분석하였다. 결 과: Lac-Z 유전자로 염색된 부분은 초음파를 조사한 근육에 서만 관찰되었고 미세기포 파괴를 동반한 근육에서 증가되 는 것이 관찰되었다. 염색된 세포의 분율은 각 군에서 0%, 5.7±1.2%, 그리고 7.7±1.7%로 초음파 조사에 의해 유의 한 염색 증가가 일어났고 미세기포 파괴시에는 초음파만을 조사한 경우보다도 유의하게 증가된 분율을 보였다. Luciferase 유전자 주입시 유전자 발현 정도는 1군에서 4군까지 각각 5727±2178 RLU/mg, 1170±470.7 RLU/mg, 16480 ±5239 RLU/mg, 49910±16500 RLU/mg으로 1군에 비해 4군에서 8.7배의 유의한(p<0.01) 유전자 발현의 증가가 일 어났다. 3군에 비해서도 4군의 발현 증강은 3.0배로 역시 유의하였다(p<0.05). 1군과 2군 사이에 유의한 발현 정도 차이는 없었다. 결 론: 저주파 초음파를 이용하여 미세기포를 파괴하는 방법은 근 육으로의 국소적인 유전자 전달 증강에 효과적인 방법이다.

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