인터넷 ID 관리 서비스

최대선,진승헌,정교일,Choi, D.S.,Jin, S.H.,Chung, K.I. 한국전자통신연구원 2005 전자통신동향분석 Vol.20 No.1

인터넷에 산재한 id와 개인정보들은 적절한 관리와 보호를 필요로 한다. 인터넷 ID 관리 서비스는 가입자의 id와 개인정보를 관리해 주는 서비스이다. 가입자는 인터넷 ID 관리 서비스에 가입해 id와 개인정보를 등록하면, 이 id로 한 번의 로그인 후 모든 가맹 웹 사이트를 이용할 수 있고, 개인정보의 활용에대한 통제도 할 수 있다. 인터넷 ID 관리 서비스가 도입되면 인터넷 이용이 편리해지고 id 도용을 크게줄이며, 개인정보 보호를 강화할 수 있다. 본 고에서는 인터넷 ID 관리 서비스의 개념과 현재 실시되고있는 서비스 동향, 관련 표준화 동향, 그리고 관련 기술 적용 사례를 소개한다. 또한 인터넷 ID 관리 분야의 연구 프로젝트를 살펴 본다.

텅스텐 결정면의 질소 흡착에 관한 연구 : I. (210)면

최대선(D. S. Choi),한종훈(J. H. Han),백선목(S. M. Paik),박노길(N. G. Park),김기석(K. S. Kim),황정남(C. N. Whang) 한국진공학회(ASCT) 1995 Applied Science and Convergence Technology Vol.4 No.4

W(210)면의 질소 흡착에 의한 일함수의 변화, heat of desorption 및 흡착 site에 대하여 조사하였다. 텅스텐 (210)면에 질소가 흡착될 때 흡착율에 따라 일함수는 증가하다가 최대 변화량 0.29 eV에서 포화되었다. TDS 결과로부터 이 면은 질소에 대하여 적어도 3개의 흡착 site가 있음을 알았고 high dose에서 흡착되는 β₁ state까지 포함하면 모두 4개의 흡착 site가 있으며 이 흡착 site들 중 α₁, state를 제외하고는 모두 일함수를 증가시키는 site임을 알았다. 질소는 W(210)면의 step((100)면)과 terrace((110)면)의 중 step 에 흡착되고 독립된, 즉 무한히 큰 W(100)면의 α₁, α₂그리고 β₂ state에 대응되는 흡착 site에 흡착된 질소의 dipole moment의 방향은 W(210) 면의 step((100)면의 일부)의 α₁, α₂그리고 β₂ state에 대응되는 흡착 site에 흡착된 질소의 dipole moment의 방향과 반대 방향임을 알았다 The heat of desorption, the work function change and the adsorption site of W(210) plane induced by nitrogen adsorption have been measured. The work function change of W(210) planes increases as the nitrogen dose increases and saturated at 3 L to 0.29 eV. The thermal desorption spectrum of N/W(210) shows that there are four adsorption sites including a site corresponds to β₁, state that appears at very high dose. We find that all these adsorption sites raise the work function of W(210) plane except a site corresponds to α₁, state, and nitrogen adsorbs on the step((100)) plane but not on the terrace((100)) plane. The direction of dipole moment of nitrogen adsorbed on the sites correspond to α₁, α₂ and β₂ states on step plane(this plane is a part of (100)) is found to be in opposite direction to that of infinite size of W(100) plane.

Stepped 텅스텐 결정면의 수소 흡착에 관한 연구 : I. (210)면

최대선(D. S. Choi),한종훈(J. H. Han),백선목(S. M. Paik),박노길(N. G. Park),김기석(K. S. Kim),황정남(C. N. Whang) 한국진공학회(ASCT) 1995 Applied Science and Convergence Technology Vol.4 No.2

