http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
유한 오름 시간을 갖는 음전위 펄스에서 시변환 플라즈마 덮개의 거동 연구
김곤호(Gon-Ho Kim),김영우(Young-Woo Kim),김건우(Gun-Woo Kim),한승희(Seunghee Han),홍문표(Mun-Pyo Hong) 한국진공학회(ASCT) 1999 Applied Science and Convergence Technology Vol.8 No.3(2)
플라즈마 이온주입에서 유한한 고유 오름 시간을 갖는 음전압이 펄스 형태로 평면 타겟에 인가될 때 타겟 주위로 형성되는 시 변환 플라즈마 덮개(time dependent sheath)를 관찰하였다. 이때 형성되는 시 변환 플라즈마 덮개는 서로 다른 특성을 갖는 두 개의 영역으로 구성되어 있음이 관찰되었다. 펄스 오름 시간동안에 형성되는 플라즈마 덮개는 플라즈마 밀도의 역수와 펄스 오름 비율의 루트에 비례하고 펄스 시간의 루트에는 비례하며 이온 질량에 관계없이 진행하는 이온 매트릭스 덮개의 전개가 관찰되었으며 펄스 오름 시간 이후에는 이용의 음속도에 비례하는 동적 플라즈마 덮개의 전개가 관찰되었다. It was observed that the time-dependent sheath which was formed around the planar target biased by negatively voltage pulse with a finite rise time in the plasma source ion implantation. Results show that the time-dependent sheath consisted of two parts: the ion matrix sheath development during the pulse rise time and the dynamic sheath motion after attaining the full pulse. The ion matrix sheath development which is in proportion to square root of the pulse time and the pulse rise rate over the plasma density but independent of the ion mass. The dynamic sheath propagates with approximately the ion sound speed.
최석호(Seok Ho Choi),김곤호(Gon-Ho Kim),안강호(Kang-Ho Ahn) 한국진공학회(ASCT) 1998 Applied Science and Convergence Technology Vol.7 No.3
공정 플라즈마내에서 입자의 거동은 하전되는 입자의 극성과 하전량에 따르게 된다. 따라서 본 연구에서는 플라즈마내에서 입자의 거동을 이해하기 위한 기초 작업으로 입자의 하전 특성을 측정하였다. 본 연구에 사용된 단분산 입자는 직경 0.05 ㎛, 0.07 ㎛, 0.1 ㎛, 0.2 ㎛으로 이들 입자를 DC-공기 플라즈마내에 주입하여 이들의 하전량과 하전 극성 변화를 Faraday Cup을 이용하여 측정하였다. 본 실험에서 입자의 하전량과 하전 극성은 주입 입자의 크기와 농도 및 플라즈마 발생조건 즉, 반응 압력, 전압 등에 영향을 받음을 알 수 있었으며 입자 당 10³~10^5 의 평균 하전 수를 갖음이 관찰되었다. Since the particles are highly charged in process plasmas, the dynamics of the particles are concerned principally with the effect of the charging amount and polarity. In order to investigate the charging effect of the particles in the plasmas, the known sizes of the mono-dispersed particles with 0.05 ㎛, 0.07 ㎛, 0.1 ㎛ and 0.2 ㎛ diameter are introduced into the DC air-plasmas. The characteristics of the charged particles are measured with a Faraday cup. Results show that the particle charging polarity depends on the concentrations and sizes of the particles and the condition of plasma generation, operating pressure, and power. It is also found that the number of charges per a particle is in the ranges of 10³~10^5.
