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- 저자 : 한병국(B. K. Han) (검색결과 4 건)
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As 이온이 주입된 단결정 실리콘(100)의 전기적 활성화 연구
이동건(D. K. Lee),문영희(Y. H. Mun),손정식(J. S. Son),김동렬(D. Y. Kim),배인호(I. H. Bae),김말문(M. M. Kim),한병국(B. K. Han),정광화(K. H. Chung) 한국진공학회(ASCT) 1995 Applied Science and Convergence Technology Vol.4 No.1
Hall 효과 측정을 이용하여 As^+이 주입된 단결정 실리콘의 열처리 조건에 따른 활성화 과정을 연구하였다. 주입된 이온의 농도 분포는 SIMS(Secondary Ion Mass Spectroscopy)와 SUPREM Ⅳ 모의 실험으로 조사하였다. 열처리 온도가 증가함에 따라 활성층의 전자 면 농도 증가가 뚜렷이 나타났으며, Hall 이동도의 온도 의존성 측정으로 주입된 도우즈에 따라 이온 주입층의 활성화에 필요한 열처리 온도가 달라져야함을 알 수 있었다. 그리고, 접합 손실전류의 감소는 800℃ (30분)의 열처리에서 현저하게 나타났다. We studied activation process of As^+ implanted Si(l00) according to annealing conditions by using Hall effect measurement. Depth profiles were measured by SIMS(secondary ion mass spectroscopy) and SUPREM Ⅳ computer simulation. It was found that sheet carrier concentration become different clearly in proportion to the increasing of annealing temperature, and that the annealing temperature has to vary according to dose for activation of implanted layer by measuring temperature dependence of Hall mobility. And, decreasing of junction leakage current was shown clearly above 800℃ (30 min).
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이온 주입된 Si에서 도우펀트의 확산거동 및 결정성 회복
문영희(Y. H. Mun),이동건(D. K. Lee),심성엽(S. Y. Sim),김동렬(D. Y. Kim),배인호(I. H. Bae),김말문(M. M. Kim),한병국(B. K. Han),하동한(D. H. Ha),정광화(K. H. Chung) 한국진공학회(ASCT) 1994 Applied Science and Convergence Technology Vol.3 No.3
As^+와 P^+ 이온들이 주입된 실리콘에서, 주입 이온들의 확산 및 실리콘의 재결정화에 열처리(thermal annealing)가 미치는 영향에 대해서 조사하였다. 여기서 이온 주입량은 실리콘 표면영역을 비정질화하기에 충분한 양이였다. 이온 주입 시 실리콘 내부에 생성된 손상(damage)들을 제거하기 위해, 온도와 시간을 변화시켜 가며 시편을 전기로 속에서 열처리하였다. 그러나 이때 야기된 도우펀트들의 과도적인 확산(transient enhanced diffusion)에 의해서 접합 깊이는 예측한 것보다 더욱 깊은 곳에서 나타났다. 이러한 과도적인 확산은 주로 이온 주입으로 인해 야기된 시편들의 손상(damage)들을 제거하기 위한 열처리 과정동안 일어난 것으로 생각된다. 이것은 SIMS(Secondary Ion Mass Spectroscopy)와 SUPREM Ⅳ simulation에 의해서 확인할 수가 있었다'. As^+, P^+ 이온이 주입된 실리콘의 결정성 회복을 Raman 분광법을 이용하여 조사하였다. We have studied on the effect of thermal annealing on the dopant diffusion and the recrystallization in the As^+ or P^+ implanted amorphous silicon layer. The specimen was annealed in conventional furnace annealing in order to eliminate the damage induced by ion implantation. The junction depth is considered to be shifted to deeper site due to the transient enhanced diffusion of dopants during the process of thermal annealing. The diffusion of dopants during the furnace annealing was measured using SIMS and SUPREM Ⅳ simulation. The recrystallization of amorphous silicon layer, formed by ion implantation was studied by Raman experiment.
