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      • KCI등재

        구형 마이크로스트립 안테나의 간격에 대한 새로운 Radiating Edges-Coupling(REC) 모델

        홍재표,조영기,손현,Hong, Jae-Pyo,Cho, Young-Ki,Son, Hyon 대한전자공학회 1989 전자공학회논문지 Vol. No.

        본 논문에서는 결합된 구형 마이크로스트립 안테나사이의 간격에 대한 새로운 등가모델인 Radiating Edges-Coupling(REC) 모델을 제시하였다. REC모델은 균일한 유전체로 채워져 있고 윗면에 슬릿이 있는 평행평판 도파로의 등가회로로 부터 유도하였다. 결합간격이 0.5, 1.0, 1.5, 및 2.0mm인 경우에 REC모델을 적용하여 2.5GHz와 3.5GHz 사이의 주파수에서 산란계수 | $S_{11}$ |과 |$S_{12}$|의 이론치와 실험치를 비교한 결과 서로 일치되는 양호한 특성을 얻었다. In this paper, a new model is presented which characterizs the coupling of the radiating edges between two rectangular microstrip patch antennas. This model, namely Radiating Edges-Coupling (REC) model, is derived from the equivalent circuit of the slitted parallel-plate waveguide filled with homogeneous dielectric. Applying the REC model to two coupled rectangular microstrip patch antennas, we obtain numerical S-parameter values of |$S_{11}$| and |$S_{12}$|for the various coupling separations, $S_e$=0.5, 1.0, 1.5, and 2.0mm. Theoretical results are in fairly good agreement with experimental results.

      • KCI등재

        E-면 결합을 이용한 구형 마이크로스트립 안테나에 관한 실험적 연구 : 마이크로스트립 선로 급전

        홍재표,조영기,손현,Hong, Jae-Pyo,Cho, Young-Ki,Son, Hyon 한국통신학회 1989 韓國通信學會論文誌 Vol.14 No.1

        In this paper, applying the REC model which characterizes the coupling between the radiating edges to two coupled rectangular microstrip patch antenna, we obtain scattering parameters $\mid$ $S_{11}$ $\mid$ and $\mid$ $S_{12}$ $\mid$for the various coupling separations, Se=0.5mm, 1.0mm, 1.5mm, and 2.0mm, The calculated values are compared with the measured values. For the rectangular microstrip patch antenna with a parasitic element which is gap-coupled to the radiating edges of the rectangular patch, calculated return losses using the REC model are compared with measrued values. Here, the each microstrip antenna is fed by a 50 microstrip line. The purpose of the paper is to compare a 50$\Omega$ microstrip line fed case with a coaxial fed case treated in Ref. 본 논문에서는 복사면 가장자리가 결합된 두 구형 마이크로스트립안테나에, 패치 사이의 복사면 가장자리의 결합을 특성화하는 REC 모델을 적용하여 여러가지 결합간격에 대해 산란계수 $\mid$ $S_{11}$ $\mid$과 $\mid$ $S_{12}$ $\mid$를 구하였으며, 이를 실험치와 비교하였다. 그리고 복사면 가장자리에서의 결합을 이용한 기생소자를 갖는 구형 마이크로스트립 안테나에, REC 모델을 적용하여 궤환 손실을 구한 뒤 실험치와 비교하였다. 여기서 각각의 안테나는 50$\Omega$ 마이크로스트립 선로에 의해 급전한 결과를 다루었으며, 이는 REC 모델을 이론적으로 제시하여 동축선로로 급전한 결과$^{(10)}$와 비교하기 위한 논문이다.

