http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
깨끗한 Si(001) 표면의 buckled dimer 구조 연구 : a(2×1)과 c(4×2)
김성수(S. S. Kim),김용욱(Y. W. Kim),박노길(N. G. Park),조원석(W. S. Cho),김주영(J. Y. Kim),채근화(K. H. Chae),황정남(C. N. Whang),김기석(K. S. Kim),최대선(D. S. Choi) 한국진공학회(ASCT) 1998 Applied Science and Convergence Technology Vol.7 No.1
CAICISS장치를 이용하여 깨끗한 Si(001) 표면에서 재배열하는 dimer의 원자구조를 분석하였다. Si(001) 표면에서 dimer 원자가 확실히 buckled 되어 있음을 확인하였고, asymmetry(2×1)구조와 c(4×2)구조가 공존하고 있음을 밝혔다. dimer 원자의 결합거리는 2.3±0.1 Å이고, buckling 각은 18±1° 였다. The geometric structure of dimer atoms on clean Si(001) surface was studied using CAICISS. We confirmed that dimer atoms were certainly buckled, and also found that asymmetry (2×1) and c(4×2) were coexisted. The intradimer bond length and the buckling angle of a dimer measured by CAICISS system were 2.3±0.1 Å and 18±1°, respectively.