http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
합성절차에 따른 1차원 ZnO 나노구조의 형태조절과 특성평가
공보현,박태은,조형균,Kong, Bo-Hyun,Park, Tae-Eun,Cho, Hyung-Koun 한국전기전자재료학회 2006 전기전자재료학회논문지 Vol.19 No.1
The one-dimensional ZnO nanostructures prepared through thermal evaporation under various cooling down procedures by changing the flow rates of the carrier gas and the reactive gas were investigated. The nanorod structures were changed into the nanonail types with a broad head through the reduction of the flow rate of the carrier gas. The decrease of the reactive gas reduced the length of the nail heads due to the limited mass transport of reactive gas. The intensity ratio of the ultraviolet emission/green emission of photoluminescence was proportional to the length of the broad head showing a larger surface area. The vertically aligned nanostructures were grown along the [0001] direction of ZnO regardless of the aligned directions. The crystal direction of the nanostructures was determined by that of the initial ZnO crystal.
MOCVD 법으로 저온에서 성장한 ZnO 박막의 Ⅵ/Ⅱ족 유량비의 영향
공보현,김동찬,김영이,안철현,강시우,전상욱,한원석,조형균 한국표면공학회 2007 한국표면공학회 학술발표회 초록집 Vol.2007 No.-
MOCVD 법으로 사파이어 기판위에 ZnO 박막을 성장시켰으며, 이때 VI/Ⅱ 족 유량비를 변화 시켜 나타나는 박막의 특성 변화에 대해 연구하였다. 유량비가 증가할수록 박막의 결정성과 광특성이 향상되는 것을 관찰할 수 있었다. 또한 유량비가 증가할수록 전기전도도와 캐리어 농도가 증가하는 것을 관찰할 수 있었다.
MOCVD로 성장한 ZnO 나노막대의 저온 성장과 특성평가
김동찬,공보현,조형균,박동준 한국표면공학회 2007 한국표면공학회 학술발표회 초록집 Vol.2007 No.-
여러 가지 응용분야에서 많은 기대를 안고 있는 ZnO를 MOCVD 장비를 이용하여 일차원의 나노막대 구조를 330℃의 저온에서 성장하였다. 이러한 성장온도는 기존 나노막대 성장에 비해 낮은 온도이며, 그 특성평가로 전계 방출 특성평가를 하였다.
MOCVD를 이용해 성장한 n-ZnO/p-Si 이종접한 다이오드의 전기적 특성 평가
한원석,공보현,김동찬,조형규 한국표면공학회 2007 한국표면공학회 학술발표회 초록집 Vol.2007 No.-
저온 성장이 가능한 MOCVD를 이용하여 단결정 p-Si 기판위에 n-ZnO를 산소분압을 탈리하여 성장하였다. 산소유량에 따른 이종접합 다이오드의 전기적 특성을 평가하기위하여 n-ZnO의 전기전도도, 이동도, 캐리어 농도를 측정하였으며, 소자에 저항성 접촉(ohmic contact) 전극을 형성하여 전류-전압 특성을 파악하였다.
RF 스퍼터링으로 Si 기판위에 제작된 ZnO 박막에서 ZnO 버퍼층의 가스분위기 영향
박태은,조형균,공보현,홍순구,Park, Tae-Eun,Cho, Hyung-Koun,Kong, Bo-Hyun,Hong, Soon-Ku 한국전기전자재료학회 2005 전기전자재료학회논문지 Vol.18 No.7
The effects of gas atmosphere and in-situ thermal annealing in buffet layers on the characteristic of the ZnO grown by RF magnetron sputtering have been investigated. It was shown that the introduction of buffer layers grown at the gas atmospheres of the mixed $Ar/O_2$ and the in-situ thermal treatment of the ZnO buffer layer improved the structural and optical properties. In addition, the ZnO films on the buffer layer thermal-annealed at $N_2$ gas ambience showed the strong emission of the near band gap exciton with narrow linewidth by combining the high-temperature growth of the ZnO film.