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한 손가락 문자 입력을 위한 한글 Soft-keyboard 배열에 관한 연구
공병돈,홍승권,조성식,명노해 대한산업공학회 2009 산업공학 Vol.22 No.4
Recently, the use of soft-keyboard is widespread and increases, because various handheld devices were developed such as PDA, navigation, mobile phones with enhanced competence of touchscreen. The use of soft-keyboard requires different characteristics compared to traditional hard-keyboard like QWERTY keyboard: no standard character layout, one finger entry, and cognitive processing time. In this study, therefore, the optimal soft-keyboard layout for one finger text entry in touchscreen environment was investigated among 6 keyboard layouts which were developed based on traditional characteristic of Korean text and the usage frequency of both vowels and consonants. As a result, the interface with Korean text invention order like ‘ㄱㄴㄷㄹ’ or ‘ㅏㅑㅓㅕ’ was found to be better than the interface with usage frequency-based arrangement. Especially the vowels were most efficient when separated into two parts; located at the right-hand side and at right below the consonants. In conclusion, the keyboard layout with regard to the Korean text characteristic and the invention order was a more effective layout resulted from the minimum cognitive processing time.
터치스크린 환경에서의 작업 특성 및 인지 과정을 고려한 메뉴 디자인
공병돈(Byungdon Kong),민정상(Jungsang Min),명노해(Rohae Myung) 한국HCI학회 2009 한국HCI학회 학술대회 Vol.2009 No.2
사용자 중심의 인터페이스를 설계하기 위해서는 작업 환경에 따른 사용자의 작업 특성 및 이와 관련된 인지 과정에 대한 분석이 선행되어야 한다. 하지만 손가락을 직접 사용하는 새로운 작업 환경인 터치스크린을 적용하는 다수의 기기들은 바뀐 작업 환경에 대한 고려 없이 마우스나 키보드 등의 입력 방식에서의 메뉴 구조를 그대로 따르고 있어 사용자에게 불필요한 움직임 및 인지적 과정을 야기시켜 사용성의 저하를 가져오고 있다. 이에 본 연구에서는 터치스크린에서의 한 손가락 작업 환경의 물리적 특성 및 이에 따른 사용자들의 보다 단순한 인지 과정을 고려한 동적인 메뉴 구조를 제안하였다. 그 결과 사용자들은 동적인 메뉴구조에서 보다 빠른 작업 수행 경향을 보였으며, 인지적 과정에 있어서도 그 시간이 적게 소요되는 경향을 보였다. 본 연구 결과, 터치스크린 환경에서의 작업 특성 및 인지 과정을 고려한 동적인 메뉴 구조는 정적인 메뉴 구조보다 일반적인 사용자 중심의 메뉴 기반 인터페이스를 설계하는데 유용하게 쓰일 것으로 보인다.
효율적인 컴퓨터 포렌식 수사를 위한 정보 시각화 기법 연구
정윤석,정윤석,공병돈,조성식,김인수,명노해 대한인간공학회 2008 대한인간공학회 학술대회논문집 Vol.- No.-
사이버 범죄에 사용된 컴퓨터 데이터를 수집, 보호, 분석, 해석 하는 컴퓨터 포렌식 수사는 하드드라이브에 있는 방대한 양의 데이터를 처리해야 하기 때문에 수사관이 포렌식 수사 지원 소프트웨어를 사용하더라도 상당히 많은 시간이 소요되고 에러가 발생할 수 있다. 컴퓨터 포렌식 수사와 같이 무수히 많은 양의 데이터를 지각하고 의미 있는 정보를 찾아내야 하는 경우 정보시각화는 인간의 정보처리 능력 향상에 큰 도움을 줄 것이다. 본 연구에서는 컴퓨터 포렌식 수사관들이 수사 지원 소프트웨어를 통해 수행하는 과제와 컴퓨터 포렌식 수사에 적용할 수 있는 다양한 정보 시각화 기법을 분석하였다. 이를 바탕으로 시각화 기법 분류를 위한 새로운 기준을 제시하고, 컴퓨터 포렌식 수사에 가장 적합한 시각화 기법을 분류하였다. 본 연구 결과는 추후 효율적인 컴퓨터 포렌식 수사를 위한 정보시각화 기법 개발에 중요한 기초연구가 될 것이다.
고신뢰성 데이터 유지 특성을 가진 3단자 사이리스터 랜덤 액세스 메모리
김향우(Hyangwoo Kim),조현수(Hyeonsu Cho),서명해(Myunghae Seo),이승호(Seungho Lee),공병돈(Byoung Don Kong),백창기(Chang-Ki Baek) 대한전자공학회 2021 대한전자공학회 학술대회 Vol.2021 No.6
Three-terminal thyristor random access memory(TRAM) is investigated in terms of gate-cathode voltage(VGC,ST) and anode-cathode voltage(VAC,ST) in the standby state to improve the retention characteristics and low-power operation. The device with the optimized VGC,ST of -0.4 V and VAC,ST of 0.55 V shows the continuous retention capability without refresh operation with a low standby current of 0.13 pA. In addition, the proposed array operation scheme can effectively minimize operation disturbances on unselected cells. Consequently, the three-terminal TRAM with the proposed array operation provides excellent retention and high-reliable memory configurations comparable with or surpass DRAM.
스케일링 및 데이터 보존을 위한 2단자 사이리스터 랜덤 액세스 메모리 (T-RAM) 특성 분석
김향우(Hyangwoo Kim),조현수(Hyeonsu Cho),최민근(Minkeun Choi),공병돈(Byoung Don Kong),백창기(Chang-Ki Baek) 대한전자공학회 2020 대한전자공학회 학술대회 Vol.2020 No.8
2 terminal thyristor random-access memory (T-RAM) is investigated in terms of doping concentrations in the storage region to improve scalability and data retention time. When doping concentrations of N and P storage region are equal to each other at 1018 cm-3, T-RAM exhibits the highest retention time of 100 msec. In addition, it is proposed how to set the standby voltage in an energy-effective way. This standby voltage allows steady data retention of T-RAM with femto-scale leakage current until the erase operation is applied. Consequently, the proposed guideline can give a pathway to realize 2 terminal T-RAM as a promising capacitor-less DRAM technology.