정전 탐침을 이용한 유도 결합형 반응기에서 발생하는 산소 플라즈마의 특성연구
김종식(Jong-Sik Kim),김곤호(Gon-Ho Kim),정태훈(Tae-Hun Chung),염근영(Geun-Young Yeom),권광호(Kwang-Ho Kwon) 한국진공학회(ASCT) 2000 Applied Science and Convergence Technology Vol.9 No.4
정전 탐침을 이용하여 유도 결합형 반응기에서 발생하는 산소 플라즈마의 음이온 발생 특성을 관찰하였다. 입력전력과 운전압력 조건에 따른 산소 플라즈마에서 electronegative 음이온 플라즈마의 입력전력과 운전압력에 따른 정전 탐침에 흐르는 포화 양 전류 대 포화 음 전류( 전자 전류와 음 이온 전류의 합)의 전류 비율과 플라즈마 부유 전위와 플라즈마 전위 차의 변화로부터 음이온 발생 특성관찰을 하였다. 전류비의 증가와 전위차 값의 감소는 입력전력이 증가함에 따라 약 30~60 mTorr 운전압력 영역에서 나타났으며 이 조건에서 음이온의 발생 량이 증가함을 의미하고, 플라즈마 내의 이온들은 음이온과 재결합에 의한 손실이 증가하여 플라즈마 밀도가 감소함을 알 수 있었다. Negative ion generation in an inductively coupled oxygen plasma was investigated by using a Langmuir probe. It was observed that the probe current ratio of the positive ion saturation current and the negative current which is consisted of the electron current and the negative ion current, and also the potential difference between the floating potential and plasma potential vary with the RF input power and more sensitively with the operating pressure, respectively. Results show that the operating condition to achieve the maximum probe current ratio and the minimum potential difference shift from the low pressure region to the high pressure regions with increasing the input power. It implies that the generation of the negative oxygen ions increases and the recombination of the positive and negative ions are enhanced in the plasma.
플라즈마 정보인자를 활용한 SiO<sub>2</sub> 식각 깊이 가상 계측 모델의 특성 인자 역할 분석
장윤창,박설혜,정상민,유상원,김곤호,Jang, Yun Chang,Park, Seol Hye,Jeong, Sang Min,Ryu, Sang Won,Kim, Gon Ho 한국반도체디스플레이기술학회 2019 반도체디스플레이기술학회지 Vol.18 No.4
We analyzed how the features in plasma information based virtual metrology (PI-VM) for SiO2 etching depth with variation of 5% contribute to the prediction accuracy, which is previously developed by Jang. As a single feature, the explanatory power to the process results is in the order of plasma information about electron energy distribution function (PIEEDF), equipment, and optical emission spectroscopy (OES) features. In the procedure of stepwise variable selection (SVS), OES features are selected after PIEEDF. Informative vector for developed PI-VM also shows relatively high correlation between OES features and etching depth. This is because the reaction rate of each chemical species that governs the etching depth can be sensitively monitored when OES features are used with PIEEDF. Securing PIEEDF is important for the development of virtual metrology (VM) for prediction of process results. The role of PIEEDF as an independent feature and the ability to monitor variation of plasma thermal state can make other features in the procedure of SVS more sensitive to the process results. It is expected that fault detection and classification (FDC) can be effectively developed by using the PI-VM.
황휘동,구치욱,정경재,최재명,김곤호,고광철,Hwang, Hui-Dong,Gu, Chi-Wuk,Chung, Kyung-Jae,Choe, Jae-Myung,Kim, Gon-Ho,Ko, Kwang-Cheol 한국전기전자재료학회 2011 전기전자재료학회논문지 Vol.24 No.6
The conducting current of non-uniform plasma immersed electrode consists of ion current and secondary electron emission current caused by the impinging ion current. The ion current is determined by the ion dose passing through the sheath in front of electrode and the ion distribution in front of the electrode plays an important role in the secondary electron emission. The investigation of the distributed plasma and secondary electron effect on electrode ion current was carried out as the stainless steel electrode plugged with quartz tube was immersed in the inductively coupled Ar plasma using the antenna powered by 1 kw and the density profile was measured. After that, the negative voltage was applied by 1 kV~6 kV to measure the conduction current for the analysis of ion current.
