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      • 수중기지국 기반 수중통신망 구축 및 성능 시험

        김도훈(Kim Do Hoon),채광영(Chae Kwang Young),고만재(Go Man Jae),정해지(Jeong Hae Ji),유호동(Liu Hao Dong),조용호(Cho Young Ho) 한국통신학회 2021 한국통신학회 학술대회논문집 Vol.2021 No.2

        본 논문에서는 수중음향통신을 활용하여 CTD센서와 DO센서를 통해 수중환경데이터를 측정하고, 측정된 값을 육상에서 확인할 수 있도록 하는 실험을 진행하였다. 본 실험은 남해 실해역에서 20년 12월 12일부터 20일까지 진행되었으며, 구조물은 해수면에 해상부이 1대, 해저면에 수중기지국 2대, 센서노드 10대를 설치하였다. 모든 구조물에는 송신을 위한 트랜스듀서와 수신을 위한 하이드로폰이 장착된다. 해상부이는 해저면에 설치된 수중기지국과 센서노드에서 수중환경데이터를 수신한 후 육상 서버와 통신하여 패킷을 전송한다. 데이터는 1시간 단위로 전송되도록 설정하였으며 실험결과, 패킷 성공률은 약91.20%인 것을 확인하였다.

      • Bonded SOI 웨이퍼 제조를 위한 기초연구

        정해도,문도민,강성건,류근걸 釜山大學校生産技術硏究所 1997 生産技術硏究所論文集 Vol.52 No.-

        SOI(Silicon On Insulator)기술은 MOS(Metal-Oxide Semiconductor), CMOS(Complementary MOS)등의 전자집적회로 제조시 소자의 고속화, 고집적화, 저전력화, 발열 특성의 향상 등의 효과를 기대할 수 있다. 간략하게 Bonded SOI웨이퍼의 제조를 설명하면 SiO₂를 성장시킨 웨이퍼와 경면 가공한 다른 웨이퍼를 접합하여 열처리 등 후공정을 행한 후 한쪽 웨이퍼를 원하는 두께만큼 박막으로 가공한다. 본 연구에서는 기본적인 Bonded SOI 웨이퍼의 제조 공정 기술을 획득하고, 이를 통해 두께 3㎛ 이하, 표면거칠기 5Å이하의 상부 실리콘 박막을 가공하였다. SOI(Silicon On Insulator) technology is many advantages in the fabrication of MOS(Metal-Oxide Semiconductor) and CMOS(Complementary MOS) structures. These include high speed, lower dynamic power consumption, greater packing density, increased radiation tolearence et al. In the smiplest form of bonded SOI wafer manufacturing, creating, a bonded SOI structure involves oxidizing at least one of the mirror polished silicon surfaces, cleaning the oxidized surface and the surface of the layer to which it will be bonded, bringing the two cleanded surfaces together in close physical proximity, allowing the subsequent room temperature bonding to proceed to completion, and then following this room temperature joining with some form of heat treatment step, and device wafer is thinned to the target thickness. In this paper, The process of Bonded SOI wafer manufacturing is described briefly, and we made an attempt to manufacture the Bonded SOI safer that Si layer thickness is below 3㎛ and average roughness is below 5Å.

      • 오래 잠그어 둔 수도에서 유출되는 철분의 함량

        송도미,이승희,신연욱,장혜경,오경숙,전현 효성여자대학교 가정대학 학도호국단 1984 家政大論集 Vol.3 No.-

        This study given here presents the results of an experimental investigation of the iron contents contained in the city water which not used for a long time in the winter. The measurements were performed after turning on and for flowing water in a moment. And the quantitative analysis was studied by chemical form and the results were as follows. 1. The content of the ferrous ion was 113.8-14.4 ppm, water soluble iron was 22.5-14.4 ppm and acid soluble iron was 150-10 ppm. 2. Iron contents of the each chemical from gradually reduced but it appeared high value than standard value of city water until five minutes.