본 연구에서는 새로운 장전자 방출법(DOFEC법)으로 W(210)면의 수소 흡착에 의한 일함수의 변화, heat of desorption에 대하여 연구하였다. 텅스텐 (210)면에 수소가 흡착될 때 흡착율에 따라 일함수가 증가하다가 다시 감소하는데 이것은 수소가 처음에는 (210)면의 step((100)면)에 흡착되고 dose를 증가시킴에 따라 terrace((110)면)에 흡착되기 때문임을 알았다. 즉, terrace보다 step의 sticking coefficient가 더 크며 zero coverage에서의 그 비는 2.57이며 이는 타 연구 결과와 잘 일치한다. (210)면의 step과 terrace의 수소 흡착에 대한 일함수의 정량적인 변화량 그리고 수소 dose량에 대한 각각의 면에 대한 상대적인 흡착율을 얻었으며, 이 결과는 독립된 (110)면 또는 (100)면의 결과와 잘 일치됨을 알았다. 또한 이 결과는 흡착 실험에 있어서 dose량을 흡착률로 환산하는데 사용될 수 있다. 텅스텐 (210)면에는 4개의 흡착 site가 존재하며 이 site들 중 β₂과 β₄ state는 second order 탈착 과정을 따르며 β₁과 β₃ state는 first order 탈착과정을 따른다. 따라서 텅스텐 (210)면에는 수소가 해리적 흡착을 함과 동시에 비해리적 흡착도 함을 알았으며 (210)면의 각 흡착 site를 이에 대응되는 (100)면과 (110)면의 흡착 site와 비교 검토하였다. By means of a new analysing method (DOFEC) of field emission microscopy, the heat of desorption and work function change of W(210) plane induced by hydrogen adsorption have been measured. For the (210) plane which is composed of (110) plane of terrace and (100) plane of steps, the work function change increases with increasing hydrogen dose and after passing through a maximum, decreases and becomes saturated. This result implies that the hydrogen adsorbs initially on the steps and then on the terraces with increasing the dose. Thus the sticking coefficient of hydrogen on the step is greater than that on the terrace. An estimated ratio of the sticking coefficient between the step and the terrace is 2.57. This value agrees well with other results obtained with separated single crystal planes. We determined the relative coverage of hydrogen adsorbed on the W(210) plane by measuring the work function change. We find that there are four adsorption sites for hydrogen adsorption on the W(210) plane. The β₁ and β₃ states obey the fisrt-order adsorption kinetics and β₂ and β₄ states obey the second-order kinetics. Thus we conclude that hydrogen adsorbs on the W(210) plane dissociatively as well as non-dissociatively. Finally we discuss adsorption sites by conferring the heat of desorption and work function change with existing results.

계단형 텅스텐 결정면의 질소 흡착에 관한 연구 : Ⅱ. W(210) 및 W(310)면

최대선(D. S. Choi),한종훈(J. H. Han),백선목(S. M. Paik),박노길(N. G. Park),김욕욱(Y. W. Kim),황정남(C. N. Whang) 한국진공학회(ASCT) 1996 Applied Science and Convergence Technology Vol.5 No.4

장전자 방출법으로 텡스텐 (210)면 및 (310)면(100)면의 질소 흡착에 의한 일함수의 변화에 heat of desorption을 측정하였으며 Thermal Desortion Spectra(TDS) 결과로부터 adsorption site를 예측하였다. 텅스텐 (210)면 및 (310)면에 에 질소가 흡착될 때 흡착율에 따라 일함수는 증가하다가 각 면에 대하여 흡착율 5 Langmuir일때 최대 변화량 0.29 eV및 0.20 eV에서 포화되었다. TDS 결과는 이 면들은 낮은 dose의 영역에서 각각 3개의 흡착 site가 있음을 보였으며 이 흡착 site들 중 α₁state의 spectrum의 강도는 (210)면에서 보다 (310)면에서 상대적으로 강해짐을 보였다. 또한 (210)와 (310)면의 α₁ 과 β₂ state의 흡착 site에 흡착된 질소의 dipole moment의 방향은 이 흡착 site들에 대응되는 (100)면의 α₁ 과 β₂state의 흡착 site에 흡착된 질소의 dipole moment의 방향과 반대 방향으로 측정되었으며 이 현상으로부터 질소의 상대적인 흡착 위치를 예측하였다. The heat of desorption and the work function change induced by nitrogen adsorption on the stepped tungstein surface planes, W(210) and W(310), are measured using the Field Electron Emission Microscope(FEM). The adsoption sites are predicted from the Thermal Desortion Spectra(TDS). The work function change of both W(210) and W(310) planes increase as increasing the nitrogen dose and saturates at the nitrogen dose about 5 Langmuir to 0.29 eV and 0.20 ev respectively. We find three adsorption site on each plane for the low dose range. The TDS result shows that the intensity of α₁, state on W(310) is much stronger than that of α₁ state on W(210), and the direction of nitrogen dipole moment adsorbed on the sites correspond to α₁, and β₂ states on W(210) and W(310) planes are in the opposite direction to that of the equivalent states on W(100) plane. From this observation we can predict the relative atomic position in the zdirection (perpendicular direction to the surface) of nitrogen molecules/atoms adsorbed on these sites.

