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Latchup이 발생하지 않는 Trench-Isolated CBiCMOS 소자의 설계
송인채 崇實大學校 生産技術硏究所 1998 論文集 Vol.28 No.-
We desined latchup-free CBICMOS devices which operate at high speech even if scaling down. We adopted trench isolation technogy, which allows high integrity and low capacitance. According to simulation results, current gaing and cutoff frequency of the NPN transistor are 200 and 22 GHz, respectively, and those of the PNP transistor are 35 and 10 GHz, respectively. The transconductance of the NMOS transistor with the channel length of 1.5 ㎛ and the gate oxide of 300Å is 6.02x10-?? A/㎛V, and that of the PMOS transistor is 2.16x10-??A/㎛V. We found out that the designed devices were free from latchup if the epitaxial layer thickness is less than 9㎛ with the p+ substrate.
송인채 崇實大學校 生産技術硏究所 1993 論文集 Vol.23 No.-
We propose to substantially improve the dc-to-RF conversion efficiency of the quantum well injection transit time (QWITT) diode by introducing a compositionally graded drift region. The built-in effective electric field due to the conduction band grading allows us to reduce dc bias voltage, and consequently enhances the efficiency. Simulations of the proposed structure have been carried out using energy-band parameter of the AlGaAs system. The conversion efficiency is found to be increased by more than one third throughout the millimeter-wave frequency range.
송인채 崇實大學校 生産技術硏究所 1995 論文集 Vol.25 No.1
A mathematical model for the Varian 3125 sputter deposition system has been developed to investigate step coverage profile. The model is a generalized on which can be extended to any other sputtering deposition system. The step coverage of TaSi₂on polysilicon has been simulated and compared with experimental observation by SEM(Scanning Electron Microscopy), which shows good agreement. Simulation results show that step coverage depends on step shape, step orientation, and the ratio of the film thickness to the step height. Step coverage can be optimized by shaping the step properly such as rounding the corner and varying the slope.
기술이전을 위한 기술수요자 중심의 가치평가 방법론 개발
윤두섭(DooSeob Yun),박인채(Inchae Park),윤병운(Byungun Yoon) 한국산학기술학회 2016 한국산학기술학회논문지 Vol.17 No.11
기술 가치평가는 개발된 기술에 대한 사업화 과정에서 사업타당성을 평가할 수 있는 근거가 된다. 그러나 기술 자체의 평가에만 초점을 두는 전통적인 평가 방법은 구매자의 입장을 충분히 반영하지 못하는 한계를 지니고 있기 때문에, 평가된 기술의 가치는 실제 시장에서 체감하는 정도와 차이를 보일 수 있다. 따라서 본 연구는 실제 가치평가의 주요 거래자라 할 수 있는 수요자 입장을 반영한 기술가치 평가 방법을 제시하고자 한다. 평가방법은 첫째 기술의 본질적인 가치를 평가하는 기술성 요인, 수요자의 환경·역량 등을 평가하는 기술수요자 요인, 시장가치를 나타내는 시장성 요인을 도출하고 이들의 연관관계를 분석한다. 둘째, 요인 간 연계 구조를 토대로 수익접근법에 의해 기술의 기대이익을 산출한다. 마지막으로, 산출된 기대이익은 현가화하여 최종적인 기술 가치를 나타낸다. 제안된 방법론을 ‘유비쿼터스 홈네트워크 시스템과 이를 이용한 음성서비스 및 조명제어 방법’ 기술에 적용하여 가치 평가를 수행하였으며, 평가 결과를 산업통상자원부에서 배포한 기술가치평가 가이드에 따른 기술가치평가와 비교하여 타당성을 검증하였다. 본 연구의 기술가치평가 방법은 보다 정량적이고 체계적인 접근법에 기반하였으며, 기술거래 이해관계자의 입장을 반영한 기술이전을 위한 의사결정지원 도구로서 활용될 수 있다. Technology valuation is necessary for determining the feasibility of technology commercialization. However, existing methods focus only on technology evaluation, with limitation in sufficiently reflecting buyer viewpoint. In addition, it causes a gap between estimated value and market value. Therefore, this research suggests a new technology valuation method which focuses on the perspectives of buyers. Technology factors, buyer factors and market factors are first determined and their relationships are analyzed. Second, based on the relationships, profit projections are calculated using the discount cash flow method. Finally, profit projections for each year are discounted. The proposed method was applied using the ubiquitous home network system and audio service and illumination control method and results compared with the value of a technology valuation guide distributed by the Ministry of Trade, Industry and Energy. The technology valuation approach used in this research is quantitative and systematic and can be used as a decision making support tool in technology transfer, reflecting various perspectives of stakeholders.
근거리장에서 NFS를 사용한 차폐효율 평가방법에 관한 연구
박정열(Jungyeol Park),송인채(Inchae Song),김부균(Boo-Gyoun Kim),김은하(Eun-Ha Kim) 대한전자공학회 2016 전자공학회논문지 Vol.53 No.8
본 논문에서는 근거리장에서 NFS(near field scanning)를 사용한 차폐효율 평가 방법을 통해 CNT(carbon nanotube) 필름의 차폐 특성을 분석하였다. 차폐 특성 평가는 농도 5%와 1mm의 두께를 가지는 CNT 필름과 실제 IC package를 모사한 테스트쿠폰을 사용하여 CNT 필름과 테스트쿠폰과의 거리에 따른 전자파 차폐효율 및 측정 위치에 따른 차폐효율을 측정하였다. 그 결과 근거리장에서 측정된 차폐효율은 주파수에 따라 차폐효율이 달랐다. 테스트쿠폰의 중심에서 측정된 전기장 차폐효율은 fringing effect의 영향을 받는 패턴경계보다 전기장 차폐효율이 좋은 것으로 측정되었다. 이는 근거리장에서 측정된 차폐효율은 주파수뿐만 아니라 CNT 필름과 측정 프로브의 높이, 측정 위치와 같은 측정 환경에 영향을 받는 것을 보여준다. 결론적으로 근거리장에서 제안된 방법을 사용하여 측정한 차폐효율과 ASTM D 4935-10에 의해 측정된 차폐효율은 연관성을 찾기 어렵기 때문에 전장 시스템의 거리 영역에 따라 적절한 측정 방법을 고려하여 측정해야 한다. In this paper, we evaluated shielding effectiveness (SE) of carbon nanotube (CNT) film using near field scanning (NFS) in near field analysis. We adopted CNT film with deposit carbon density of 5% and thickness of 1mm for evaluation of shielding characteristic. Using a test coupon analogized to an actual IC package, we measured SE according to measuring position and SE according to distances between the CNT film and the test coupon. As a result, the measured SE in the near field varied with frequency. Especially, the measured electric field SE in the center of the test coupon is better than that of the measured edge point of the test coupon where it is affected by fringing effect. The results show that the measured SE in the near field is affected not only by frequency but also by measurement environment such as position and height of the probe and height of shielding film. In conclusion, we should choose proper methods for SE measurement considering interference distance in the electronic control system because there is little correlation between the proposed evaluation method in the near field and ASTM D 4935-10.