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E-대역 상/하향 주파수 변환기용 소형 MMIC 단일 평형 다이오드 혼합기
정진철(Jin-Cheol Jeong),염인복(In-Bok Yom) 한국전자파학회 2011 한국전자파학회논문지 Vol.22 No.5
본 논문에서는 0.1 ㎛ GaAs p-HEMT 상용 공정을 이용한 E-대역 상/하향 주파수 변환기용 소형 MMIC 단일평형 다이오드 혼합기를 개발하였다. 본 혼합기에는 LO 발룬을 포함하며 우수한 RF 특성의 Marchand 발룬을 사용하였다. RF 포트와 IF 포트에서는 고역 통과 필터와 저역 통과 필터를 각각 사용하여 포트별 격리도를 향상시켰다. 0.58 ㎟(0.85 ㎜×0.68 ㎜) 칩 크기의 매우 소형으로 제작된 단일 평형 다이오드 혼합기의 측정 결과, 71~86 ㎓ 주파수 범위에서 10 ㏈m LO 입력에 대해 삽입 손실이 8~12 ㏈이고, 입력 P1㏈가 1~5 ㏈m의 결과를 보였다. This paper presents a compact single balanced diode mixer fabricated using a 0.1 ㎛ GaAs p-HEMT commercial process for an E-band frequency up/down converter. This mixer includes a LO balun employing a Marchand balun with a good RF performance. In order to improve the port-to-port isolation, a high pass filter and a low pass filter are include in this mixer at the RF and IF ports, respectively. The fabricated mixer with a very compact size of 0.58 ㎟(0.85 ㎜×0.68 ㎜) exhibits a conversion loss of 8~12 ㏈ and an input P1㏈ of 1~5 ㏈m at the LO power of 10 ㏈m from 71~86 ㎓.
X-대역 능동 위상 배열 레이더 시스템용 디지털 직병렬 변환기를 포함한 GaAs MMIC 다기능 칩
정진철(Jin-Cheol Jeong),신동환(Dong-Hwan Shin),주인권(In-Kwon Ju),염인복(In-Bok Yom) 한국전자파학회 2011 한국전자파학회논문지 Vol.22 No.6
본 논문에서는 X-대역 능동 위상 배열 레이더 시스템용 MMIC 다기능 칩을 0.5 ㎛ p-HEMT 상용 공정을 이용하여 개발하였다. 설계된 다기능 칩에는 제어 신호 선로수를 최소화하기 위해 디지털 직병렬 변환기를 포함하고 있다. 다기능 칩은 6-비트 디지털 위상 천이 기능, 6-비트 디지털 감쇠 기능, 송/수신 모드 선택 기능, 신호 증폭 기능 등의 다양한 기능을 제공한다. 24 ㎟(6 ㎜×4 ㎜) 칩 크기의 비교적 소형으로 제작된 MMIC 다기능칩은 8.5~10.5 ㎓에서 24/15 ㏈의 송/수신 이득 특성과 21 ㏈m의 P1㏈ 특성을 보였다. 그리고 6-비트, 64 상태에 대해 위상 천이 특성과 감쇠 특성의 측정 결과, 동작 주파수에서 7°의 RMS 위상 오차와 0.3 ㏈의 RMS 감쇠 오차를 보였다. An MMIC multi-function chip for an X-band active phased array radar system has been designed and fabricated using a 0.5 ㎛ GaAs p-HEMT commercial process. A digital serial-to-parallel converter is included in this chip in order to reduce the number of the control interface. The multi-function chip provides several functions: 6-bit phase shifting, 6-bit attenuation, transmit/receive switching, and signal amplification. The fabricated multi-function chip with a relative compact size of 24 ㎟(6 ㎜×4 ㎜) exhibits a transmit/receive gain of 24/15 ㏈ and a P1㏈ of 21 ㏈m from 8.5 ㎓ to 10.5 ㎓. The RMS errors for the 64 states of the 6-bit phase shift and attenuation were measured to 7° and 0.3 ㏈, respectively over the frequency.
