규소 결정 표면의 구조 결함의 형성에 미치는 기계적 손상의 영향

김대일,김종범,김영관,Kim, Dae-Il,Kim, Jong-Bum,Kim, Young-Kwan 한국결정성장학회 2005 한국결정성장학회지 Vol.15 No.2

규소 표면의 기계적 손상은 산화 공정 중에 규소 표면에 여러 가지 형태의 결함들을 발생 시킨다. 규소 표면에 손상을 주는 마모 입자가 커짐에 따라 OISF보다는 etch pit의 형상이 동굴형인 선 결함(line defects)들이 많이 발생된다. 이들 결함들은 실리콘 결정을 성장시키는 단계에서 형성되는 결함들과는 상호 관련이 없다. 방향성 응고법으로 성장된 규소 결정속에 존재하는 결함들은 주로 twin과 stacking fault들이며 응고과정에서 발생이 예상되는 응력에 의한 전위는 거의 발견되지 않았다. 따라서 Czochralski 법으로 성장된 단 결정 규소뿐 아니라 방향성 응고법으로 성장된 다 결정 규소 기판도 표면의 결함들을 이용하여 extrinsic gettering을 통한 규소 결정 내부의 불순물 제거의 가능성이 높다. During oxidation process, several type of defects are formed on the surface of the silicon crystal which was damaged mechanically before oxidation. As the size of abrasive particle increases multiple dislocation loops are produced favorably over oxidation-induced stacking faults, which are dominantly produced when ground with finer abrasive particle. These defects are not related with the crystal growth process like Czochralski or directional solidification. During directional solidification process, twins and stacking faults are the two major defects observed in the bulk of the silicon crystal. On the other hand, slip dislocations produced by the thermal stress are not observed. Thus, not only in single crystalline silicon crystal but also in multi-crystalline silicon, extrinsic gettering process with programmed production of surface defects might be highly applicable to silicon wafers for purification.

RF PACVD에 의한 초경합금상에 다이아몬드 박막의 합성

김대일,이상희,박구범,박상현,이용근,김보열,김영봉,이덕출,Kim, Dae-Il,Lee, Sang-Hee,Park, Gu-Bum,Park, Sang-Hyun,Lee, Yong-Geun,Kim, Bo-Youl,Kim, Young-Bong,Lee, Duck-Chool 대한전기학회 2000 전기학회논문지C Vol.55 No.12

Diamond thin films were synthesized on WC-Co substrate at various experimental parameters using 13.56MHz RF PACVD)radio frequency plasma-assisted chemical vapor deposition). In order to increased the nucleation density, the WC-Co substrate was polished with 3${\mu}m$ diamond paste. And the WC-Co substrate was preatreated in $HNO_3\;:\;H_2O$ = 1:1 and $O_2$ plasma. In $H_2-CH_4$ gas mixture, the crystallinity of thin film increased with decreasing $CH_4$ concentration at 800W discharge power and 20torr reaction pressure. In $H_2-CH_4-O_2$ gas mixture, the crystallinity of thin film increased with increasing $O_2$ concentration at 800W discharge power, 200torr reaction pressure and 4% $CH_4$ concentration.

Effect of the Cu Bottom Layer on the Optical and Electrical Properties of In₂O₃/Cu Thin Films

김대일,Kim, Dae-Il The Korean Vacuum Society 2011 Applied Science and Convergence Technology Vol.20 No.5