깨끗한 Si(001) 표면의 buckled dimer 구조 연구 : a(2×1)과 c(4×2)

김성수(S. S. Kim),김용욱(Y. W. Kim),박노길(N. G. Park),조원석(W. S. Cho),김주영(J. Y. Kim),채근화(K. H. Chae),황정남(C. N. Whang),김기석(K. S. Kim),최대선(D. S. Choi) 한국진공학회(ASCT) 1998 Applied Science and Convergence Technology Vol.7 No.1

CAICISS장치를 이용하여 깨끗한 Si(001) 표면에서 재배열하는 dimer의 원자구조를 분석하였다. Si(001) 표면에서 dimer 원자가 확실히 buckled 되어 있음을 확인하였고, asymmetry(2×1)구조와 c(4×2)구조가 공존하고 있음을 밝혔다. dimer 원자의 결합거리는 2.3±0.1 Å이고, buckling 각은 18±1° 였다. The geometric structure of dimer atoms on clean Si(001) surface was studied using CAICISS. We confirmed that dimer atoms were certainly buckled, and also found that asymmetry (2×1) and c(4×2) were coexisted. The intradimer bond length and the buckling angle of a dimer measured by CAICISS system were 2.3±0.1 Å and 18±1°, respectively.

패스워드 없는 인증기술-FIDO

조상래,최대선,진승헌,이형효,Cho, S.R.,Choi, D.S.,Jin, S.H.,Lee, H.H. 한국전자통신연구원 2014 전자통신동향분석 Vol.29 No.4

패스워드 기반의 사용자 인증은 비용이 적게 들고 편리성 때문에 보안상 취약점이 있어도 현재까지 광범위하게 사용되고 있다. 이러한 패스워드 기반 인증의 보안 취약성을 개선하기 위해 생체 인증을 사용하거나 다중 요소 인증기술을 적용하려는 시도는 그동안 계속되어 왔다. 하지만 기술에 따라 사용자의 편리성이 떨어지거나 광범위하게 설치하기에 비용부담이 증가하여 응용서비스에 적용하기에는 무리가 있었다. FIDO(Fast IDentity Online)는 인증 프로토콜과 인증수단을 분리하여 패스워드 없이 인증강도를 높이면서 사용자의 편리성도 높이려는 시도를 하는 기술로 패스워드의 문제를 극복하여 스마트 모바일 환경에 적합한 인증기술로 활용될 수 있다.

클라우드 컴퓨팅 보안 기술

은성경,조남수,김영호,최대선,Un, S.K.,Jho, N.S.,Kim, Y.H.,Choi, D.S. 한국전자통신연구원 2009 전자통신동향분석 Vol.24 No.4

클라우드 컴퓨팅은 인터넷 기술을 활용하여 IT 자원을 서비스로 제공하는 컴퓨팅으로 최근 많은 관심을 받고 있다. 클라우드 컴퓨팅이 널리 사용되기 위해서 해결해야 할 첫번째 문제는 보안인 것으로 조사된 바 있다. 클라우드 컴퓨팅의 보안은 사용자의 영역에 따라 개인 사용자와 기업 사용자 분야로 나눌 수 있으며, 개인 사용자는 익명성에 관심을 두고 있고, 기업 사용자는 컴플라이언스에 관심을 두고 있다. 클라우드 컴퓨팅은 플랫폼, 스토리지, 네트워크, 단말로 구성되어 있고, 각각의 위치에서 필요한 보안기능이 따로 존재한다. 본 고에서는 클라우드 컴퓨팅 보안의 기술들에 대해서 알아보고, 현재 클라우드 컴퓨팅의 대표적인 서비스 중의 하나인 아마존 AWS의 보안 기능에 대하여 살펴보고자 한다.

