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co-cputtering법으로 증착된 Zn<SUB>1-x</SUB>Mg<SUB>x</SUB>O 박막의 밴드갭 엔지니어링
강시우,김영이,안철현,조형균 한국표면공학회 2007 한국표면공학회 학술발표회 초록집 Vol.2007 No.-
본 실험에서는 MgO (99.999%)와 ZnO (99.999%)의 두가지 타겟을 사용한 RF co-스퍼터링법을 이용하여 p-type Si (100) 기판 위에 Zn₁?xMgxO 박막을 증착 하였다. ZnO 타겟의 RF-power은 고정시키고 MgO 타겟의 RF-power를 조절함으로써 Mg 함량을 조절하였다. EDX 분석을 통해 MgO RF-power의 증가에 따라 고용되는 Mg의 함량이 증가함을 알 수 있었다. 또한 MgZnO내 Mg 함량이 높아짐에 따라 c-축 격자상수가 감소하는 것을 XRD 분석을 통해 알 수 있었고, MgO기반의 2차상은 형성되지 않았다. PL 측정 을 통해 Mg함량이 증가 할수록 UV 영역의 파장의 강도는 감소하고 UV 파장의 위치는 blueshift 되는 것을 관찰 할 수 있었다.
마그네트론 스퍼터링에 의해 성장된 ZnO 박막의 산소 분압 의존성
안철현,김영이,강시우,공보현,조형균 한국표면공학회 2007 한국표면공학회 학술발표회 초록집 Vol.2007 No.-
마그네트론 스퍼터링을 이용하여 사파이어 기판위에 O₂의 분압에 따른 성장된 ZnO박막의 특성에 대해 연구하였다. O₂의 분압은 Ar/O₂의 비율에 의해 조절을 하여 성장을 하였으며, O₂의 분압이 감소함에 따라 결정성이 좋아지는 결과를 얻었다. PL측정결과에서 순수한 Ar분위기에서 성장된 ZnO박막에서 UV 발광과 더불어 Deep level에 기인하는 Green 발광을 보였고, UV-Visible spectroscopy 측정결과 순수한 Ar분위기를 제외한 샘플에서 60~80%의 투과도를 보였다. SEM과 TEM의 이미지를 통해 미세 힐락들을 관찰되었는데 이로 인해 투과도의 저하 원인으로 분석된다.
스퍼터링 방법으로 성장시킨 ZnO 박막의 결정질 향상을 위한 고온성장
김영이,안철현,강시우,김동찬,공보현,한원석,전상욱,조형균 한국표면공학회 2007 한국표면공학회 학술발표회 초록집 Vol.2007 No.-
ZnO 박막의 결정질을 향상시키기 위해 고온에서 RF 마그네트론 스퍼터링 방법으로 성장시켰다. 성장온도가 증가 할수록 박막의 결정질이 향상 되는 것을 TEM과 XRD 결과로 확인할 수 있었다. 또한 성장온도가 증가 할수록 박막의 표면 형상이 three-dimensional islands 구조를 가지며, grain size와 표면 거칠기가 증가 하는 것을 관찰할 수 있었다. 위의 실험 결과로 우리는 RF 스퍼터링 방법으로 고온성장하여 ZnO 박막의 결정질을 향상시켰다.
MOCVD 법으로 저온에서 성장한 ZnO 박막의 Ⅵ/Ⅱ족 유량비의 영향
공보현,김동찬,김영이,안철현,강시우,전상욱,한원석,조형균 한국표면공학회 2007 한국표면공학회 학술발표회 초록집 Vol.2007 No.-
MOCVD 법으로 사파이어 기판위에 ZnO 박막을 성장시켰으며, 이때 VI/Ⅱ 족 유량비를 변화 시켜 나타나는 박막의 특성 변화에 대해 연구하였다. 유량비가 증가할수록 박막의 결정성과 광특성이 향상되는 것을 관찰할 수 있었다. 또한 유량비가 증가할수록 전기전도도와 캐리어 농도가 증가하는 것을 관찰할 수 있었다.