할로겐 플라즈마에 의한 Ge<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>Te<sub>5</sub> 식각 데미지 연구
장윤창,유찬영,유상원,권지원,김곤호,Jang, Yun Chang,Yoo, Chan Young,Ryu, Sangwon,Kwon, Ji Won,Kim, Gon Ho 한국반도체디스플레이기술학회 2019 반도체디스플레이기술학회지 Vol.18 No.4
Effect of Ge2Sb2Te5 (GST) chalcogen composition on plasma induced damage was investigated by using Ar ions and F radicals. Experiments were carried out with three different modes; the physical etching, the chemical etching, and the ion-enhanced chemical etching mode. For the physical etching by Ar ions, the sputtering yield was obtained according to ion bombarding energy and there was no change in GST composition ratio. In the plasma mode, the lowest etch rate was measured at the same applied power and there was also no plasma induced damage. In the ion-enhanced chemical etching conditions irradiated with high energy ions and F halogen radicals, the GST composition ratio was changed according to the density of F radicals, resulting in higher roughness of the etched surface. The change of GST composition ratio in halogen plasma is caused by the volatility difference of GST-halogen compounds with high energy ions over than the activation energy of surface reactions.
유도결합형 Ar / CH₄ 플라즈마를 이용한 ITO의 식각 특성에 관한 연구
박준용(Joon-Yong Park),김현수(Hyeon-Soo Kim),권광호(Kwang-Ho Kwon),김곤호(Gon-Ho Kim),염근영(Geun-Young Yeom) 한국진공학회(ASCT) 1999 Applied Science and Convergence Technology Vol.8 No.4(2)
본 실험에서는 고밀도 플라즈마를 이용하여 디스플레이 소자에서 투명 전도막으로 사용되고 있는 ITO(indium tin oxide)의 건식 식각 특정에 관하여 조사하였으며 이들의 식각 반응을 플라즈마 진단 및 표면분석 장비를 이용하여 관찰하였다. Ar 분위기에서 적정량의 CH₄ 첨가시 플라즈마 상에서 생성된 H, CH₃ 라디칼에 의한 반응성 증가에 의해서 ITO의 식각 속도는 증가하였으나 과다 첨가시 CH₃에 의한 hydrocarbon 계열의 폴리머(polymer) 형성의 증가로 인하여 식각 속도는 감소하였다. 또한 source power 및 바이어스 전압의 증가에 따라 ITO 식각 속도는 증가하나 하부층(SiO₂, Si₃N₄4)과의 선택비는 감소하였다. 공정 압력을 증가시킬 경우 20 mTorr 까지는 ITO의 식각 속도가 약간 증가를 보였으나 그 이상의 압력 증가는 식각 속도를 감소시켰다. XPS 분석으로부터 Ar분위기에서 CH₄ 가스를 과다하게 첨가시킬 경우 ITO 표면 위에 hydrocarbon 계통의 폴리머로 추측되는 잔류물을 관찰하였으며 이것이 ITO 및 하부층의 식각에 영향을 미치는 것으로 예측되었다. In this study, high-density plasma etching characteristics of ITO (indium tin oxide) films used for transparent electrode in display devices were investigated. Plasma diagnostic and surface analysis tools were used to understand etch reaction mechanism. The etch rate of ITO was increased by the increase of reactive radicals such as Hand CH₃ with the addition of moderate amount of CH₄ to Ar. However, the addition of excess amount of CH₄ decreased possibly due to the increased polymer formation on the ITO surface being etched. The increase of source power and bias voltage increased ITO etch rates but it decreased selectivities over underlayers (SiO₂, Si₃N₄). The increase of working pressure up to 20 mTorr also increased ITO etch rates, however the further increased of the pressure decreased ITO etch rates. From the analysis of XPS, a peak related to the polymer of hydrocarbon was observed on the etched ITO surface especially for high CH₄ conditions and it appears to affect ITO etch rates.