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구형 마이크로스트립 안테나의 개선된 복사 어드미턴스 계산방법
홍재표,조영기,손현,Hong, Jae-Pyo,Cho, Young-Ki,Son, Hyon 대한전자공학회 1989 전자공학회논문지 Vol. No.
본 논문에서는 균일한 유전체로 채워져 있고 윗면에 슬릿이 있는 평행평판 도파로의 ${\pi}-$ 등가회로로 부터 구형 마이크로스트립 안테나의 복사 컨덕턴스와 서셉턴스를 동시에 구하는 새로운 방법을 제시하였다. 계산된 결과를 기존의 이론치와 비교하였다. 또한 등가전송선로를 이용하여 반사손실(return loss) 및 공진주파수를 계산하여 실험치와 비교한 결과 양호한 특성을 얻었다. In this paper, a new method which simultaneously gives the radiation conductance and susceptance of the rectangular microstrip patch antenna. This solution is derived from the load admittance of the equivalent ${\pi}-$network circuit of the slitted parallel-plate waveguide filled with homogeneous dielectric. Our theoretical results for the radiation admittance are compared with other theoretical results. Also, our theoretical return loss and resonant frequency which are calculated by use of the equivalent transmission line model are in fairly good agreement with the experimental results.
개구 결합된 광대역 U-슬롯 마이크로스트립 패치 안테나에 관한 연구
洪在杓,金鍾奎 경일대학교 2001 論文集 Vol.17 No.-
In this paper, the aperture-coupled U-slot microstrip patch antenna is studied for the bandwidth improvement. The aperture is used as a mechanism for coupling the radiating element to the microstrip feedline, and the aperture-coupled configuration provides the advantage of isolating spurious feed radiation by use of common ground plane. Experimental results include return loss, VSWR, radiation pattern and gain measurements are presented on the aperture-coupled U-slot microstrip patch antenna. The impedance bandwidth (VSWR≤2) of the antenna is 6.4% centered at 2.35GHz, and the average gain is 5.3dBi.
Potentially Unstable한 GaAs FET를 이용한 광대역 마이크로파증폭기에 관한 연구
홍재표,조영기,손현,Hong, Jae-Pyo,Cho, Young-Ki,Son, Hyon 한국통신학회 1987 韓國通信學會論文誌 Vol.12 No.1
Potentially unstable한 GaAs FET를 사용하여 3~4GHz에서 평탄한 이득특성을 갖는 광대역 초고주파 증폭기를 설계하였다. 입력정합회로는 유용전력이득이 14dB인 원을 사용하여 안정한 영역에 존재하도록 설계하였다. 출력정합회로는 최대전력이 전달되고 또한 안정한 영역에 존재하도록 Fano의 대역통과 정합이론을 사용하여 설계하였다. 전송 전력이득 및 $S_11$과 $S_22$의 실험치는 이론치와 거의 유사한 특성을 나타내었다. The broadband microwave amplifier in the 3~4GHz frequency range has been designed by using potentially unstable GaAs FET. Input matching network is designed by 14dB available power gain circles which are in the stable region. In order to obtain maximu, transducer power gain, output matching network which is in the stable region can be designed using Fano's bandpass matching network. The measured values of transducer power gain, $S_11$and $S_22$ show close agreements with the theoretical valuse.
S-대역용 인셋 급전 구형 마이크로스트립 패치 안테나 연구
홍재표,김병문,손혁우,조영기,Hong, Jae-Pyo,Kim, Byung-Mun,Son, Hyeok-Woo,Cho, Young-Ki 한국정보통신학회 2014 한국정보통신학회논문지 Vol.18 No.10
본 논문에서는 S-대역에서 동작하는 구형 마이크로스트립 패치 안테나의 인셋 급전 구조에 대해 연구하였다. 인셋 급전 구조에서 인셋의 길이와 폭의 변화에 따른 안테나의 반사손실 특성을 조사하였고, 결과로부터 최적 인셋 급전 안테나를 설계하고, 이득 및 복사패턴을 구하였다. 2.3 GHz에서 최적화된 안테나의 패치 크기는 $45.0mm{\times}40.9mm$, 인셋의 길이는 14 mm, 인셋의 폭은 1 mm이다. 그리고 유전율이 2.5, 두께가 0.787 mm인 기판을 사용하였으며, HFSS를 이용하여 시뮬레이션을 하였다. 인셋 급전 안테나를 제작하여 반사손실을 측정한 결과, 2.3025 GHz에서 -21.11 dB로 이론 결과와 일치함을 알 수 있었다. In this paper, the characteristics of a inset fed rectangular microstrip patch antenna for S-band applications is studied. The variations of return loss along inset length and inset width are investigated on the inset fed rectangular microstrip patch antenna. From the investigated results, the optimized inset fed antenna is designed. At the resonant frequency 2.3 GHz, the optimized dimension of the patch is $45.0mm{\times}40.9mm$. The inset length and width are 14 mm and 1 mm, respectively. The designed antenna is fabricated on the substrate which has a dielectric constant and thickness with 2.5 and 0.787 mm. Simulation results are obtained by a 3D EM(Electromagnetic) solver. The resonant frequency and return loss are measured 2.3025 GHz and -21.11 dB, respectively. The measured and simulated results of the fabricated antenna are in good agreement.
CSLR을 갖는 인셋 급전 마이크로스트립 안테나에 관한 연구
홍재표,김병문,Hong, Jae-Pyo,Kim, Byung-Mun 한국전자통신학회 2014 한국전자통신학회 논문지 Vol.9 No.8
본 논문에서는 CSLR(Complementary Single Loop Resonator)을 이용한 인셋 급전 마이크로스트립 안테나의 특성에 대해 연구하였다. SLR(Single Loop Resonator) 단일 구조에서 시뮬레이션 셋업 과정을 통해 산란계수로부터 실효투자율을 계산하였으며, 실효투자율이 음의 값을 갖는 주파수에서 SLR 구조의 치수를 선택하였다. 그리고 인셋 급전된 마이크로스트립 안테나의 접지면에 SLR 구조의 쌍대 구조인 CSLR을 $3{\times}3$으로 배열하여 최적 안테나를 설계하였다. 설계한 안테나의 반사손실과 복사패턴을 구하였으며, 공진주파수 2.82 GHz에서 기존의 인셋 급전 안테나와 크기를 비교하면 면적 대비 약 56.8%가 감소하는 결과를 얻었다. 사용된 툴은 3차원 FEM 툴인 Ansoft사의 HFSS를 사용하였다. In this paper, the characteristics of inset fed microstrip antenna loaded with CSLR(complementary single loop resonator) are studied. Effective permeability parameters of the SLR unit cell is retrieved from simulated scattering parameters, and structure parameters of the SLR unit cell are selected so that effective permeability is negative value at the operating frequency. The optimized inset fed microstrip antenna loaded with SLR for a $3{\times}3$ array in the ground plane of a conventional patch antenna is designed and simulation results of return loss and radiation pattern are shown. At resonant frequency 2.82 GHz, the overall dimension of the proposed antenna is reduced by approximately 56.8% compared to the conventional inset fed antenna. Simulation results are obtained by 3D FEM solver(Ansoft's HFSS).