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- 저자 : 조순계 ( Soon-kye Cho ) (검색결과 3 건)
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금속 티타늄 칩의 공기산화에 의한 광촉매 제조에 관한 연구
정운조 ( Woon-jo Jeong ),조순계 ( Soon-kye Cho ),정민철 ( Min-chul Chung ),김기중 ( Ki-joong Kim ),강상준 ( Sang-jun Kang ),안호근 ( Ho-geun Ahn ) 한국환경기술학회 2009 한국환경기술학회지 Vol.10 No.4
본 연구에서는 폐 티타늄 칩을 광촉매로 활용하기 위하여 금속 티타늄을 공기중에서 고온산화 시켜 티타늄 산화물을 제조하였다. X-선 회절분석기와 주사전자 현미경을 이용하여 물리적 특성을 확인하고, 400℃부터 800℃의 범위에서 열처리한 성형 티타늄 칩의 표면 원소분석을 수행하였다. 메틸에틸케톤과 톨루엔에 대한 광분해 활성은 폐쇄 순환식 반응기를 이용하여 조사하였다. 이 결과 열처리 온도에 따라 티타늄 칩의 표면 거칠기가 달리 나타났으며, 티타늄 칩을 공기중에서 고온산화 시키면 루틸형태의 티타늄 결정을 이루고 있음을 확인하였다. 열처리한 티타늄 칩 광촉매는 지방족 화합물인 MEK가 방향족 화합물인 톨루엔보다 광분해 활성이 우수한 것으로 나타났다. MEK와 톨루엔에 대한 광분해 활성에서는 MEK는 열처리된 티타늄 칩의 형태와는 무관한 활성을 보였고, 톨루엔의 경우에는 700℃로 열처리된 티타늄 칩의 활성이 가장 우수하였다. In this paper, waste metallic titanium chip by thermal oxidation was used to prepare TiO<sub>2</sub> photocatalyst. The prepared catalysts were characterized by scanning electron microscopy (SEM) and X-ray diffraction (XRD), and atomic composition on the surface was analysed after treating the molded Ti chip in the range from 400℃ to 800℃. Also, decomposition of methylethylketone (MEK) and toluene were investigated by a closed circulating reactor. As a results, surface morphology and crystalline of Ti chip were remarkably varied with increasing treatment temperature, but interestingly only rutile type of TiO<sub>2</sub> was formd. Photo-degradation activity of MEK was higher decomposed than that of toluene. Photocatalytic activity for MEK could not be correlated to the morphology of Ti chip surface, and the activity for toluene took the maximum value at thermal treatment of 700℃.
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전자빔 증착법으로 제조된 박막 태양전지용 CuGaS<sub>2</sub> 박막의 특성
정운조 ( Woon-jo Jeong ),문인섭 ( In-seob Moon ),조순계 ( Soon-kye Cho ),김민기 ( Min-ki Kim ),김운섭 ( Woon-sub Kim ),부수일 ( Su-il Boo ),안호근 ( Ho-geun Ahn ),양현훈 ( Hyeon-hun Yang ),박계춘 ( Gye-choon Park ) 한국환경기술학회 2008 한국환경기술학회지 Vol.9 No.2
전자빔 증착법에 의해 70℃의 기판온도와 350℃에서 60분 동안 열처리한 경우 단상의 CuGaS<sub>2</sub> 박막이 얻어졌으며, 이때의 XRD 회절 피크는 회절각 28.8°에서 (112)방향으로 가장 강한 피크가 나타났고, 두 번째로 강한 피크는 회절각 49.1°에서 (204)방향을 나타났다. 또한 CuGaS<sub>2</sub> 박막의 격자상수 a와 c는 각각 5.37Å과 10.54Å이었다. 그리고 CuGaS<sub>2</sub> 박막의 그레인 사이즈는 최대 1μm 정도였다. 또한 황이 과잉 공급된 CuGaS<sub>2</sub> 박막의 (112) 피크가 황이 추가로 공급되지 않은 경우에 비해 약 10% 정도 더 강하게 나타남을 알 수 있었다. 그리고 이와 같은 제조된 CuGaS<sub>2</sub> 박막의전기저항률, 홀 이동도 및 캐리어 농도는 각각 1.4Ω-cm, 15㎠/V·sec and 2.9×10<sup>17</sup>cm<sup>-3</sup>이었다. 본 연구에서 CuGaS<sub>2</sub> 박막의 저항률은 홀 이동도보다 캐리어 농도에 더 지배적임을 알 수 있었고, 상기와 같이 제조된 CuGaS<sub>2</sub> 박막은 모두 p-type 반도체 특성을 나타냈다. By EBE(Electron Beam Evaporation) method, Single phase CuGaS<sub>2</sub> thin film with the highest diffraction peak of (112) at diffraction angle(2θ) of 28.8˚ was made at substrate temperature of 70℃, annealing temperature of 350℃ and annealing time of 60min. And second highest (204) peak was shown at diffraction angle of (2θ) of 49.1˚. Lattice constant of a and c of that CuGaS<sub>2</sub> thin film was 5.37Å and 10.54Å respectively. The greatest grain size of the thin film was about 1㎛. The (112) peak of single phase of CuGaS<sub>2</sub> thin film at annealing temperature of 350℃ with excess S supply was appeared with a little higher about 10% than that of no excess S supply. And the resistivity, Hall mobility and carrier concentration at room temperature of p-type CuGaS<sub>2</sub> thin film was 1.4Ω-cm, 15㎠/V·sec and 2.9×10<sup>17</sup>cm<sup>-3</sup> respectively. It was known that carrier concentration had considerable effect than mobility on variety of resistivity of the fabricated CuGaS<sub>2</sub> thin film, and the polycrystalline CuGaS<sub>2</sub> thin films were made at these conditions were all p-type.
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반응성 스퍼터링법으로 제조된 TaN 박막의 특성에 관한 연구
정운조 ( Woon-jo Jeong ),문인섭 ( In-seob Moon ),조순계 ( Soon-kye Cho ),부수일 ( Su-il Boo ),안호근 ( Ho-geun Ahn ) 한국환경기술학회 2007 한국환경기술학회지 Vol.8 No.3
높은 경도와 밀착력이 요구되는 각종 공구류 코팅 및 정밀 박막 저항체로서 혹은 집적회로에서 구리나 알루미늄 배선에 대한 확산 방지막으로 가장 효과적인 TaN 박막의 균일 코팅 공정 기술을 반응성 스퍼터링 방법으로 제조하고 그 구조적 및 기계적 특성을 고찰하였다. 그 결과 DC sputtering 법에서 도출된 최적의 기판온도와 질소 가스비는 각각 100℃, 20% 부근 이었으며, 이때 제작된 TaN 박막의 비커스 경도와 부착력 및 면저항은 각각 약 4,000Hv, 30N, 1mΩ/square 부근으로 나타났다. Tantalum nitride(TaN) thin films are attractive for use as the coating of various precision tools which need hardness and adhesion, or the precision thin film resistors, and the diffusion barriers in metal(copper or aluminum)-semiconductor contacts. In this work, we have investigated the mechanical and structural properties of TaN films fabricated by a reactive sputtering technique at different nitrogen partial pressures. From the sputtering results, the optimal values for the substrate temperature and the nitrogen gas ratio were around 100℃ and 20% respectively. Under these conditions, vickers hardness, adhesion force, and sheet resistance were estimated at around 4,000Hv, 30N, 1mΩ/square respectively.
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