      • KCI등재

        S-대역용 인셋 급전 구형 마이크로스트립 패치 안테나 연구

        홍재표,김병문,손혁우,조영기,Hong, Jae-Pyo,Kim, Byung-Mun,Son, Hyeok-Woo,Cho, Young-Ki 한국정보통신학회 2014 한국정보통신학회논문지 Vol.18 No.10

        본 논문에서는 S-대역에서 동작하는 구형 마이크로스트립 패치 안테나의 인셋 급전 구조에 대해 연구하였다. 인셋 급전 구조에서 인셋의 길이와 폭의 변화에 따른 안테나의 반사손실 특성을 조사하였고, 결과로부터 최적 인셋 급전 안테나를 설계하고, 이득 및 복사패턴을 구하였다. 2.3 GHz에서 최적화된 안테나의 패치 크기는 $45.0mm{\times}40.9mm$, 인셋의 길이는 14 mm, 인셋의 폭은 1 mm이다. 그리고 유전율이 2.5, 두께가 0.787 mm인 기판을 사용하였으며, HFSS를 이용하여 시뮬레이션을 하였다. 인셋 급전 안테나를 제작하여 반사손실을 측정한 결과, 2.3025 GHz에서 -21.11 dB로 이론 결과와 일치함을 알 수 있었다. In this paper, the characteristics of a inset fed rectangular microstrip patch antenna for S-band applications is studied. The variations of return loss along inset length and inset width are investigated on the inset fed rectangular microstrip patch antenna. From the investigated results, the optimized inset fed antenna is designed. At the resonant frequency 2.3 GHz, the optimized dimension of the patch is $45.0mm{\times}40.9mm$. The inset length and width are 14 mm and 1 mm, respectively. The designed antenna is fabricated on the substrate which has a dielectric constant and thickness with 2.5 and 0.787 mm. Simulation results are obtained by a 3D EM(Electromagnetic) solver. The resonant frequency and return loss are measured 2.3025 GHz and -21.11 dB, respectively. The measured and simulated results of the fabricated antenna are in good agreement.

      • KCI등재후보

        CSLR을 갖는 인셋 급전 마이크로스트립 안테나에 관한 연구

        홍재표,김병문,Hong, Jae-Pyo,Kim, Byung-Mun 한국전자통신학회 2014 한국전자통신학회 논문지 Vol.9 No.8

        본 논문에서는 CSLR(Complementary Single Loop Resonator)을 이용한 인셋 급전 마이크로스트립 안테나의 특성에 대해 연구하였다. SLR(Single Loop Resonator) 단일 구조에서 시뮬레이션 셋업 과정을 통해 산란계수로부터 실효투자율을 계산하였으며, 실효투자율이 음의 값을 갖는 주파수에서 SLR 구조의 치수를 선택하였다. 그리고 인셋 급전된 마이크로스트립 안테나의 접지면에 SLR 구조의 쌍대 구조인 CSLR을 $3{\times}3$으로 배열하여 최적 안테나를 설계하였다. 설계한 안테나의 반사손실과 복사패턴을 구하였으며, 공진주파수 2.82 GHz에서 기존의 인셋 급전 안테나와 크기를 비교하면 면적 대비 약 56.8%가 감소하는 결과를 얻었다. 사용된 툴은 3차원 FEM 툴인 Ansoft사의 HFSS를 사용하였다. In this paper, the characteristics of inset fed microstrip antenna loaded with CSLR(complementary single loop resonator) are studied. Effective permeability parameters of the SLR unit cell is retrieved from simulated scattering parameters, and structure parameters of the SLR unit cell are selected so that effective permeability is negative value at the operating frequency. The optimized inset fed microstrip antenna loaded with SLR for a $3{\times}3$ array in the ground plane of a conventional patch antenna is designed and simulation results of return loss and radiation pattern are shown. At resonant frequency 2.82 GHz, the overall dimension of the proposed antenna is reduced by approximately 56.8% compared to the conventional inset fed antenna. Simulation results are obtained by 3D FEM solver(Ansoft's HFSS).

      • KCI등재

        Potentially Unstable한 GaAs FET를 이용한 광대역 마이크로파증폭기에 관한 연구

        홍재표,조영기,손현,Hong, Jae-Pyo,Cho, Young-Ki,Son, Hyon 한국통신학회 1987 韓國通信學會論文誌 Vol.12 No.1

        Potentially unstable한 GaAs FET를 사용하여 3~4GHz에서 평탄한 이득특성을 갖는 광대역 초고주파 증폭기를 설계하였다. 입력정합회로는 유용전력이득이 14dB인 원을 사용하여 안정한 영역에 존재하도록 설계하였다. 출력정합회로는 최대전력이 전달되고 또한 안정한 영역에 존재하도록 Fano의 대역통과 정합이론을 사용하여 설계하였다. 전송 전력이득 및 $S_11$과 $S_22$의 실험치는 이론치와 거의 유사한 특성을 나타내었다. The broadband microwave amplifier in the 3~4GHz frequency range has been designed by using potentially unstable GaAs FET. Input matching network is designed by 14dB available power gain circles which are in the stable region. In order to obtain maximu, transducer power gain, output matching network which is in the stable region can be designed using Fano's bandpass matching network. The measured values of transducer power gain, $S_11$and $S_22$ show close agreements with the theoretical valuse.

