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흥미 및 강화 변인이 주의력결핍-과잉행동장애유아의 회상기억과 재인기억에 미치는 영향
임정섭,조광순 한국정서학습장애아교육학회 2002 정서ㆍ행동장애연구 Vol.18 No.3
This study investigated the effects of interest (antecedent) and reinforcement (consequent) variables on recall and recognition memories of young children with Attention Deficit Hyperactivity Disorder(ADHD). Forty-five 5-year-old children with and without ADHD participated in this research. The results of the research show that normal children demonstrated higher points in recall and recognition than ADHD children, and the children in the interest and reinforcement groups demonstrated higher points in both recall and recognition than control group. The ADHD children, the children who were given tasks based on their interest and reinforcement demonstrated better recall and recognition than those in the control condition. The results of the research also demonstrated that there were no significant differences in recall and recognition between the interest and reinforcement groups among the ADHD children. These results indicate that task motivation with both antecedent of interest and consequent of reinforcement variables could improve the attention and learning of young children with ADHD. This suggests that the most effective learning methods for children with ADHD is to instill interest and motivation for tasks, modifying their learning materials and tasks based on their interest, and reinforcing them on task behaviors.
전계효과 트랜지스터(FETs)를 이용한 전하 검출형 DNA 센서에서 Debye length에 따른 검출 감도
송광섭(Kwang Soup Song) 大韓電子工學會 2011 電子工學會論文誌-SC (System and control) Vol.48 No.2
전계효과 트랜지스터(FETs)를 이용한 전하 검출형 DNA센서는 DNA가 가지고 있는 음전하를 중성화 시키는 양이온의 영향은 매우 중요하다. 본 논문에서는 양이온 농도에 의존하는 Debye length에 관한 연구를 통해 DNA 검출감도를 평가하였다. Debye length는 낮은 농도의 NaCl 용액에서 긴 거리를 유지하며, Debye length가 높은 용액에서 DNA가 가지고 있은 음전하는 게이트 채널에 보다 많은 영향을 미친다. 용액내 NaCl농도가 1 mM인 버퍼 용액에서 상보적 DNA의 hybridization에 의한 전계효과 트랜지스터의 게이전압은 21 ㎷ 시프트 했으며, NaCl 농도가 10 mM인 버퍼 용액에서는 7.2 ㎷, NaCl농도가 100mM인 버퍼 용액에서는 전계효과 트랜지스터의 게이트 전압이 5.1 ㎷ 각각 시프트 하였다. 이러한 결과를 바탕으로 전계효과 트랜지스터를 이용한 전하 검출형 DNA센서의 검출 감도는 Debye length에 의존하는 것을 규명하였다. The effects of cations are very important in field-effect transistors (FETs) type DNA sensors detecting the intrinsic negative charge between single-stranded DNA and double-stranded DNA without labeling, because the intrinsic negative charge of DNA is neutralized by cations in electrolyte solution. We consider the Debye length, which depends on the concentration of cations in solution, to detect DNA hybridization based on the intrinsic negative charge of DNA. The Debye length is longer in buffer solution with a lower concentration of NaCl and the intrinsic negative charge of DNA is more effective on the channel surface in longer Debye length solution. The shifts in the gate voltage by DNA hybridization with complementary target DNA are 21 ㎷ in 1 mM NaCl buffer solution, 7.2 ㎷ in 10 mM NaCl buffer solution, and 5.1 ㎷ in 100 mM NaCl buffer solution. The sensitivity of FETs to detect DNA hybridization based on charge detection without labeling depends on the Debye length.
다이아몬드 FETs에서 전기적 바이어스 방법을 이용한 단일염기 다형성(SNPs) 검출
송광섭(Kwang Soup Song) 대한전자공학회 2015 전자공학회논문지 Vol.52 No.3
돌연변이 및 유전병의 원인이 되고 있는 유전자 단일염기 다형성(single nucleotide polymorphisms; SNPs) 검출은 조기진단, 치료 및 제약등 바이오관련 분야에서 매우 중요하다. SNPs 검출을 위한 방법은 다양하게 제시되고 있으나 상보적 DNA와 SNPs의 에너지 차이가 미세하여 SNPs 검출에는 많은 어려움이 존재한다. 본 논문에서는 SNPs를 검출하기 위하여 전하 검출형 전계효과 트랜지스터(field-effect transistors; FETs)를 이용하여 DNA가 가지고 있는 음전하 측정 방법으로 SNPs를 검출하였다. 상보적 DNA와 SNPs의 미세한 에너지 차이를 구분하기 위하여 타게트 DNA hybridization공정에서 드레인-소스 전극에 -0.3 V의 음전압을 인가하였다. 음전압 인가에 따라 DNA 자체 음전하와 센서 표면의 음전압의 전기적 반발력에 의해 센서에 검출되는 타게트 DNA hybridization 신호 크기는 감소하였으나 상보적 DNA와 SNPs의 신호 차는 1.7 ㎷에서 8.7 ㎷로 5배 이상 증가하여 검출되었다. The detection of single nucleotide polymorphisms (SNPs) caused of mutant or genetic diseases is important to diagnosis and medicine. There are many methods have been proposed to detect SNPs. However the detection of SNPs is difficulty, because the difference of energy between complementary DNA (cDMA) and SNPs is very small. In this work, we detect the SNPs using field-effect transistors (FETs) which based on the detection of negative charge of DNA. We bias ?0.3 V on the drain-source electrode at the target DNA hybridization process. The efficiency of hybridization and the amplitude of signal decrease by repulsive force between negative charge of DNA and negative bias on the electrode. However, the sensitivity of SNPs increases about 5 times from 1.7 ㎷ to 8.7 ㎷.