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문영희(Y.H. Mun),배인호(I.H. Bae),김말문(M.M.Kim),한병국(B.K. Han),김창수(C.S. Kim),홍승수(S.S. Hong),신용현(Y.H. Sin),정광화(K.H. Chung) 한국진공학회(ASCT) 1996 Applied Science and Convergence Technology Vol.5 No.3
(100) Si 웨이퍼에 고농도의 As이온을 주입한 후 여러가지 열적 어닐링 처리를 하였을 때 이온 주입층 내부에 나타나는 격자변형층(strained layer)과 깊이 방향의 변형률 분포(strain depth distribution)를 X-ray 로킹 커브 측정과 로킹커브 시뮬레이션(simulation)을 통하여 살펴 보았다. 어닐링 처리전의 비정질/결정질층 계변인 약 1400Å 깊이에서 일정한 두께의 결함층이 형성되어 있다는 것을 알 수가 있었다. 그리고 As 농도분포 및 총 결함 분포(net defect distribution)를 각각 SIMS와 TRIM code를 이용하여 구하였다. 600℃ 열처리한 시료에서 로킹커브 분석에 의해 나타난 positive 변형은 오직 0.14 ㎛ 하단에서 나타나고 있었다. 이것은 본 실험의 이온주입 조건에서 생성되는 비정질 층의 두께가 0.14 ㎛ 임을 간접적으로 보여주고 있는 것이며, TRIM-Code로부터 분석된 결과와 잘 일치하고 있었다. 또한 로킹커브의 분석에 의해 나타나는 positive 변형의 원인은 이온 주업에 의해 형성된 비정질/단결정 계면(amorphous/crystalline interface) 하단의 잉여 interstitial에 의한 영향이라 판단된다. Strained layers and strain depth profile of high dose As ion implanted (100) Si wafer annealed at various temperatures have been investigated by means of X-ray double crystal diffractometry (X-ray DCD). The results obtained by x-ray rocking curve analysis showed a defect layer at the original amorphous/ crystalline interface of 1400Å depth. In addition arsenic ion concentration profiles and defect distributions in depth were obtained by the SIMS and TRIM-code simulation. The positive strain depth profile determined from the rocking curve analysis were only presented under 0.14 ㎛ from the surface for samples annealed at 600℃. The result was shown that the thickness of amorphous layer is 0.14 ㎛ indirectry, and it was good agreement with the TRIM-Code simulation. Additionally, it could be thought that the positive strain have been affected residual interstitial atoms under the amorphous/crystalline interface formed by ion implantation.
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AlGaAs / GaAs multiple - quantum well에 대한 상온에서의 photoreflectance 특성연구
김동렬(D. L. Kim),최현태(H. T. Choi),배인호(I. H. Bae),김말문(M. M. Kim),한병국(B. K. Han),우덕하(D. H. Woo),김선호(S. H. Kim),최상삼(S. S. Choi) 한국진공학회(ASCT) 1997 Applied Science and Convergence Technology Vol.6 No.2
MBE로 성장한 AlGaAs/GaAs multiple-quantum well(MQW)에 대하여 pump source를 He-Ne laser와 Ar laser를 사용하여 상온에서 PR(photoreflectance)측정을 수행한 결과 여러 subband transition peak을 관찰하였다. PR결과를 standard analytic line shape으로 fitting하여 n=1의 conduction band와 heavy hole 그리고 light hole transition peak인 C1-H1, C1-L1에 대한 energy값들을 얻었다. 또한 상온에서의 PL(photoluminescence)측정에서 C1-H1, C1-L1과 관련된 main peak와 shoulder를 관찰하였다. 이 값은 PR 측정값과 잘 일치함으로써 PL에서의 main peak와 shoulder가 C1-H1, C1-L1과 관련된 peak임을 확인할 수 있었다. 또한 envelope function approximation(EFA)을 이용하여 구한 이론값과 PR과 PL에서 측정된 실험값들을 비교하였다. PR spectra of MBE grown AlGaAs/GaAs MQW have been measured at room temperature using the He-Ne laser and the Ar laser as the pump source. We have observed various subband transition peaks and PR spectra were fitted to standard analytic line shape. Above that results, obtained us transition energy from n=1 conduction band to heavy hole(C1-H1) and to light hole(C1-L1) subband. Photoluminescence(PL) at room temperature showed main peak with a shoulder. Good agreement between PL and PR measured n=1 intersubband transition energies was confirmed that PL main peak with a shoulder is associated with the C1-H1, C1-L1 transition. Additionally, we have calculated the C1-H1 and C1-L1 intersubband energy within envelope function approximation(EFA).
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