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      • 대학편입학생의 진로결정수준에 관한 연구

        김경준 명지대학교 사회교육대학원 1999 국내석사

        RANK : 1839

        본 연구의 목적은 수만명의 대학생들이 편입학원에서 또는 독학으로 또 다른 대학입시준비를 하고 있는 실정에서 이들의 진로에 대한 체계적인 지도와 상담을 위하여 대학편입생들의 학년별 진로결정수준 측정, 일반 재학생들과 비교 및 지원계열별로 진로결정수준의 차이가 있는가를 알아보는 것이었다. 이러한 연구목적을 달성하기 위해 첫째, 대학편입생들이 같은 학년의 재학생들보다 진로결정수준이 높을 것이다. 둘째 3학년 편입생이 2학년 편입생 보다 진로결정수준이 높을 것이다. 셋째, 대학편입생들의 지원 계열에 따라 진로결정수준은 유의미한 차이가 있을 것이다 라는 가설을 세웠다. 서울과 수도권에 각각 캠퍼스를 둔 A 대학의 2학년과 3학년에 편입한 학생들 318명과 2, 3학년 재학생 555명을 대상으로 Osipow등 (1980)이 개발하고 고향자(1992)가 우리문화에 맞게 적절한 문장표현으로 번안하여 표준화한 진로결정수준 검사(CDS: Career Decision Scale)를 실시하였으며, SPSS/WIN을 이용하여 t-검정, 일원변량분석, Scheffe 검증(Post Hoc Test)등으로 자료를 분석하였다. 연구결과는 다음과 같다. 첫째, 2학년과 3학년 모두에게서 편입생들의 진로결정수준이 같은 학년의 일반 재학생들보다 높은 것으로 나타났다. 둘째 2학년 편입생과 3학년 편입생의 진로결정수준에는 차이가 나타나지 않았다. 셋째, 대학편입생들의 지원 계열별 진로결정수준은 계열별로 유의미한 차이를 나타내었으며 사후검증 결과 인문대학 편입학생이 공과대학 편입학생보다 높은 진로결정수준을 나타내었다. 위의 결과들은 통하여 첫째, 대학생들의 편입학에 의한 진로유예현상은 대학에 편입하는 학생들이 진로정체감 형성에 문제가 있는 것이 아니라 오히려 그들 자신들의 진로에 대하여 같은 학년의 재학생들보다 더 심각하게 고민하고 결정하였다는 것을 알 수 있었으며, 둘째, 2학년 편입에 있어 한 학년을 낮추어 지원하거나 전공을 바꾸어 편입하는 경우에도 진로결정을 미루려는 의도가 아니라 오히려 자신들의 진로결정을 확고히 했기 때문에 졸업을 미루는 것으로 판단되어지며, 셋째, 졸업 후 다른 학과보다 진로선택의 폭이 좁은 학과로 편입하는 학생들의 경우는 그에 따르는 어려움을 기꺼이 감수하려는 의지가 있는 집단인 것을 알 수 있었다. 따라서, 대학에서는 이들이 낯선 환경에 잘 적응하고 자신이 결정한 진로를 잘 찾아갈 수 있는 적절한 진로지도가 필요한 것으로 판단되어진다. 102528 The purpose of this study was to examine the career decision level of transfer collegians, to compare of it with general undergraduate students, to examine whether or not there are differences of career decision levels among the college majors for a systematic guidance and counselling to their career in a state that tens of thousands of university students are preparing for other university entrance examinations at the institutes for transfer or by self-instruction. The following hypotheses were established. First, the career decision level of transfer collegians will be higher than other enrollment students in the same grade. Second, that of the third grade transfer students will be higher than of the second grade students. Third, the career decision level will have significant differences according to the college majors of transfer collegians. 318 students who transferred to the 2nd and 3rd grade of A university and 555 enrollment students were sampled and performed the standardized career decision level test(CDS : Career Decision Scale) developed by Osipow et al. (1980) and translated by KO, Hyang-Ja(l992) to proper expression fit our culture and carried out the data with t-score, ANOVA, and Scheffe verification (Post Hoc Test) using SPSS/win. The major findings are as follows. First, it was indicated that the career decision level of both the second and third grade transfer collegians was higher than the same grade enrollment students. Second, there was no significance in the career decision level between the second grade and the third grade transfer collegians. Third, the career decision level of transfer collegians per college majors showed significant difference and as a result of scheffe-verification, the transfer collegians of humanities university showed higher level than those of engineering university. The findings showed as follows First, the career deferment phenomenon by transfer of university students does not cause any problem informing career-identification, but rather the students preparing for transfer are making effort to decide their career and achieve their goals. Second, in the second grade transfer, to apply for descending one grade or to change major does not postpone career making decision but also postpone graduate because of convincing their career. Third, the students applied a major which has narrow career choices after graduate are those who receive gladly the difficulties following their choice.

