http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
W-band 도파관 FTO 적용을 위한 전류제한 InP Gunn diode 설계 및 제작
고동식(Dong-Sik Ko),곽노성(No-Seong Kwak),김영진(Young-Jin Kim),허준우(Jun-Woo Heo),고필석(Pil-Seok Ko),김삼동(Sam-Dong Kim),박현창(Hyun-Chang Park),이진구(Jin-Koo Rhee),전영훈(Young-Hoon Chun),이석철(Seok-Chul Lee) 대한전자공학회 2014 전자공학회논문지 Vol.51 No.3
전류제한 에피 구조를 적용하여 MINT에서 개발한 최적화된 공정방법으로 InP Gunn 다이오드 칩을 제작하고 칩을 이용하여 MINT의 최적화된 조건을 이용하여 패키지 하였다. 또한 제작된 패키지 InP Gunn 다이오드의 RF 특성을 측정하기 위하여 2체배 구조의 W-band 도파관 FTO(Fixed Tuned Oscillator)를 설계 및 제작하였다. 패키지된 InP Gunn 다이오드는 ceramic ring, Au plating stud와 lid 그리고 Maltese cross로 구성되어있다. 측정된 20개의 InP Gunn 다이오드는 최대 전류가 399 mA의 전류특성을 가지고 92.9~94.78 GHz에서 발진하였고 11.8~17.8 dBm 의 출력전력을 얻었다. In this paper, We have designed and fabricated 20 InP Gunn diodes using a current limiting epitaxial structure by MINT’s optimized fabrication processes. We have also packaged the fabricated InP Gunn diodes using our optimized packaging method, and then designed and fabricated a W-band waveguide FTO to measure characteristics of the packaged InP Gunn diodes. The packaged InP Gunn diode have a ceramic ring, a Au plated stud and a lid, and a Maltese cross. The fabricated InP Gunn diodes have good RF characteristics such as high output powers (11.8~17 dBm) and limiting low currents (less than 400 mA) between 92.9 and 94.78 GHz