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가와사끼 병에 합병된 간기능 이상소견에 대한 임상적 및 병리조직학적 소견
이성철,차한,나송이,김희섭,박호진,신미경,Lee, Sung-Chul,Tchah, Hann,Na, Song-Yi,Kim, Hee-Sup,Park, Ho-Jin,Shin, Mi-Kyeong 대한소아소화기영양학회 2000 Pediatric gastroenterology, hepatology & nutrition Vol.3 No.1
Purpose: The aim of this research is to examine the abnormal liver function complicated with Kawasaki disease (KD) and to analyze its clinical characteristics and complications. Methods: Ninty eight cases were diagnosed as having KD, among which thirty four cases had abnormal alanine aminotransferase (ALT) (>30 IU/L). These abnormal ALT cases were evaluated in terms of age and sex distribution, major symptoms, complications, laboratory and histopathologic findings. Results: Male to female ratio was 2.4:1 and most patients (91.2%) were under 5 years of age. Cervical lymphadenopathy was observed in 3 cases (8.8%); and recurred cases were two (5.8%). Average fever duration was 8 days; average length of hospitalization was 9 days; and average recovery period was 13 days. Immediately after admission, positive CRP was observed in 31 cases (91.2%), leukocytosis (> $10,000/mm^3$) in 26 cases (76.0%), thrombocytosis (> $450,000/mm^3$) in 7 cases (20.6%), and anemia (<10 gm/dl) in 7 cases (20.6%), respectively. GB hydrops or cholecystitis were noted in 3 cases (8.8%), abnormal ECG finding in 1 case (2.9%), coronary dilatation or aneurysm in 2 cases (5.9%). Liver biopsy was done in four cases and revealed mild infiltration of lymphocytes on the portal area and mild bile duct proliferations. Conclusion: The abnormal liver function was noted in 34.7% of KD patients, and subsided all within one month. But the liver function test should be checked closely in patients of the abnormal liver function test complicated with KD despite of its good prognosis.
김성하(Sung-Ha Kim),송철기(Chul-Ki Song),김건상(Kun-Sang Kim),이성철(Seong-Chul Lee),우민수(Min-Su Woo),이경수(Kyung-Su Yi) 한국자동차공학회 1998 한국자동차공학회 춘 추계 학술대회 논문집 Vol.1998 No.5_2
Collision Warning System has been as active research and development area as the interests and demande for active safety of road vehicles increase. This paper presents an experimental investigation of Collision Warning System for automobiles. A Collision Warning HiLS(Hardware-in-the-Loop Simulation) system has been designed and used to test a Collision Warning algorithm. Radar censors. And warning displays under realistic operating conditions in the laboratory. A Collision Warning algorithm consists of warning index defined by the warning distance and following vehicles. Relative distance and relative velocity of the vehicles using vehicle simulation models. The relative distance and the relative velocity are applied to the vehicle simulator controlled by a DC motor.<br/>
초청 총설 : 바이오에너지 및 바이오화학원료인 C4-C6 생산
김병천 ( Byung Chun Kim ),이성철 ( Sung Chul Yi ),상병인 ( Byoung In Sang ) 한국공업화학회 2011 공업화학 Vol.22 No.5
석유자원의 고갈이 에너지 및 화학원료물질로 재생 가능한 바이오매스의 이용성을 증가시키고 있다. 본 총설에서는 바이오에너지 및 바이오화학원료인 C4-C6 생산에 관해 논하고자 한다. 주요한 C4 물질인 n-butanol과 n-butyric acid를 다량 생산하는 미생물은 Clostridium tyrobutyricum, Clostridium beijerinckii, Clostridium acetobutylicum이다. 대표적인 C6 물질인 n-hexanoic acid는 Clostridium kluyveri와 Megasphaera elsdenii가 다량 생산한다. 미생물 발효에 의해 보고된 n-butanol, n-butyric acid, n-hexanoic acid의 최대 생산량은 각각 21, 55, 19 g/L이었다. 배양과정에서 이들 생산물의 제거는 최종산물억제의 감소로 미생물에 의한 n-butanol, n-butyric acid, n-hexanoic acid의 생산량을 증가시켰다. 특히 C6 물질인 n-hexanoic acid는 n-hexanol로 될 수 있는 고 부가가치 물질로 생물학적 생산 연구가 꾸준히 진행 중인데, 신규한 미생물인 Clostridium sp. BS1은 galactitol을 이용하여 5 g/L의 n-hexanoic acid를 생산하였다. Depletion of petroleum increased the need of alternative energy and chemical resources. Biomass, a renewable resource, can be transformed to bioenergy and biomaterials, and the materials from biomass will ultimately substitute petroleum based energy and chemical compounds. In this perspective, production of C4-C6 compounds for bioenergy and biomaterials are described for understating of current research progress. n-Butanol and n-butyric acid, the major C4 compounds, are produced by Clostridium tyrobutyricum, Clostridium beijerinckii, and Clostridium acetobutylicum. n-Hexanoic acid, a typical C6 compound, is produced by Clostridium kluyveri and Megasphaera elsdenii. Reported maximum amount of n-butanol, n-butyric acid and n-hexanoic acid was 21, 55, and 19 g/L, respectively, and extraction of these C4-C6 compounds are induced increase production by those anaerobic bacteria. In addition, a new bacterium Clostridium sp. BS-1 produced 5 g/L of n-hexanoic acid using galactitol.