정진철(Jin-Cheol Jeong),장동칠(Dong-Chil Chang),윤영호(Yeong-Ho Yun),박천수(Chun-Soo Park),김숭열(Sung-Yeol Kim) 한국원예학회 2005 원예과학기술지 Vol.23 No.1
우리나라에서 가공원료용 여름재배 감자는 평창을 중심으로 경사지로 이루어진 고랭지 지역에서 생산되며, 평지와는 다른 형태의 시비 프로그램이 적용되어야 한다. 본 연구는 고랭지 지역에서 고품질의 가공용 감자를 생산하기 위해 토양분석을 통한 질소 시비량 결정 기준을 마련키 위해 수행되었다. ‘대서’ 품종 감자를 대상으로 포장별 적정 질소 시비량 산출을 위해 비옥도가 상이한 1년차 5개 포장과 2년차 3개 포장에서 각각 0, 10, 20 및 30㎏/10a 수준으로 포장실험을 수행하였다. 질소 최적 시비량은 포장별로 최대 수량을 얻기 위해서는 17.9-33.4㎏/10a 범위, 최대의 괴경 건물율은 17.1-35.0㎏/10a 범위로 다양하게 나타났다. 이를 기준으로 토양내 유기물 함량에 따라 최대 수량을 위한 Y=-0.50X + 38.3의 식과 최대 괴경 건물율을 얻을 수 있는 Y=-0.47X + 33.9의 식을 얻을 수 있었다. 따라서 고랭지 여름감자 재배지대에서 파종 전 토양 내 유기물 함량을 분석하고 이 결과를 본 실험에서 얻어진 시비추천 회귀식에 대입할 경우 고품질의 가공원료 감자 생산이 가능할 것으로 생각된다. In Korea, considerable amount of potato (Solanum tuberosum L.) tubers for processing is produced in highland area by summer cropping from April to September. Many fields of highland area are very weak in soil erosion because almost of them are located at slope land. In this area, therefore, special fertilization program should be applied for production of potato tubers having high quality. This study was carried out to recommend the model of nitrogen fertilization level for higher processing quality of potato tubers based on the soil test in highland area. Potato cv. Atlantic was tested with four application levels of 0, 10, 20, 30 ㎏/10a nitrogen in 3 or 5 fields with different nutrient conditions ranged from 5 to 41 gㆍ㎏⁻¹ organic matter through two years. The optimum levels of N varied with 8 different fields in the ranges of 17.9-33.4 ㎏/10a for tuber yield and 17.1-35.0 ㎏/10a for dry matter content of tuber. Additionally, the regression equations of N fertilizer recommendation for tuber yield and dry matter content of tuber were obtained from relations between the soil organic matter and applied N amount. The regression equation for dry matter of tuber (Y=-0.50X + 38.3) showed relatively lower level in recommended N fertilizer as compared with tuber yield (Y=-0.47X + 33.9). To produce higher quality potatoes for processing, therefore, different N application scheme from cultivation for higher yield have to be recommended in summer cropping of highland area.
Ku-대역 위성이동통신을 위한 능동 위상배열안테나용 4-채널 GaAs MMIC 다기능 칩
정진철(Jin Cheol Jeong),임준한(Jun Han Lim),장동필(Dong Pil Jang) 한국전자파학회 2020 한국전자파학회논문지 Vol.31 No.11
본 논문에서는 Ku-대역 위성이동 통신을 위한 능동 위상 배열 안테나에 사용되는 수신 및 송신 MMIC 다기능 칩을 0.25 ㎛ p-HEMT 상용 공정을 이용하여 개발하였다. 다기능 칩은 4:1 결합기를 포함한 4-채널 경로로 구성되며, 각 채널은 6-비트 디지털 위상 천이 기능, 5-비트 디지털 감쇠 기능, 신호 증폭 기능 등의 다양한 기능을 제공한다. 27 ㎟(5.2 ㎜×5.2 ㎜) 칩 크기로 제작된 MMIC 다기능 칩은 7 ㎜×7 ㎜ 크기의 상용 QFN 플라스틱 패키지에 조립 후 측정하였다. 측정결과, 수신 다기능 칩의 경우, 10.7~12.75 ㎓에서 28 ㏈의 이득과 1.6 ㏈의 잡음지수 특성을 보였다. 그리고 위상 제어 시, 3°의 RMS 위상 오차와 감쇠 제어 시, 0.3 ㏈의 RMS 감쇠 오차를 보였다. 송신 다기능 칩의 경우, 1.27 W DC 소모 전력에 대해 13.75~14.5 ㎓에서 15 ㏈의 이득과 16.4 ㏈m의 출력파워 특성을 보였다. 그리고 위상 제어 시, 2.5°의 RMS 위상 오차와 감쇠 제어 시, 0.2 ㏈의 RMS 감쇠 오차를 보였다. Receive and transmit ㎜IC multi-function chips for an active phased-array antenna for Ku-band mobile SATCOM have been designed and fabricated using a 0.25 ㎛ GaAs p-HEMT co㎜ercial process. The multi-function chips consist of 4-channel paths, including a 4:1 combiner, and provide several functions: 6-bit phase shifting, 5-bit attenuation, and signal amplification. The fabricated multi-function chips with a size of 27 ㎟(5.2 ㎜×5.2 ㎜) were assembled in a 7 ㎜×7 ㎜ co㎜ercial QFN plastic package. The receiver chip exhibits a gain of 28 ㏈, a noise figure of 1.6 ㏈, 3° root mean square (RMS) phase error for phase control, and 0.3 ㏈ RMS attenuation error for attenuator control over a frequency range of 10.7 ㎓ to 12.75 ㎓. The transmitter chip provides a gain of 15 ㏈, a saturation power of 16.4 ㏈m, 2.5° RMS phase error for phase control, and 0.2 ㏈ RMS attenuation error for attenuator control over the frequency range of 13.75 ㎓ to 14.5 ㎓ with a DC low power consumption of 1.27 W.