      • Growth and characterizations of high quality GaN on Si(111) heteroepitaxy using special buffers and LEPS method grown by MOCVD : 금속유기기상증착법(MOCVD)에 의한 Si(111) 기판 위에 특별한 완충층과 LEPS 기법에 의한 고품위 GaN 이종접합에피탁시 성장 및 특성평

        金庚俊 全北大學校 大學院 2004 국내석사

        RANK : 1839

        본 연구에서는 고품위 GaN 이종접합에피탁시를 특별히 제작한 중간 완충층과 LEPS(Lateral epitaxy patterned on Si substrate) 법을 이용하여, Si(111) 기판 위에 수평형 반응관(Horizontal reactor)을 갖는 MOCVD(Metalorganic chemical vapor deposition;유기금속화학기상증착) 방법을 이용하여 성장하였고, 그에 따른 특성을 평가하였다. 2 인치의 Si(111) 기판 위에 crack-free 한 GaN 에피탁시를 성장하였다. 박막 표면에 나타나는 crack은 LED, LD등의 디바이스의 적용에 매우 중요한 문제이다. 이러한 crack을 제어하기 위해서 CBL(Composite buffer layer; 복합 완충층)이나 SL(Superlattice; 중간 완충층)를 사용하여 보았으나, 두 경우 모두 crack이 발생하였다. 따라서 본 연구에서는 crack-free한 GaN를 얻기 위해 수평형 반응관을 갖는 유기금속화학기상증착 방법을 이용하여 복합 완충층과 중간 완충층을 동시에 사용하여, u-GaN와 n-GaN 에피탁시를 성장하였다. AlN mole fraction이 20%인 Al_(0.2)Ga_(0.8)N의 복합 완충층을 성장한 후, 그 위에 AlN mole fraction이 20%인 20 주기의 GaN/Al_(0.2)Ga_(0.8)N 중간 완충층을 다시 한번 성장한 후, GaN를 성장하였다. 결정성 특성 평가를 위해 DCXRD(double-crystal X-ray diffractometry) 측정한 결과, FWHM(Full width at half maximum;반치폭) 값이 u-GaN 경우 934 arcsec, n-GaN 경우 985 arcsec이다. AFM(Atomic force microscopy)을 이용하여 GaN 표면의 평균 dislocation density를 특정한 결과, u-GaN 경우 1.32x10^(9) cm^(-2), n-GaN 경우 3.85x10^(9) cm^(-2)이었다. GaN 에피탁시의 광학적 특성을 살펴보기 위하여 PL(Photoluminescence)을 측정하였다. 본 연구에서는 2 인치 Si(111) 기판의 전면적에 대하여 PL mapping을 실시하였다. 상온에서 325 nm의 He-Cd 레이져를 이용해 3.39 eV의 레이져를 GaN 표면에 입사시킨 결과 평균 FWHM은 u-GaN 경우 7.6 nm, n-GaN 경우 8.1 nm이고, band edge emission peak은 u-GaN 경우 367.1 nm, n-GaN 경우 367.0 nm이었다. 이처럼 AlN/Al_(0.2)Ga_(0.8)N CBL과 GaN/Al_(0.2)Ga_(0.8)N superlattice를 이용하여 strain을 줄여 주기 때문에 crack-free GaN/Si(111)이 가능하였고, 이러한 crack-free한 GaN/Si(111) 에피탁시는 LED나 그 밖의 광소자 제작을 가능하게 한다. 뿐만 아니라, 본 연구에서는 Si(111) 기판에 주기적으로 stripe 모양으로 pattern을 만들어 crack-free한 GaN 에피탁시를 성장하였다. 즉, GaN 에피탁시를 성장하기 전, Si(111) 기판을 photolithography 기술과 ICP(inductively coupled plasma) etching 방법으로 다양한 size의 pattern을 제작하였다. Patterned-Si(111) 기판 위에 MOCVD를 이용하여 GaN 에피탁시를 증착하였으며, 이 기술을 LEPS라 한다. LEPS 법에 의해 성장된 GaN 에피탁시를 일반적인 방법을 사용한 GaN 에피탁시와 특성비교를 실시하였다. 그 결과, crack density는 LEPS법에 의해 성장된 GaN 에피탁시가 일반적인 방법으로 성장된 GaN 에피탁시 보다 크게 줄어든 것을 확인하였다. 또한, Si(111)에 주기적으로 만든 pattern size의 크기가 감소함에 따라 결정학적 및 광학적 특성이 개선되는 것을 확인하였다. 결론적으로, LEPS 방법을 통하여 GaN 에피탁시의 전체적인 특성의 향상을 얻어내었다. In this study, growth and characterizations of high quality GaN on Si(111) heteroepitaxy using special buffers and LEPS method were reported grown by MOCVD. Recently, the GaN epitaxy with no cracks on the 2 inch Si(111) wafer was obtained. Cracking is the critical issue for the applications such as LED, LD and its related devices. In order to achieve the crack-free GaN on Si(111), we had performed the method of CBL or superlattice buffer layer in previous our report respectively, but cracks were occurred with those methods. So we used the two methods for the aim in crack-free samples simultaneously. u-GaN and Si doped n-GaN epitaxy was grown with the horizontal flow MOCVD. AlN/Al_(0.2)Ga_(0.8)N layer and GaN/Al_(0.2)Ga_(0.8)N were used as CBL and 20 pair superlattice interlayer, respectively. The FWHM values of the DCXRD rocking curve were 934 arcsec and 985 arcsec for u-GaN and n-GaN epitaxy, respectively. The average dislocation density on GaN surface was measured as 1.32x10^(9) and 3.85x10^(9) cm^(-2) for u-GaN and n-GaN epitaxy by 2-D images of AFM. PL spectra were observed for evaluating the optical property of the GaN epitaxy. In this study, PL mapping was performed, which showed the distribution of emission peak onto the 2 inch Si(111) full wafers. The average FWHM of the band edge emission peak was 367.1 and 367.0 nm using 325 nm He-Cd lasers under room temperature with the 3.39 eV emissions. Using the CBL with the AlN/Al_(0.2)Ga_(0.8)N and superlattice with the GaN/Al_(0.2)Ga_(0.8)N made it possible to achieve crack-free n-GaN:Si on Si(111) by reducing the strain effect, possible for the application