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      저자 : 진형석(Hyoung SeokJin) (검색결과 1 건)
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        레이다용 C-대역 GaN 기반 고출력전력증폭장치 설계 및 제작

        정형진(Hyoung Jin Jung),박지웅(Ji Woong Park),진형석(Hyoung SeokJin),임재환(Jae Hwan Lim),박세준(Se Jun Park),강민우(Min Woo Kang),강현철(Hyun Chul Kang) 한국전자파학회 2017 한국전자파학회논문지 Vol.28 No.9

        본 논문에서는 탐색 레이다에서 사용되는 C-대역의 고출력전력증폭장치 및 구성품의 설계, 제작과 측정에 대하여 기술하였다. 반도체 소자인 GaN(질화갈륨)을 적용하여 반도체전력증폭조립체를 설계 및 제작하였고, 설계 제작된 도파관형태의 송신신호결합조립체를 통해 병렬로 구성된 반도체전력증폭조립체의 송신신호 출력을 결합하여 고출력 송신신호출력을 발생한다. 제작된 고출력전력증폭장치는 C-대역 500 ㎒ 대역폭, 최대 10.5 % 듀티, 송신펄스폭 O.O~OOO㎲에서 송신출력 44.98 ㎾(76.53 ㏈m) 이상이다. In this paper, it is presented the result of design and fabrication for C-band solid state high power amplifier unit and components using in search radar. The solid state power amplifier(SSPA) assembly was fabricated using GaN(Gallium Nitride), which is semiconductor device, and the transmit signal output power of the solid state high power amplifier unit is generated by combining the transmit signal power of the solid state power amplifier configured in parallel through a design and fabricated waveguide type transmit signal combine assembler. Designed solid state high power amplifier unit demonstrated C-band 500 ㎒ bandwidth, maximum 10.5 % duty cycle, transmit pulse width from O.O㎲~OOO㎲, and transmit signal power is 44.98 ㎾(76.53 ㏈m).

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