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- 저자 : 양두영(D. Y. Yang) (검색결과 1 건)
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15%와 42%의 Ge 함량을 갖는 poly Si_(1-x)Ge_x 박막을 700℃의 습식 산화 분위기에서 산화 공정을 진행하고, 박막의 산화 거동을 RBS, XPS, cross-sectional TEM으로 분석하였다. Poly Si_(0.85)Ge_(0.15) 박막의 경우, GeO₂에 비해 열적으로 안정한 SiO₂가 우천 생성되고, 반응에 참여하지 못한 Ge은 산화막과 poly Si_(1-x)Ge_x 박막의 계면에 축적되어 산화막 하부의 Ge 농도가 증가함을 확인하였다. Poly Si_(0.58)Ge_(0.42) 박막의 경우, 산화막내에 많은 양의 Ge이 GeO₂와 Ge의 형태로 존재하였고, 이러한 GeO₂의 형성으로 인해 산화속도의 증가를 확인하였다. 이러한 분석 결과를 바탕으로 Ge 함량 증가에 따른 poly Si_(1-x)Ge_x 박막의 산화 모델을 제 시하였다. We investigated the oxidation behavior of poly Si_(1-x)Ge_x films (X=0.15, 0.42) at 700℃ in wet oxidation ambients and analyzed the oxide by XPS, RBS, and cross-sectional TEM. In the case of poly Si_(0.85)Ge_(0.15) films, SiO₂ was formed on the poly Si_(1-x)Ge_x films and Ge was rejected from growing oxide, subsequently leading to the increase of Ge content. In the case of poly Si_(0.58)Ge_(0.42) films, we found that SiO₂-GeO₂ were formed on the poly Si_(1-x)Ge_x films due to high Ge content. Finally, we proposed the oxidation model of poly Si_(1-x)Ge_x films.
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