to LED or other photonic devices. Moreover, an unique approach to the growth of near crack-free GaN single crystals using periodically stripe patterned Si(111) was described. Prior to the growth of the crystals, patterned Si(111) was fabricated with various patterned terrace size, using a combination of a photolithography patterning technique and an ICP etching method. The GaN layer was grown on Si substrates by MOCVD, using a technique called a lateral epitaxy patterned Si substrate. We compared the quality of the GaN layer that was grown using patterned Si(111) with that of the layer that was grown using unpatterned Si(111). It was shown that the crack density in the GaN layer on the patterned Si(111) was drastically reduced in comparison with that of the unpatterned GaN/Si(111) layer. The FWHM values clearly decreased with decreasing patterned terrace size on the Si substrates. Moreover, it was found that the micro-PL intensity at room temperature increased with decreasing patterned size. Consequently, it is considered that the patterned substrate technique not only improved the quality of the GaN layer, but also reduced the tensile stress caused by thermal and lattice mismatch. In summary, the growth of a high quality and crack-free GaN on Si(111) epitaxy employing optimized CBL and Al0.2Ga0.8N/GaN superlattice had been realized. Although doping process could make a cracking which caused the non-radiation scattering center as an obstacle of electron movement, Using the CBL with the AlN/Al0.2Ga0.8N and superlattice with the GaN/Al0.2Ga0.8N made it possible to achieve crack-free n-GaN:Si on Si(111) by reducing the strain effect, possible for the application to LED or other photonic devices. The quality of the GaN layer grown using the patterned Si(111) with that of GaN layer grown using the unpatterned Si(111) was compared. The crack density of the GaN layer on the patterned Si(111) was drastically reduced compared to that of the unpatterned GaN/Si(111) layer. Moreover, the crack density and FWHM values clearly decreased with decreasing patterned terrace size in the patterned GaN/Si(111). The room temperature micro-PL measurements indicated that the intensity was clearly increased in comparison with that of the unpatterned GaN/Si(111) layers. Consequently, it was considered that the patterned substrate technique not only improved the quality of the GaN layer, but also reduced the tensile stress caused by the thermal and lattice mismatch. It was found that reducing the pattern size of the patterned Si substrates made it possible to improve the overall GaN crystal quality. This technique was effective for growing GaN with improved epitaxial quality, in the case of highly mismatched epitaxial systems, such as III-nitride semiconductors. In conclusion, crack-free and high quality GaN layers on Si(111) substrates had been grown by MOCVD using patterned substrates technique. These pattern substrates technique can efficiently counteracted the tensile stress usually observed in GaN layers deposited on Si(111), and also improved crystal and optical quality. High quality GaN epilayers on the patterned Si(111), using a single, continuous MOCVD have been grown and characterized. PL spectra at room temperature for the terrace and trench regions showed sharp band edge emission at 366 nm, which did not have yellow luminescence related to various defects such as vacancies, dislocations and Si contamination. Moreover, band to impurity peak in trench clearly decreased in comparison with that in terrace. A large vertical void was observed above the trench regions. Above the trench a low dislocation-density region of GaN was observed. The technique not only improved the quality of the GaN epilayers, but also reduced the tensile stress caused by the thermal and lattice mismatch. Therefore, this technique will play a key role in realizing highperformance LEDs and LDs based on nitrides.

