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- 저자 : 金泰洪 (검색결과 528 건)
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김태홍,유춘희,김희선,홍희옥 한국식생활문화학회 1989 韓國食生活文化學會誌 Vol.4 No.4
This study was designed to evaluate the sensory characteristics and consumer preference of dog meat foods as compared with beef ones. The sensory evaluation was conducted by a 10-member trained panel and 109 persons ranging in age from 23 to 59 years participated in the consumer research. The results were summarized as follows: 1. The sensory characteristics. 1) In case of the meats boiled in water, it did not show any significant differences between dog and cow's meat in color as well as off-flavor. On the contrary, the other characteristics such as odor, tenderness, juiciness and oiliness of dog meat were evaluated stronger than those of beef. 2) When the meats were cooked as Tang (a kind of soup), the dog meat did not show any significant differences from beef not only in color and off-flavor but also in odor. 2. The consumer preference. 1) It appeared that consumers somewhat preferred beef Tang to dog meat Tang. However, they rated dog meat Tang as the "neither liked nor disliked" food on an average. 2) Male consumers showed higher preference than female did for the dog meat Tang. On the overall, dog meat foods are regarded to have some desirable sensory characteristics and can be acceptable to most people.
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3.3kV 항복 전압을 갖는 4H-SiC Curvature VDMOSFET 4H-SiC Curvature VDMOSFET with 3.3kV Breakdown Voltage
김태홍,정충부,고진영,김광수 한국전기전자학회 2018 전기전자학회논문지 Vol.22 No.4
In this paper, we analyzed the power MOSFET devices for high voltage and high current operation. 4H-SiC was usedinstead of Si to improve the static characteristics of the device. Since 4H-SiC has a high critical electric field due to wideband gap, 4H-SiC is more advantageous than Si in high voltage and high current operation. In the conventionalVDMOSFET structure using 4H-SiC, the breakdown voltage is limited due to the electric field crowding at the edge ofthe p-base region. Therefore, in this paper, we propose a Curvature VDMOSFET structure that improves the breakdownvoltage and the static characteristics by reducing the electric field crowding by giving curvature to the edge of thep-base region. The static characteristics of conventional VDMOSFET and curvature VDMOSFET are compared andanalyzed through TCAD simulation. The Curvature VDMOSFET has a breakdown voltage of 68.6% higher than that ofthe conventional structure without increasing on-resistance. 본 논문에서는 고전압, 고전류 동작을 위한 전력 MOSFET 소자에 대한 전기적 특성을 시뮬레이션을 통해 분석하였다. 소자의 정적 특성을 향상시키기 위해 기존의 Si대신 4H-SiC를 이용했다. 4H-SiC는 넓은 에너지 밴드 갭에 의한 높은 한계전계를 갖기 때문에 고전압, 고전류 동작에서 Si보다 유리한 특성을 갖는다. 4H-SiC를 사용한 기존 VDMOSFET 구조는p-base 영역 모서리에 전계가 집중되는 현상으로 인해 항복 전압이 제한된다. 따라서 본 논문에서는 p-base 영역의 모서리에 곡률을 주어 전계의 집중을 완화시켜 항복 전압을 높이고, 정적 특성을 개선한 곡률 VDMOSFET 구조를 제안하였다. TCAD 시뮬레이션을 통해 기존 VDMOSFET과 곡률 VDMOSFET의 정적 특성을 비교, 분석 하였다. 곡률 VDMOSFET은기존 구조에 비해 온저항의 증가 없이 68.6% 향상 된 항복 전압을 갖는다.