유리 기판 위에 RF와 DC 마그네트론 스퍼터링 방법으로 100 nm 두께의 $In_2O_3$ 단층 박막과 $In_2O_3$ 100 nm/Cu 3 nm의 두께를 갖는 적층박막을 증착하고, 구리 기저 층 증착에 따른 상부 $In_2O_3$ 박막의 광학적, 전기적 특성의 변화를 연구하였다. 상온에서 증착 된 $In_2O_3$ 박막의 가시광 투과도와 면 저항은 79%와 2,300 ${\Omega}/{\square}$이었다. 구리 기저 층의 광 흡수에 의하여, $In_2O_3$/Cu 적층박막의 가시광 투과도는 71%로 감소하였으나, 면 저항은 110 ${\Omega}/{\square}$로 측정되어 상대적으로 우수한 전기적 특성을 구할 수 있었다. 본 연구에서 Figure of Merit 분석을 통하여 구리 기저 층이 상부 $In_2O_3$ 투명전극의 전기적, 광학적 특성을 개선 할 수 있음을 확인하였다. Indium oxide ($In_2O_3$) single layer and $In_2O_3$/copper (Cu) bi-layer films were prepared on glass substrates by RF and DC magnetron sputtering without intentional substrate heating. In order to determine the effect of the Cu bottom layer on the optical, electrical and structural properties of $In_2O_3$ films, 3-nm-thick Cu film was deposited on the glass substrate prior to deposition of the $In_2O_3$ films. As-deposited $In_2O_3$ films had an optical transmittance of 79% in the visible wavelength region and a sheet resistance of 2,300 ${\Omega}/{\square}$, while the $In_2O_3$/Cu film had optical and electrical properties that were influenced by the Cu bottom layer. $In_2O_3$/Cu films had a lower sheet resistance of 110 ${\Omega}/{\square}$ and an optical transmittance of 71%. Based on the figure of merit, it can be concluded that the Cu bottom layer effectively increases the performance of $In_2O_3$ films for use as transparent conducting oxides in flexible display applications.

실업(失業) 장기화(長期化)의 효과(效果) 분석(分析)

김대일,Kim, Dae-Il 한국개발연구원 1997 KDI Journal of Economic Policy (KDI JEP) Vol.19 No.4

실업률은 실업의 빈도와 실업기간의 복합체로 결정된다. 따라서 동일한 실업률하에서도 다수의 실업자가 단기실업을 경험할 수 있는 반면, 소수의 실업자가 장기의 실업을 경험할 수도 있다. 실업의 경제비용이란 측면에서 볼 때, 전자의 실업은 부문별 수요변화에 따라 신속한 인력 재배치가 진행됨을 의미하는 반면, 후자의 실업은 구조적인 인력 수급 불균형을 반영하고 있어 높은 경제비용을 수반할 가능성이 높다. 본 논문은 우리나라의 경우 실업률의 지속적인 하락에도 불구하고 1990년대에 들어 실업기간이 장기화되고 있음을 보이고 있다. 이러한 실업 장기화 현상은 노동공급 측면에서 비교적 경제활동이 낮았던 저학력 및 청년, 그리고 여성 근로자층의 구직활동이 적극화된 점과, 노동수요 측면에서는 수요의 고학력화에 따른 장년층 및 저학력 실업자의 구직난을 반영하고 있는 것으로 평가된다. 이러한 결과는 현 경제위기에서 많은 장기실업자가 발생할 가능성이 높음을 시사하고 있어 실직자 지원의 효율적 확대와 직업훈련 효율성 제고의 필요성이 높다고 사료된다.

무선 센서 네트워크에서의 싱크노드 실패에 대비한 이중 싱크노드 장치

김대일,박래정,박성욱,이형봉,문정호,정태윤,Kim, Dae-Il,Park, Lae-Jeong,Park, Sung-Wook,Lee, Hyung-Bong,Moon, Jung-Ho,Chung, Tae-Yun 대한임베디드공학회 2011 대한임베디드공학회논문지 Vol.6 No.6

Since wireless sensor networks generally have the capability of network recovery, malfunction of a few sensor nodes in a sensor network does not cause a crucial problem paralyzing the sensor network. The malfunction of the sink node, however, is critical. If the sink node of a sensor network stops working, the data collected by sensor nodes cannot be delivered to the gateway because no other sensor nodes can take the place of the sink node. This paper proposes a TDMA-based wireless sensor network equipped with dual sink nodes, with a view to preventing data loss in the case of malfunction of a sink node. A secondary sink node, which synchronizes with a primary sink node and receives data from other sensor nodes in normal situations, takes the role of the primary sink node in the case of malfunction of the primary sink, thereby eliminating the possibility of data loss. The effectiveness of the proposed scheme is demonstrated through experiments.