HVPE 법을 활용한 GaN 성장 시 질화처리에 관한 연구
이승훈,이주형,이희애,오누리,이성철,강효상,이성국,양재득,박재화,Lee, Seung Hoon,Lee, Joo Hyung,Lee, Hee Ae,Oh, Nuri,Yi, Sung Chul,Kang, Hyo Sang,Lee, Seong Kuk,Yang, Jae Duk,Park, Jae Hwa 한국결정성장학회 2019 한국결정성장학회지 Vol.29 No.4
HVPE is one of the GaN single crystal manufacturing methods which has been commercially widely used due to its high growth rate. HVPE method consists of a number of processes, in particular the nitridation of the substrate prior to GaN growth has a significant effect on the crystalline quality of the manufactured GaN single crystal. In this study, we investigated the effect of nitridation for crystalline quality of GaN when it was grown on the sapphire substrate. The whole growth conditions except for the nitridation process were the same, and the gas flow rate supplied to the sapphire substrate was variously changed during the nitridation. Here, we examined the effect of nitridation via the surface characterization of GaN single crystal grown by HVPE. HVPE는 GaN 단결정의 제조 방법 중 하나로 빠른 성장 속도가 장점인 상업적으로 널리 사용되는 성장 방법이다. HVPE 법에 의한 GaN 단결정 성장은 여러 공정으로 이루어지며, 특히 GaN 성장 전 기판의 질화 처리는 성장되는 GaN 단결정 품질에 상당한 영향을 미친다. 본 연구에서는 사파이어 기판 위에 GaN 단결정 성장 시 기판의 질화처리가 성장되는 GaN 단결정 품질에 미치는 영향을 알아보고자 하였다. 질화 처리를 제외한 다른 성장 조건은 동일하게 하였고 질화처리 시 기판에 공급되는 가스 유량을 다양하게 변화시킨 후 GaN 박막을 성장시키고, 성장된 GaN의 표면 특성평가를 통하여, HVPE 법에서의 질화처리 효과를 고찰하여 보고자 하였다.
조장호,이상곤,조원일,김영채,이성철,이주성,문세기 ( Jang Ho Jo,Sang Gon Lee,Won Il Cho,Young Chai Kim,Sung Chul Yi,Ju Seong Lee,Sei Ki Moon ) 한국공업화학회 1997 공업화학 Vol.8 No.6
알칼리형 연료전지용 라니니켈 수소극에서 카본블랙이 전극 성능 및 촉매층 구조에 미치는 영향을 전기화학적 방법과 질소 흡착법 등을 이용하여 조사되었다. 본 연구에서 라니니켈 수소극 촉매층의 최적 카본블랙 함량은 2wt% 였다. 카본블랙의 첨가는 한계전류밀도를 증가시켰으며, 이는 기액접촉면적의 증가에 기인한 것으로 사료된다. 또한 한계전류밀도에서의 속도결정단계는 수소가 기액접촉면에서 녹는 단계일 가능성이 높은 것으로 조사되었다. The effects of carbon black on the electrodes performance and on the structure of the catalyst layer in Raney nickel hydrogen electrodes for alkaline fuel cells were investigated by using electrochemical and nitrogen adsorption methods. The optimum content of carbon black in the catalyst layer of Raney nickel hydrogen electrode was 2wt%. The limiting current density was increased by the addition of carbon black due to the enlargement of gas-liquid interface area. The rate determining step at the limiting current density was supposed to be a step where hydrogen dissolves at gas-liquid interfaces.