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김태홍,이현진,임영석,Kim, Tae-Hong,Lee, Hyeon-Jin,Lim, Yeong-Seog 대한전자공학회 2005 電子工學會論文誌-TC (Telecommunications) Vol.42 No.12
최근 정보량의 증가로 고속 디지털 회로를 요구하고 있다. 이에 따라 소형 고주파 회로에 전자기 특성이 중요하게 대두되었다. 그래서 불완전한 그라운드 상에 PCB 회로의 고속 디지털 전송라인에 대한 신호 집적도와 두 평행 선로 사이의 결합특성을 3차원 전자기 해석법인 시간영역 유한차분법을 이용하여 해석하였다. FDTD 시뮬레이션 결과는 상용 회로 소프트웨어 툴인 ADS 시뮬레이터와 비교하였고, 집중 소자 모델링, 주파수에 따른 슬롯에 의한 전자파의 방사 등을 해석하였다. 결과로써 마이크로스트립 선로 아래 슬롯이 있는 경우 신호의 전송에 큰 영향을 끼치는 것을 알 수 있다. Recently, it has demanded high-speed digital circuits as information increase. Therefore, electromagnetic characteristics of compact microwave circuit occurred importantly. And, the effect of the imperfect ground plane on the signal integrity and influence of coupling between two parallel lines for high-speed digital transmission line on the printed circuit board is investigated by FDTD simulations in 3-D electromagnetic analysis method. The results of FDTD simulation are compared with the ADS simulation in commercial software, analyzed lumped element of modeling and electromagnetic wave's radiation of slot as frequency. As a consequence, when the slot in the ground plane is under microstrip line, it has much effect on propagation of wave.
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우리나라 사슴고기와 노루고기 조리법(調理法)의 역사적(歷史的) 고료(考寮)
김태홍,Kim, Tae-Hong 한국식생활문화학회 1997 韓國食生活文化學會誌 Vol.12 No.3
The purpose of this paper is to examine the various kinds of recipes of deer and roe deer through classical cookbooks written from 1670 to 1943. The recipes of deer and roe deer are found 31 times in the literature written in classical Chinese from 1715 to the mid-l8th century, which can be classified six groups. Their records are less than other recipes such as beef, chicken, pork, lamb, and dog, but the deer recipe is recorded frequently as four times as the roe deer one The deer were cooked and preserved by the following six ways like large-size drying, drying, boiling, soup, roasting, and gruel, while three ones such as boiling, roasting, and drying were applied to the roe deer. However, there is little difference in recipes between deer and roe deer. In case of deer, boiling and drying were the most popular ones with the frequency of 28%. But the recipes of the roe deer, boiling, roasting, and drying are recorded with the same frequency of 33.3%. The recipes were introduced from China, and had many characteristics different from other kinds of meat, of which most process reflected the mordern cooking scientific aspect. The main ingredients were flesh meat, tail, and tongue and horn was used with uniqueness. Salt, vinegar, oil soy sauce, and the white part of the green onion were used as main seasonings. Alcohol, chuncho, sesame flower powder, and cinnamon powder are frequently added.
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$CaSnO_3$와 소결조제가 첨가된 $BaTiO_3$ 유전체 세라믹의 소결거동 및 유전특성
김태홍,이재신,최태구,Kim, Tae-Hong,Lee, Jae-Shin,Choy, Tae-Goo 한국전자통신연구원 1991 전자통신 Vol.13 No.2
고유전율 적충세라믹 커패시터 소재인 $BaTiO_3$ 자기물은 일반적으로 큐리오도인 약 $120^{\circ}C$부근에서 유전율이 최고 약 10,000정도로 증가한 다음 급격히 감소하므로 적절한 이동체를 첨가하여 큐리온도를 상온으로 이동시켜 상온에서 최대 유전율을 이용하여야 한다. 그리고$BaTiO_3$ 자기물은 $1300^{\circ}C$이상의 고온소결시 고가인 Pd전극이 요구된다. 그러나 자기물의 소결온도를 저온화화면 저가의 Ag합금으로 전극재료를 대체할 수 있다. 본 연구에서는 이동제로서 $CaSnO_3$ 를 이용하여 큐리온도를 상온으로 이동시켰다. 또한 소결온도를 저온화하기 위하여 $BaTiO_3$ 세라믹에 여러가지 산화물을 첨가하여 소결현상을 살펴보았다. 실험결과 첨가제를 넣지 않은 경우 소결온도는 $1350^{\circ}C$의 고온이 필요한 반면, $CuO,B_2O_3$는 $1050^{\circ}C$의 낮은 온도에서도 치밀화와 입도성장이 잘 일어났다. 특히 $B_2$$O_3$ 를 첨가한 경우는 $1250^{\circ}C$이상에서 소결할 때 절연저항이 낮아 유전손실이 큰 문제점을 보였지만, 최대 유전율이 11,000 정도로 높고, 양호한 유전율의 온도변화 특성을 나타내어 우수한 고유전율 소재의 첨가제로 응용될 가능성을 보였다
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