      • 지능형 자동차를 위한 모델 기반 고장 진단 알고리즘

        김경준 한양대학교 대학원 2019 국내석사

        RANK : 1839

        본 논문에서는 좌우측, 전방카메라를 포함하는 AVM System과 정밀 측위를 위한 DGPS센서를 기존 차량 내부 센서 (IMU, Wheel Speed Sensor)를 이용하여 고장 진단을 한다. 차량 내부 센서는 자체적인 고장 진단과 함께 고장 허용제어까지 효율적으로 가능하게 하는 Generalized Observer Scheme (GOS) 전략을 택하였고, Reliability Indexed Sensor Fusion을 적용함으로써 차속 추정의 정확도를 높였다. 차량 내부 센서는 GOS를 통하여 고장진단이 수행되고, 이를 기준으로 AVM System의 고장과 DGPS시스템의 고장을 진단한다. 각 ADAS센서는 고유의 Track을 생성하고, 차량 내부 상태변수들 간의 관계를 이용하여 Residual을 생성하게 된다. 마지막으로 False Alarm개선을 하는 방법으로써 Robust Residual Evaluation의 한 방법인 Adaptive Threshold를 적용 하였다. 이를 차량 동역학 프로그램인 CarSim과 MathWork社의 Simulink의 Co-Simulation을 통하여 검증한다.