핀테크 기술 및 보안동향

이성훈,박준범,김대엽,최대선,진승헌,Lee, S.H.,Park, J.B.,Kim, D.Y.,Choi, D.S.,Jin, S.H. 한국전자통신연구원 2015 전자통신동향분석 Vol.30 No.4

인터넷과 모바일 기기의 활성화와 더불어 핀테크 기술에 대한 관심도 높아졌다. 미국과 중국에서는 몇몇 업체들이 핀테크 기술을 이용한 서비스를 제공하고 있으며, 국내에서도 핀테크 서비스를 제공하기 위해 많은 노력을 기울이고 있다. 핀테크 기술을 이용한 서비스 시장이 점차 커짐에 따라, 많은 사용자가 이용하게 될 것이다. 사용자들에게 편리한 서비스를 제공해 주기 위해서 핀테크 기술을 개발하고 서비스를 제공하는 것도 좋지만, 보안 요소를 고려하여 안전하게 핀테크 기술을 이용할 수 있도록 해야 한다. 본 논문에서는 핀테크 기술에 대해서 설명하고 보안동향에 대해서 설명한다.

산소 흡착에 의한 텅스텐 결정면의 일함수 변화

박노길(N. G. Park),김기석(K. S. Kim),황정남(C. N. Whang),최대선(D. S. Choi) 한국진공학회(ASCT) 1993 Applied Science and Convergence Technology Vol.2 No.3

깨끗한 텅스텐 결정면의 일함수와 산소 흡착에 의한 텅스텐 결정면 ((123), (310), (221))의 일함수의 변화를 장전자 방출법으로 측정하였다. 일함수는 Fowler Nordheim equation을 사용하여 계산하였으며 흡착율을 결정할 수 있는 간단한 방법을 제시하였다. Work function for various clean W planes have been measured using a field electron emission method. For the loosely closed packed planes, i.e. (123), (310), (221), we have also measured the changes in the work function due to oxygen adsorption. Fowler Nordheim equation was employed to estimate the change in the work function. An empirical relation between coverage and dose was obtained.

Work Function Change of W(123) Plane Due to Hydrogen and Deuterium Adsorption at 78 K

박노길(N. G. Park),김기석(K. S. Kim),김성수(S. S. Kim),정광호(K. Jeong),황정남(C. N. Whang),최대선(D. S. Choi) 한국진공학회(ASCT) 1992 Applied Science and Convergence Technology Vol.1 No.1

W(123) 표면위에 수소와 중소수가 흡착될 때 일함수의 변화를 장방출(Field Emission) 방법으로 측정하였다. 78K에서 이 분자들이 흡착될 때 일함수의 변화는 처음에는 증가하다가 최대치에 이른 후 감소하였고, 덮임율(coverage)이 증가함에 따라 포화되었다. 텅스텐 tip의 온도를 200 K까지 올렸을 경우에, 일함수의 변화가 최대가 되었을 때의 덮임율은 78K일 때의 비해 낮은 덮임율 쪽으로 이동하였고, [011] 방향을 갖는 step 혹은 terrace에 의한 일함수의 효과도 동시에 관측되었다. The changes in work function due to hydrogen and deuterium adsorption on W(123) plane are measured by means of Field Emission Method. In the case of hydrogen or deuterium adsorption, work function of W(123) plane at 78 K increase and after a maxium value, it decrease and saturated as increasing coverage. After annealing the tungsten emission tip at 200 K. the coverage corresponding to maximum change in work function was shifted toward low coverage and the effect of work function by terraces or steps of which orientation is [011] was observed.