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미분층 반응기에서 Sol-Gel 법에 의해 제조된 이산화티타늄을 이용한 납이온(Ⅱ) 흡착특성 연구
홍성철,홍교민,김문선,정재관 한국공업화학회 2002 한국공업화학회 연구논문 초록집 Vol.2002 No.0
미분층 반응기에서 Sol-Gel 법에 의해 제조된 이산화티타늄을 이용한 납이온(Ⅱ) 흡착특성 연구 홍성철 · 김문선 · 정재관 성균관대학교 화학공학과 페인트 공장 폐수와 폐축전지 등에서 유출되는 납이온(Ⅱ)는 납 중독을 일으키는 원인이 되는데 신경계와 소화기계에 많은 장애를 일으킨다. 이러한 납이온(Ⅱ)를 효과적으로 제거하기 위해 무기분체의 흡착특성을 이용하는 연구가 현재 활발하게 진행되고 있다. 본 연구에서는 최근 많이 이용되고 있는 무기분체 중의 하나인 이산화티타늄을 전구체로 titaniumtetraisopr- oxide을 사용하고, 에탄올을 사용하여 pH 4에서 졸-겔법에 의해 합성하고 500°C에서 1시간 동안 하소시켜 anatase-type titanium dioxide를 제조했다. Langmuir와 Freundlich 흡착등온식을 이용하여 각각 79%와 83%의 신뢰도를 얻었고 Freundlich 식의 신뢰도가 더 높았음을 알 수 있었다.. 흡착 반응기구를 구명하기 위해 시간에 따라 고정층 반응기를 통과한 유체의 납이온 농도를 측정하고 이 값을 이용하여 정반응을 구한 후 대수좌표의 도식적분을 통해 역반응의 흡착속도식을 각각 계산하고 총괄 흡착속도식을 구한 결과 anatase-type titanium dioxide의 납이온(II)에 대한 홉착 총괄속도식 r은 다음 식 (1)과 같이 나타났다. r= 0.75Ce<sub>8.302</sub>- 0.51q<sub>e2.01</sub> (1)
High Speed Cu-Ni Filling into TSV for 3-Dimensional Si Chip Stacking
홍성철,Santosh Kumar,정도현,김원중,정재필 대한금속·재료학회 2013 METALS AND MATERIALS International Vol.19 No.1
The effect of Ni addition on high speed Cu filling into a TSV (through-silicon-via) was investigated for three dimensional (3D) Si chip stacking. Tapered vias were prepared in a Si wafer by deep reactive ion etching process. In order to increase the filling ratio of Cu-Ni into the via, a periodic pulse reverse (PPR)current waveform was applied for electroplating. For comparison Cu filling in the via was also carried out using a PPR current waveform. The Cu and Cu-Ni alloy-filled via was observed by field emission scanning electron microscopy (FE-SEM) to investigate the filling ratio of the vias and to observe the deposition characteristics. The calculated rate of Cu-Ni nuclei formation on the cathode surface was increased by about 1.7 times by Ni addition compared to Cu filling and the increased nucleation rate of the Cu-Ni alloy over Cu was confirmed by FE-SEM. The filling ratio of the Cu-Ni alloy was 1.3 times higher than that of Cu at the same time. The Cu-Ni filling process by the PPR current waveform was confirmed to be effective to fill the TSV in a short time.