      • 콜레스테롤의 합성저해와 흡수저해의 상관관계가 혈중 콜레스테롤 수치에 미치는 효과

        김경준 중앙대학교 대학원 2013 국내석사

        RANK : 1839

        연구배경 : Ezetimibe의 콜레스테롤 흡수를 억제하는 약제이나 동시에 콜레스테롤의 합성을 증가시키기도 한다. 이런 콜레스테롤 합성과 흡수의 상관관계가 혈중 콜레스테롤 농도에 미치는 영향에 대하여서는 아직 확인된 연구가 없다. 따라서 본 연구에서 이에 대해 직접적으로 평가하고자 하였다. 방법 : 고지질혈증에 대한 치료가 필요한 총 198명을 대상으로 환자 대조군 연구를 시행하였다. Ezetimibe(10mg)을 스타틴 치료를 받고 있는 환자(n=58)과 받지 않고 있는 환자(n=58)에게 각각 투여하였고 simvastatin(20mg)을 ezetimibe을 사용하고 있는 환자(n=41)와 사용하지 않는 환자(n=41)에게 각각 투여하여 치료 전후 2개월의 혈중 지질 농도를 비교하였다. 결과 : 스타틴 치료 중이지 않은 경우 ezetimibe은 콜레스테롤을 13.3±8.8% (p<0.001), 저밀도 지단백 콜레스테롤을 18.7±15.3% (p<0.001) 낮추었다. 스타틴에 추가로 ezetimibe을 사용한 경우는 콜레스테롤 21.1±7.7% (p<0.001), 저밀도 지단백 콜레스테롤 29.9±12.6% (p<0.001)을 낮추었다. Ezetimibe을 사용한 치료는 콜레스테롤과 저밀도 지단백 콜레스테롤 모두에서 스타틴 치료를 받고 있는 환자에서 더 큰 감소를 나타내었다(각각, p<0.001과 p<0.001). Simvastatin의 ezetimibe을 사용하는 환자와 그렇지 않은 환자간의 콜레스테롤 감소효과 차이는 통계적으로는 유의하지 않게 나타났다(각각, p=0.10과 p=0.055). 스타틴에 의한 콜레스테롤 합성의 억제가 선행되어 있는 경우 ezetimibe이 콜레스테롤과 저밀도 지단백 콜레스테롤에 미치는 효과는 각각 7.8%와 11.2%씩 증가 되었다. 결론 : Ezetimibe에 의한 콜레스테롤 흡수의 억제로 인해 콜레스테롤 합성의 증가가 발생한 경우 유의하게 혈중 콜레스테롤 수치를 높일 수 있다는 결론을 얻을 수 있었다. Background: The inhibition of cholesterol absorption by ezetimibe increases cholesterol synthesis. The effect of inhibition of cholesterol synthesis on cholesterol absorption is controversial. The influence of these interactions on cholesterol levels is unknown. Methods: This case-controlled study enrolled 198 patients who needed cholesterol-lowering drugs. Ezetimibe (10 mg) was administered to patients with (n=58) and without on-going statin therapy (n=58). Simvastatin (20 mg) was administered to patients treated with (n=41) and without ezetimibe (n=41). Results: Ezetimibe without statin lowered cholesterol by 13.3±8.8% (p<0.001) and low density lipoprotein-cholesterol (LDL-C) by 18.7±15.3% (p<0.001). Ezetimibe added to statin decreased cholesterol by 21.1±7.7% (p<0.001) and LDL-C by 29.9±12.6% (p<0.001). Cholesterol and LDL-C were reduced more by ezetimibe in patients with statin therapy than in those without statin therapy (p<0.001 and p<0.001, respectively). The differences in the effect of simvastatin on cholesterol and LDL-C between patients with and without ezetimibe showed borderline significance (p=0.10 and p=0.055, respectively). In summary, a prior inhibition of cholesterol synthesis by statin enhanced the effect of ezetimibe on cholesterol and LDL-C by 7.8% and 11.2%, respectively. Conclusion: This finding suggests that increased cholesterol synthesis due to the inhibition of cholesterol absorption results in significant elevation of cholesterol levels.