      • 흰쥐 腦의 中心扁桃核에서의 Substance P 및 Enkephalin 함유구조의 형태학적 특징

        마도훈,조희중,김은희,박매자,배용철,홍해숙,주강 慶北大學校 醫科大學 1990 慶北醫大誌 Vol.31 No.4

        흰쥐 뇌의 중심편도핵에서의 substance P (SP) 및 Enkephalin (ENK) 함유신경세포 및 축삭종말의 분포를 관찰하기 위하여 peroxidase antiperoxidase법을 행하여 다음의 결과를 얻을 수 있었다. SP함유신경세포는 중심편도핵의 medial zone에 분포하였고 SP함유축삭종말은 lateral capsular zone에서 고밀도로 관찰되었다. SP함유신경세포는 원형 내지는 타원형이었고 2∼3개의 근위수상돌기(proximal dendrite)를 가졌다. ENK함유신경세포 및 축삭종말은 공히 central 및 lateral capsular zone에 존재하였다. ENK함유 신경세포는 직경이 약 17-24㎛ 정도였고 3∼4개의 근위수상돌기를 관찰할 수 있었다. The central amygdaloid nucleus is rich in a number of neuropoptides. The present study examines the distribution and morphological characteristics of substance P (SP) and leucine-enkephalin (ENK) containing neurons in this nucleus. The results obtained were as follows: SP immunoreactive cells were observed within the medial zone and SP immunoreactive axon terminals were heaviest within the lateral capsular zone. The immunoreactive cells were round or oval shape (diameter, 15-20㎛) and had two or three proximal dendrites. ENK immunoreactive cells and axon terminals located within central and capsular zones. The immunoreactive cells were round or oval shape (diameter, 17-24㎛) and had three or four proximal dendrites.

      • 이야기 꾸미기와 작문 활동이 단순언어장애 아동의 이야기 회상하기와 쓰기에 미치는 영향

        박정해,권도하 대구대학교 특수교육재활과학연구소 2006 再活科學硏究 Vol.24 No.1

        This study was performed to identify the influence of the story making and writing on the recalling and writingcapabilities of the children with specific language impairment (SLI). The subjects were 4 SLI children who were 7 or 8 years old. The story making and writing activity program was made of 8 stages. They were asked to write 3 to 5 scenes. In story recalling and story writing, the use of story grammar subordinate elements was analyzed and in writing spelling was analyzed together. The results are as follows. First, the use of story grammar subordinate elements was improved in story recalling. There was significant enhancement in background, initiative event and attempt, while there was not much enhancement in internal response and internal planning. Second, the use of story grammar subordinate elements was improved in story writing. The enhancement level in writing was similar to that in recalling. Third, the spelling test score was enhanced in all children. 본 연구는 이야기 꾸미기와 작문 활동이 단순언어장애아동의 이야기 회상하기와 쓰기에 미치는 영향을 알아보기 위해 실시하였다. 연구 대상은 7~8세의 단순언어장애아동 4명을 선정하였다. 이야기 꾸미기와 작문 활동의 프로그램은 8단계로 이루어져 있으며 3장면에서 5장면까지 이야기를 꾸민 후 작문을 하도록 하였다. 분석 방법은 이야기 문법 하위 구성요소들의 출현 빈도를 사용하여 분석하였고, 쓰기에서는 철자 쓰기도 함께 분석 하였다. 결과는 다음과 같다. 첫째, 이야기 회상하기에서 이야기 문법 하위 구성요소들의 사용 빈도가 증가하였다. 배경, 시작 사건, 시도에서 많은 향상을 보였지만 내적 반응과 내적 계획에서는 낮은 향상을 보였다. 둘째, 이야기 쓰기에서 이야기 문법 하위 구성요소들의 사용 빈도가 증가하였다. 그 향상 정도는 이야기 회상하기와 유사하였다. 셋째, 철자 쓰기에서는 대상 아동 모두 철자 쓰기 점수가 향상되었다.

      • Device Wafer의 종점 전후에 있어서 광역평탄화 특성에 관한 연구

        정해도,김호윤 釜山大學校生産技術硏究所 1996 生産技術硏究所論文集 Vol.51 No.-

        화학적 기계적 폴리싱(CMP)은 반도체 제조에서 다층구조의 평탄화에 널리 이용되고 있다. 그러나, 패턴의 형상·물질 차이, 여러 가지 가공 변수와 아직 확립되지 않은 실제 가공 모델링 등으로 인하여 완전한 평탄화를 얻기는 쉽지 않다. 본 논문에서는 에치 백 방법 대신 메탈(텅스텐) 폴리싱에 따르는 절연산화막의 평탄화를 실현하였다. CMP 가공동안의 패턴 형상 평가는 AFM을 사용하였다. AFM 평가는 다른 일반적인 평탄도 측정에 비해서 미소 측정에 상당히 효과적이었다. 더불어 평탄화 특성 분석과 CMP 모델링 확립에 크게 기여할 것이다. Chemical mechanical polishing (CMP) has become widely accepted for the planarization of multi-interconnect structures in semiconductor manufacturing. However, perfect planarization is not so easily achieved because it depends on the pattern sensitivity, the large number of controllable process parameters, and the absence of a reliable process model, etc. In this paper, we realized-the planarization of deposited oxide layers followed by metal (W) polishing as a replacement for tungsten etch-back process for via formation. Atomic force microscope (AFM) is used for the evaluation of pattern topography during CMP. As a result, AFM evaluation is very attractive compared to conventional methods for the measurement of planarity. Moreover, it will contribute to analyze planarization characteristics and establish CMP model.

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