http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
뒤틀린 쿨롱 효과들을 포함하는 (e,e'p) 상호작용에 대한 △-공명의 적용
정윤근,정호용 여수대학교 1998 論文集 Vol.12 No.2
We apply the △-resonance to the (e,e'p) reaction with the inclusion of Coulomb distortion effects. The motivation leads to treat the resonance with non-static △ current operator in nucleus by using Dirac-Hartree single particle model for the ground state and relativistic optical model for the knocked-out proton. It is assumed that the π-meson created by virtual photon through the △-resonance is absorbed in the target nucleus. The DWBA Calculation shows that the contribution of the △-resonance to the (e,e'p) reaction has 10~15% effect for a large energy transfer 250MeV for knocked-out proton from the s shell of ?? Ca in parallel and perpendicular kinematics.
鄭浩鎔 여수대학교 1987 論文集 Vol.1 No.-
energy band structure of Gap is calculated by the empirical pseudopotential method. The Lowdin Brust perturbation theory is considered to reduce matrix size of the secular equation. For these calculations the matrix size(∼15×15) is smaller than in the CB(∼20×20) case and J.R. Chelikowsky etal. case (∼30×30). Form factors are decided from reflectivity spectra, ultraviolet photoemission spectra(UPS) and x-ray photoemission spectra (XPS) data. Reflectivity data is well explained by these calculations. The agreements of theory and experimental data of UPS and XPS are improved by considering effective mass.
격자정합된 4원계 화합물 반도체 In Ga Al As의 에너지띠 구조계산
정호용 여수대학교 1995 論文集 Vol.9 No.-
The energy band structure of the quatemary material In??Ga??Al??As lattice matched to InP is calculated by the empirical pseudopotential method(EPM) with another virtual crystal approximation(VCA). The calcuated results are consistent with experimental values.
정호용,전주형,김성훈,한창열 인제대학교 1987 仁濟醫學 Vol.8 No.2
환자의 x-ray 사진을 비롯한 각종 영상자료와 기타 진료 자료는 날로 그 量이 방대해져서 보관과 관리에 많은 문제점이 따르고 있다. 이에 경이적인 기억용량을 갖는 光 디스크 저장기술과 영상처리 기술, 근거리 네크워크 등이 통합된 영상 시스템을 이용하여 환자 정보를 좁은 공간에 보관하고 네트워크를 통해 필요한곳으로 전송할 수 있는 방법에 대해 고찰하였다. There has been many difficulties to store and transfer images and other data of patients. Because the amount of X-ray films and other data is so much and increasing day after day. Optical store would function similarly to a facility's film library, with the added benefits of reduced stored space, faster access time, and no loss of films. The entire imaging system could coexist on the network with the facility's hospital information system, allowing a complete integration of patient images, patient data records, and administrative functions.
반도체 패키지 봉지재용 에폭시 수지 조성물의 신뢰특성에 미치는 실리카 고충전 영향
정호용,문경식,최경세 한국마이크로전자및패키징학회 1999 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.6 No.3
무기 충전제를 고충전시킨 에폭시 수지 조성물이 반도체 패키지의 신뢰성에 미치는 영향을 검토하였다. Ouchiyama 등의 모델로부터 최대충전밀도를 향상시킴으로써 고충전을 달성할 수 있는 방법을 제시할 수 있었으며, 최대충전밀도가 증가함에 따라 에폭시 수지 조성물의 점도가 감소하였고, 흐름성이 개선되었다. 충전제 함량이 증가함에 따라 흡습 특성이 향상되었고 열팽창계수를 낮춤으로써 저응력화를 달성할 수 있었으나, 임계 충전제 함량 이상에서는 금속 리드프레임과의 접착강도가 저하되었다. 따라서 에폭시 수지 조성물의 균형 있는 신뢰 특성을 얻기 위해서는 충전제 함량을 적정하게 선택해야 하며, 충전량을 더욱 높여 고신뢰성을 얻기 위해서는 최적의 충전제 조합을 선정하여야 함을 알 수 있었다. The effects of high filler loading technique on the reliability of epoxy molding compound (EMC) as a microelectronic encapsulant was investigated. The method of high filler loading was established by the improvement of maximum packing fraction using the simplified packing model proposed by Ouchiyama, et al. With the maximum packing fraction of filler, the viscosity of EMC wart lowered and the flowability was improved. As the amount of filler in EMC increased, several properties such as internal stress and moisture absorption were improved. However, the adhesive strength with the alloy 42 leadframe decreased when the filler content was beyond the critical value. It was found that the appropriate content of filler was important to improve the reilability of EMC, and the optimum filler combination should be selected to obtain high reliable EMC filled with high volume fraction of filler.
온도 및 조성비 변화에 따른 질화물계 화합물 반도체 GaAs1-xNx의 에너지 밴드갭과 광학상수 계산
정호용,김대익 한국전자통신학회 2018 한국전자통신학회 논문지 Vol.13 No.6
본 연구에서는 무질서 효과가 고려된, 새로이 가정한 가상 결정 근사법을 갖는 empirical pseudopotential method를 사용하여 온도와 조성비 변화에 따른 3원계 질화물계 화합물 반도체 GaAs1-xNx의 휨 매개변수 및 에너지 밴드갭을 계산하였다. 300K의 조성비 구간(0≤x≤0.05)에서 에너지 밴드갭들이 급격히 감소하며, 해당하는 계산된 휨 매개변수가 15eV임을 알 수 있었다. 에너지 밴드갭 계산 결과로부터 굴절률 n과 고주파 유전상수 ε를 계산하였고, 에너지 밴드갭 계산 결과는 실험치를 대체로 잘 설명하였다. The energy band gaps and the bowing parameters of zincblende GaAs1-xNx on the variation of temperature and composition are determined by using an empirical pseudopotential method with another virtual crystal approximation, which includes the disorder effect. The bowing parameter calculated is 15eV and the energy band gaps are decreased rapidly for GaAs1-xNx (0≤x≤0.05, 300K). A refractive index n and a function of high-frequency dielectric constant ε are calculated by the results of energy band gaps and the calculation results of energy band gaps are consistent with experimental values.