      • Deep graph Q-network(DGQN)을 이용한 광역 교통 신호 제어 연구 : 비동기적 학습을 적용하여

        김경준 중앙대학교 대학원 2021 국내석사

        RANK : 1839

        가치 기반(Value-based) 강화학습 알고리즘은 교통 신호 연구에 널리 적용되어왔다. 하지만 광역 교통 네트워크의 신호를 동시에 제어하는 데는 몇 가지 문제가 있다. 먼저 동시에 제어되는 교차로의 수가 증가할수록 다뤄야 하는 이산형 행동 공간(Action space)는 기하급수적으로 증가한다. 즉, 신호 현시 조합의 경우의 수가 매우 많아진다. 기존의 DQN(Deep Q-Network)는 모델은 구조적으로 큰 행동 공간(Action space)를 감당할 수 없었다. 단일 주체(Single agent) DQN 모델의 출력을 새롭게 제안하여 이러한 문제를 해결했다. 두 번째로, 교통 상태를 강화학습 변수로 축약하는 과정에서 광역 교통 네트워크의 시공간적 관계를 고려하기 어려웠다. 효과적으로 시공간적 관계를 반영하기 위해서 DGQN(Deep Graph Q-Network)를 제안했다. 마지막으로, 결합 행동(Joint action)에 대한 많은 경우의 수를 고려하는 DGQN은 학습에 오랜 시간이 걸린다. DGQN의 빠른 수렴을 위해서 복수의 엑터-러너(Actor-learner)를 이용한 비동기적(Asynchronous)적 업데이트를 적용했다. 이러한 세 가지 방법을 결합한 DGQN을 이용하여 신도림동(서울)의 광역 교통 신호를 동시에 제어하는 데 성공했다. Value-based reinforcement learning (RL) algorithms have been widely applied in traffic signal studies. There are, however, several problems in jointly controlling traffic lights for a large transportation network. First, the discrete action space exponentially explodes as the number of intersections to be jointly controlled increases. With its model structure, the original deep Q-network (DQN) could not accommodate a large action space. The problem was resolved by revising the output structure of a DQN holding the framework of a single-agent RL algorithm. Second, when mapping traffic states into an action value, it is difficult to consider spatio-temporal correlations over a large transportation network. A deep graph Q-network (DGQN) was devised to efficiently accommodate spatio-temporal dependencies on a large scale. Finally, training the proposed DGQN with a large number of joint actions requires much time to converge. An asynchronous update methodology with multiple actor learners was devised for a DGQN to quickly reach an optimal policy. By combining these three remedies, a DGQN succeeded in jointly controlling the traffic lights in a large transportation network in Seoul. This approach outperformed other “state-of-the-art” RL algorithms as well as an actual fixed-signal operation.

