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0.5㎛ 공정에서 넓은 동작범위를 가지는 CMOS 이미지 센서의 상보형 구조 Pixel 과 신호검출 회로 설계
김진수(Jin-Su Kim),정진우(Jin-Woo Jung),강명훈(Myung-Hoon Kang),노호섭(Ho-Sub No),이제원(Je-Won Lee),김종민(Jong-Min Kim),송한정(Han-Jung Song) 대한전자공학회 2007 대한전자공학회 학술대회 Vol.2007 No.11
By making up for the defects of existing 3TR Pixel structure, this paper proposes new complementary image pixel structure. Newly designed complementary pixel is consisted of photo diode which is verified with simulation, PMOS reset transistor, sorre NMOS and sorre PMOS for complementary signals. Photo diode signals from each PMOS and NMOS are detected by reset mos. These output signals give enough chances to detect wide operation coverages.