저온 GaN의 성장 온도에 따른 에피택셜 GaN의 stress relaxation 효과
이승훈,이주형,오누리,이성철,박형빈,신란희,박재화,Lee, Seung Hoon,Lee, Joo Hyung,Oh, Nuri,Yi, Sung Chul,Park, Hyung Bin,Shin, Ran Hee,Park, Jae Hwa 한국결정성장학회 2022 한국결정성장학회지 Vol.32 No.3
이종 기판과 GaN의 물성 차이로 인해 발생하는 결함을 제어하기 위한 다양한 방법 중 동종 물질을 완충층으로 사용하는 LT-GaN 방법을 사용하여 완충층과 성장 온도의 상관성을 자체 제작한 성장 장비를 통해 확인하고자 하였다. 성장 온도에 따라 표면에 형성된 LT-GaN 결정성에 변화가 있었으며, annealing 후 LT-GaN가 나타내는 결정성에 따라 epiGaN의 응력 완화 효과에 차이점이 있었다. 반면 LT-GaN의 높은 결정성은 다결정을 형성하는 원인으로 작용하여 그 위에 성장하는 epi-GaN의 결정질을 저해하는 결과를 유발하였다.
HVPE 법을 통한 GaN 성장 시 기판 종류 및 V/III 비에 따른 잔류 stress 특성 연구
이주형,이승훈,이희애,강효상,오누리,이성철,이성국,박재화,Lee, Joo Hyung,Lee, Seung Hoon,Lee, Hee Ae,Kang, Hyo Sang,Oh, Nuri,Yi, Sung Chul,Lee, Seong Kuk,Park, Jae Hwa 한국결정성장학회 2020 한국결정성장학회지 Vol.30 No.2
본 연구에서는 HVPE 성장법으로 GaN 성장 시 GaN 내에 잔류하는 stress로 인한 crack 현상을 감소시키고자 기판 종류 및 V/III 비를 조절하여 잔류 stress 특성을 알아보고자 하였다. Sapphire, GaN template 위에 각각 V/III 비 5, 10, 15의 조건으로 GaN을 성장시켜 형성된 hexagonal pit의 분포 및 깊이를 분석하였다. 이를 통해 GaN on GaN template 성장에서 V/III 비가 높을수록 hexagonal pit의 분포 영역 및 깊이가 증가하는 것을 확인하였다. Raman 측정을 통해 hexagonal pit 영역 및 깊이가 컸던 GaN on GaN template 성장에서 V/III 비가 높을수록 stress가 감소하는 것을 확인하였다. 이를 통해 hexagonal pit의 분포 및 깊이가 증가할수록 잔류 stress가 낮아짐을 확인할 수 있었으며, 향후 후막 GaN 성장 시 stress 감소 가능성에 대해 확인하였다. The characteristics of the residual stress on the types of the substrate was investigated with adjusting the V/III ratio during GaN growth via the HVPE method. GaN single crystal layers were grown on a sapphire substrate and a GaN template under the conditions of V/III ratio 5, 10, and 15, respectively. During GaN growth, multiple hexagonal pits in GaN single crystal were differently revealed in accordance with growth condition and substrate type, and their distribution and depth were measured via optical microscopy(OM) and white light interferometry(WLI). As a result, it was confirmed that the distribution area and depth of hexagonal pit tended to increase as the V/III ratio increased. Moreover, it was found that the residual stress in GaN single crystal decreased as the distribution area and depth of the pit increased through measuring micro Raman spectrophotometer. In the case of GaN growth according to substrate type, the GaN on GaN template showed lower residual stress than the GaN grown on sapphire substrate.