      • 천연보석 성장형태를 응용한 장신구 디자인 연구

        김경준 국민대학교 테크노디자인전문대학원 2014 국내석사

        RANK : 1839

        본 연구에서는 경이로움과 아름다움을 지닌 보석광물 결정형태의 조형성과 보석에 대한 새로운 관점과 재인식을 얻고자 노력하였다. 우선 본 논문은 천연보석 성장형태 를 응용한 장신구 디자인 연구로 준비된 논문이며, 보석광물에 관한 내용은 관련 서적 에서 참조 및 인용하였다. 자연과 자연의 여러 산물의 신비로움과 아름다움은 예전부터 인간에게 경이로움의 대상이었고 표현의 대상이 되어왔기에 인간의 조형 활동에서 가장 근원적인 소재가 되어왔다. 우리 인간이 보석을 처음으로 대면하였을 때부터 보석의 아름다움과 가치 가 변치 않음에 경탄하였고 그만큼 귀한 돌(鑛物)이었기에 ‘보석(寶石)’이라 하였다. 보석은 지구내부에서 일어나는 지각활동과 자연의 일정한 규칙아래서 성장한 것으로 서 기하학적인 다면체 원석의 모습이 마치 사람이 깎아서 만든 것처럼 보이지만 그 신비로운 형태들은 모두 자연에서 저절로 만들어진 놀랍고 소중한 산물이다. 디자인과정과 응용사례의 경우, 아름다운 자연물과 그 의미를 갖는 것에 대한 관심 은 작가별로 다양한 형태로 나타나며, 여러 조형물과 공예작품에서 보석광물의 조형 성을 디자인에 응용한 사례도 다수 찾아 볼 수 있었다. 본 논문의 장신구 디자인 연 구에 앞서 자연의 경이로운 산물인 보석광물의 특징을 분석하고 형태를 정리하는 절 차로 진행하였다. 보석광물의 가장 중요한 특징은 여러 가지 원소의 결합으로 결정을 이루고 있다는 점이다. 일반적 고찰로는 보석광물의 개요와 구성 원소들이 어떻게 배열되는지 그리 고 어떻게 아름다운 여러 가지 모양의 결정형태가 만들어지는가에 대한 과정을 살펴 보며, 성장배경을 조사하여 보석광물의 결정형태에 대해 알아보았다. 이를 바탕으로 보석결정들의 각 형태적 종류와 조형적 특성을 분류하였으며, 단결정, 쌍정, 다결정질 집합체의 세 가지 형태별 구분으로 정리하여 디자인에 응용하였다. 작품제작은 세 가 지의 형태적 구분을 바탕으로 하여 12작품으로 완성하였다. 본 연구를 통하여 자연의 산물인 보석광물의 다양한 결정형태도 그 예술적 조형성이 뛰어나 훌륭한 디자인 요소로 응용될 수 있음을 보여주었고 보석(寶石)에 대한 예술 적, 문화적 의미가 새롭게 부각될 수 있기를 기대해 본다.

      • 한·중·일 화산재해 대응체계 비교에 관한 연구

        김경준 광운대학교 환경대학원 2016 국내석사

        RANK : 1839

        Since the eruption of Eyjafallayokul in Iceland in 2010 with its impacts in global scale, the potential threat from volcanic disaster increases the attention in Korea due to past historic records of eruptions of Mt. Baekdu and adjacent volcanoes in Japan and China. Due to absence of preparedness to volcanic disaster in Korea, it is important to understand the response and mitigation measures to the volcanic hazard. For this purpose, this paper tries to compile the relevant measures and regulations in Japan and China, among which Japan has a lot of experience in volcanic disaster over history and subsequently build systematic responsive structures both in governmental and civil levels. With comparisons of the regulations and systems for the volcanic disaster preparedness between Korea, Japan and China, this paper present the possible improvement in those in Korea. 백두산은 10세기 중반 VEI(Volcanic Explosivity Index) 규모 7의 대규모 폭발 기록을 보유하고 있고 1668년, 1702년, 1903년까지 소규모의 분화가 있었지만 조용했었다. 하지만 지난 2010년 아이슬란드의 에이야프얄라요쿨 화산 폭발로 화산재의 직ㆍ간접적인 경제적 피해가 국내까지 미치자 백두산 화산폭발에 따른 피해 걱정을 하는 목소리가 높아졌다. 자연재난 피해를 최소화하기 위해서는 그에 따른 피해저감, 인명피해 최소화를 위한 방재기술개발과 교육훈련이 필요하다. 화산피해에 대한 직접적인 경험이 없지만 최근 아이슬란드 화산폭발에 따른 경제적 피해도 무시할 수 없기에, 실제 백두산 또는 주변 국가에서 화산이 발생한 경우, 직ㆍ간접적인 피해 최소화와 화산대응체계의 사전 구축이 요구되고 있는 실정이다. 본 논문에서는 한국, 중국, 일본의 화산재해 대응체계에 대한 조사ㆍ분석을 통하여 시사점을 도출하고, 효율적인 국내 화산재해 대응체계 방안을 제시하고자 한다.