      • KCI등재

        인공지능 산업의 국가 경쟁력 결정요인 분석

        홍재표,김은정,박호영,Hong, Jae-Pyo,Kim, Eun-Jung,Park, Ho-Young 한국정보통신학회 2017 한국정보통신학회논문지 Vol.21 No.4

        This study analyzed the determinants influencing competitiveness of artificial intelligence industry of Korea. Analysis showed that the factors having the greatest influence on the national competitiveness of the artificial intelligence industry were, in decreasing order of importance, R&D, capital, and ICT competitiveness. Given the capital-intensive characteristic of the artificial intelligence technology, it is important to enhance the national R&D capacity in artificial intelligence technology and ICT, and to make substantial investments in the establishment of related infrastructure. Considering that the development and utilization of ICT infrastructure serves as the basis for artificial intelligence technology, the high standards of Korean consumers are expected to have a positive catalytic effect on the acquisition of national competitiveness for the artificial intelligence industry. For companies to respond in a timely manner to the rapid dissemination and high impact of artificial intelligence technology, they must prepare for such advancements by improving their competencies. 본 연구에서는 Porter의 다이아몬드 모형에 입각하여 관련 분야 전문가들의 의견 수렴을 통해 우리나라 인공지능 산업의 국가 경쟁력에 영향을 미치는 요인들에 대한 중요도를 분석하였다. 분석 결과 인공지능 산업의 국가 경쟁력에 가장 큰 영향을 미치는 요인은 연구개발, 자본, ICT 기술 경쟁력 순으로 나타났다. 인공지능 산업은 자본집약적 특성이 강한 하이테크놀로지 산업이므로 국가경쟁력 확보를 위해 무엇보다 인공지능 기술과 그 기반인 정보통신 기술에 대한 국가 R&D 역량의 결집과 인프라 구축을 위한 공격적인 투자가 중요할 것으로 판단된다. 인공지능 기술의 근간을 이루는 ICT 인프라 및 활용역량 등을 고려할 때 국내 소비자의 높은 요구수준은 인공지능 산업의 국가 경쟁력 확보에 긍정적 촉매요인으로 작용할 것으로 예상된다. 또한, 인공지능 기술은 빠른 확산속도와 강한 파급력을 지닐것으로 전망되므로 적시 대응을 위한 기업의 선제적 역량확보가 필수적일 것으로 사료된다.

      • KCI등재

        구형 마이크로스트립 안테나의 개선된 복사 어드미턴스 계산방법

        홍재표,조영기,손현,Hong, Jae-Pyo,Cho, Young-Ki,Son, Hyon 대한전자공학회 1989 전자공학회논문지 Vol. No.

        본 논문에서는 균일한 유전체로 채워져 있고 윗면에 슬릿이 있는 평행평판 도파로의 ${\pi}-$ 등가회로로 부터 구형 마이크로스트립 안테나의 복사 컨덕턴스와 서셉턴스를 동시에 구하는 새로운 방법을 제시하였다. 계산된 결과를 기존의 이론치와 비교하였다. 또한 등가전송선로를 이용하여 반사손실(return loss) 및 공진주파수를 계산하여 실험치와 비교한 결과 양호한 특성을 얻었다. In this paper, a new method which simultaneously gives the radiation conductance and susceptance of the rectangular microstrip patch antenna. This solution is derived from the load admittance of the equivalent ${\pi}-$network circuit of the slitted parallel-plate waveguide filled with homogeneous dielectric. Our theoretical results for the radiation admittance are compared with other theoretical results. Also, our theoretical return loss and resonant frequency which are calculated by use of the equivalent transmission line model are in fairly good agreement with the experimental results.

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