http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
강승열,김용해,이명래,정태형,Kang, S.Y.,Kim, Y.H.,Lee, M.L.,Zyung, T.H. 한국전자통신연구원 2008 전자통신동향분석 Vol.23 No.6
IT 혁명의 근간이 되는 무선통신기술은 개인간의 통신을 가능하게 하여, 단순 정보 전달에서 음성 및 화상 통화가 언제, 어느 곳에서도 가능하게 되었다. 그러나 이런 단말기를 작동하게 하는 전력 또는 에너지는 여전히 유선으로 공급하거나 전지를 충전하여 사용한다. 만일 무선 통신뿐만 아니라 무선 에너지 전송까지 가능하다면 IT 기술은 또 다른 도약을 하게 될 것이다. 무선 에너지 전송은 백 년 전의 테슬라로부터 시작되어 지금까지 지속되어온 인류의 꿈이었다. 본 기고문에서는 20세기 초 무선 에너지 전송을 상상한 테슬라로부터 근래의 다양한 무선 에너지 전송 기술을 소개한다. 전자기파 방사를 이용한 기술과 전자기 유도현상을 이용한 무선 에너지 전송 기술을 개괄하고, 이러한 기존 기술을 넘어 근거리에서 공진 현상을 이용한 비방사 방식으로 에너지를 전송하는 MIT의 무선 에너지 전송 기술을 소개한다.
$Cl_{2}O_{2}$ 가스에 의한 크롬 박막의 식각 특성 고찰
박희찬,강승열,이상균,최복길,권광호 한국전기전자재료학회 2001 전기전자재료학회논문지 Vol.14 No.8
We investigated the etching characteristics of chromium films by using Cl$_2$/O$_2$ gas mixtures with electron cyclotron resonance plasma. In order to examine the chemical etch characteristics of Cr films by using Cl$_2$/O$_2$ gas plasma, we obtained the etch rate with various gas mixing ratios. By X-ray photoelectron spectroscopy, the surface reaction on the chromium films during the etch was examined. From narrow scan analyses of Cr, Cl, and O, it was confirmed that a chromium oxychlorie (CrCl$_{x}$O$_{y}$) layer was formed on the surface by the etch using Cl$_2$/O$_2$ gas mixtures. We observed a new characteristic emission line during the etch of chromium films using Cl$_2$/O$_2$ gas mixtures by an optical emission spectroscopy. It was found that the peak intensity of this emission line had a tendency compatible with the etch rate. The origin of this emission line was discussed in detail. At the same time, the etched profile was also examined by scanning electron microscope.e.e.
안성덕,강승열,조성행,Ahn, S.D.,Kang, S.Y.,Cho, S.H. 한국전자통신연구원 2015 전자통신동향분석 Vol.30 No.6
최근 디스플레이 산업은 Liquid Crystal Display(LCD)산업의 성숙 및 동북아 선도업체를 중심으로 과점화 양상에 따라, 국가 간 주도권 경쟁을 위한 경쟁 치열해지고 있으며, 디스플레이 시장정체 극복 및 경쟁국 간의 기술시장의 우위를 선점하기 위하여 차세대 디스플레이 개발을 추진하고 있다. 차세대 디스플레이는 기능이 다양화 된 디스플레이, Active Matrix Organic Light Emitting Diode(AMOLED), 플렉서블 디스플레이, 투명 디스플레이와 같은 새로운 디스플레이 및 자동차 교육, 광고 의료 분야와 융합되는 신시장 창출형 융합 디스플레이로 발전하고 있다. 본고에서는 차세대 디스플레이의 최근 기술동향 및 디스플레이 국제 표준 기술동향 및 이슈를 살펴보고자 한다.
김철암,강승열,서경수 에스케이텔레콤 (주) 2008 Telecommunications Review Vol.18 No.6
종이처럼 얇고 필요할 때 펼쳐볼 수 있는 플렉시블 디스플레이의 대표 주자로 전자종이가 주목을 받기 시작하였으며, 차츰 상용화 단계에 접 어들고 있다. 현재 상용화 단계에 가장 근접한 전기영동 디스플레이 방식의 전자종이 기술이지만, 응용 영역을 확대하기에는 컬러화와 느 린 응답속도 때문에 한계를 가지고 있다. 이 글에서는 정보화 사회에 서 빠르게 변화하는 정보를 언제 어디서나 편리하게 사용할 수 있도록 하기 위해 전자종이를 상용화하는데 있어서 걸림돌로 작용하고 있는 컬러화와 응답속도를 개선시킬 방안에 대하여 기술한다.
${SF_6}/{Cl_2}$ 혼합비에 따른 실리콘 식각 특성 고찰
이상균,강승열,권광호,이진호,조경익,이형종 한국전기전자재료학회 2000 전기전자재료학회논문지 Vol.13 No.2
Etch characteristics of SF6/CI2 electron cyclotron resonance (ECR) plasmas have been investigated. Surface reaction of gas plasma with polysilicon was also analysed using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). At the same time, the relationship between surface reaction and the etched profile of polysilicon was examined using XPS. The etch rate of polysilicon and oxide increases with increasing flow rate of SF6 in the SF6/CI2 gas mixture, and tis selectivity also increase also increase. It was also found that as increasing flow rate of SF6 in the SF6/CI2 gas mixture, the atomic% of chlorine detected at surface region decrease, but F and S contents increase. At the same time, when the mixing ratio of SF6 gas increases, the anisotropy of etched polysilicon is sharply decreased in the 0%~10% range of the SF6 mixing ratio, but is rarely varied in the range over 10%, in spite of the large variations in flow rates. It can be explained that the bonding of S-Si due to SiSx(x$\leq$2) compound formed on the etched surface suppress the formation of Si-Cl and 'or Si-F bonding in the silicon etching.