      • 반측 안면 연축 환자에서의 척추기저동맥 신연증과의 연관성에 관한 연구

        김경준 서울대학교 대학원 2016 국내석사

        RANK : 1839

        Objective: Hemifacial spasm (HFS) is frequently caused by vascular compression of the facial nerve. Dolichoectasia of vertebrobasilar arteries (VBDE) may cause vascular crowding in the limited space of the posterior fossa, increasing the chance of vascular contact to the facial nerve. We investigated the prevalence of VBDE in HFS. Methods: We analyzed the presence of VBDE on MRI in patients with HFS and control subjects; age, sex and hypertension were matched. Two blinded readers independently assessed the images. We evaluated the vascular risk factors, including diabetes mellitus, hyperlipidemia, history of ischemic heart disease, and/or stroke, and the presence of lacunes on brain MRI. Results: A total of 620 subjects–310 HFS patients and 310 control subjects–were included. The prevalence of VBDE was higher in HFS patients (48/310, 15.5%) than in controls (10/310, 3.2%), with an odds ratio of 5.82 (95% confidence interval: 2.86–11.85, p < 0.001). The presence of facial nerve contacting vessels was more frequent in VBDE-positive HFS patients (81.3%) than VBDE-negative patients (54.2%), with an odds ratio of 3.48 (95% confidence interval: 1.60–7.57, p = 0.002). Among HFS patients, VBDE-positive patients showed to exhibit a higher mean age, as well as greater frequency of hypertension and history of ischemic heart disease than their VBDE-negative counterparts. Conclusions: We found that VBDE is associated with HFS in a portion of HFS patients. Since vascular risk factors were more frequently observed in VBDE-positive patients, an investigation of VBDE and its risk factors in patients with HFS may be served to prevent vascular complications.

      • 발효기를 이용한 소포로리피드의 생합성 및 산형 소포로리피드의 계면 특성

        金慶俊 中央大學校 大學院 2000 국내석사

        RANK : 1839

        As more restrictions are imposed to environments, interest and demand for biosurfactants has been increased, despite biosurfactants' demerits of high cost for production and poor emulsification power. Although fermentation methods are well advanced, poor emulsification problem is yet to be solved. In this study we synthesized biosurfactant sophorolipids in a jar-fermenter by yeast of Candida bombicola (ATCC 22214) and examined their interfacial properties. In particular, we examined the emulsification power of acidic sophorolipids which were expected to exhibit improved emulsion stability due to their similarity in structure to synthetic chemical surfactants. we have found that fed-batch methods were more effective for the production of sophorolipids than nitrogen-limitation methods. However, as the structural conversion was occurred during fermentation, acidic-form sophorolipids were not detected at the end of fermentation. So we attempted to break the unstable ester and acetyl bond to convert lactonic sophorolipids to acidic sophorolipids by alkaline hydrolysis. Fractionation and separation to obtain pure acidic sophorolipids were formidable task. After the alkaline hydrolysis of lactonic sophorolipid, product were believed to be a mixture of sophorolipid. there were a lot of difficulty to analyze the structure because of high contents of water in product. Hence we named this product S-sophorolipid for ambiguous elucidation of structures of hydrolysis products. The interfacial properties of the SL and S-SL were excellent: surface tensions were 29 mN/m equally and CMC were 10 mg/ℓ, 374 mg/ℓ, respectively. But the emulsification power of these sophorolipids was very poor; emulsions were broken in 2 min at most. It might be needed to execute the experiment of dehydrating purification process for a fermentation product in advance.

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