진공열처리온도에 따른 GZO/Cu 박막의 구조적, 광학적, 전기적 특성 변화

김대일,Kim, Dae-Il 한국전기전자재료학회 2011 전기전자재료학회논문지 Vol.24 No.9

Ga doped ZnO (GZO)/Cu bi-layer films were deposited with RF and DC magnetron sputtering on glass substrate and then the effect of post deposition annealing temperature on the structural, optical and electrical properties of the films was investigated. The post deposition annealing process was conducted for 30 minutes in gas pressure of $1{\times}10^{-3}$ Torr and the annealing temperatures were 150 and $300^{\circ}C$. With increasing annealing temperature, GZO/Cu films showed an increment in the prefer orientation of ZnO (002) diffraction peak in the XRD pattern and the optical transmittance in a visible wave region was also increased, while the electrical sheet resistance was decreased. The GZO/Cu films annealed at $300^{\circ}C$ showed the highest optical transmittance of 70% and also showed the lowest electrical resistance of $85\;{\Omega}/{\Box}$ in this study.

태양전지용 규소 기판에 존재하는 기계적 손상의 gettering 공정에의 활용

김대일,김영관,Kim, Dae-Il,Kim, Young-Kwan 한국결정성장학회 2006 한국결정성장학회지 Vol.16 No.2

실리콘웨이퍼 표면에 기계적인 손상을 가한 후 산화 열처리 공정을 실시하면 온도와 기계적인 손상의 크기에 따라 여러 가지 결정 결함이 발생된다. 기계적인 손상이 크고 열처리 온도가 증가함에 따라 dislocation loop 등의 대형 결함들이 발생되고 열처리 온도가 낮거나 손상의 크기가 작을수록 OISF(Oxidation Induced Stacking Faults)등의 소형 결함들이 많이 발생된다. Minority carrier lifetime을 측정하여본 결과 결함의 크기가 작을수록 minority carrier lifetime이 높은 것으로 밝혀졌다. 더욱이 dislocation loop 등의 결정 결함보다는 결함 발생 이전 단계인 strained layer등이 금속불순물에 대한 gettering의 효과가 더욱 높음을 알 수 있었다. Various kind of structural defects are observed to be present on the oxidized surface of the silicon crystal which was previously damaged mechanically. The formation of such defects was found to depend on the amount of damage induced and the temperature of thermal oxidation. It was confirmed by the measurement of minority carrier life time that gettering capability decreases as the size of the defects increase. The strained layer which is formed due to smaller amount of damage or lower oxidation temperature believed to has higher capability of gettering over defects like dislocation loops or stacking faults.

계획작품 - 트윈빌라트71

김대일,주영정,Kim, Dae-Il,Ju, Yeong-Jeong 대한건축사협회 1996 建築士 Vol.1996 No.4

Lung SABR plan시 AAA의 Calculation resolution 변화에 의한 Target dose 영향 연구

김대일,손상준,안범석,정치훈,유숙현,Kim, Dae Il,Son, Sang Jun,Ahn, Bum Seok,Jung, Chi Hoon,Yoo, Suk Hyun 대한방사선치료학회 2014 대한방사선치료학회지 Vol.26 No.2

목 적 : Lung SABR plan 에서 AAA의 calculation grid를 변화시켜 선량변화를 분석하고 그에 따른 영향을 연구하여 적절한 적용 방안에 대해 고찰한다. 대상 및 방법 : 모든 plan에 이용된 4D CT image는 Brilliance Big Bore CT(Philips, Netherlands)에서 촬영되었으며 10 건의 Lung SABR plan($Eclipse^{TM}$ ver 10.0.42, Varian, the USA)에서 anisotropic analytic algorithm (AAA, ver. 10, Varian Medical Systems, Palo Alto, CA, USA)을 이용하여 각각 1.0, 3.0, 5.0 mm의 calculation grid로 계산하였다. 결 과 : 10 건의 Lung SABR plan에서 1.0 mm calculation grid를 사용한 경우 $V_{98}$이 각각 처방선량의 약 $99.5{\pm}1.5%$ 였으며 Dmin이 각각 처방선량의 약 $92.5{\pm}1.5%$ 였고 Homogeneity Index(HI)는 약 $1.0489{\pm}0.0025$로 나타났다. 3.0 mm calculation grid를 사용한 경우 $V_{98}$이 각각 처방선량의 약 $90{\pm}4.5%$였으며, Dmin이 각각 처방선량의 약 $87.5{\pm}3%$ 였고 HI가 약 $1.07{\pm}1$로 나타났다. 5.0 mm calculation grid를 사용한 경우 $V_{98}$이 각각 처방선량의 약 $63{\pm}15%$ 였으며, Dmin이 각각 처방선량의 약 $83{\pm}4%$ 였고 HI가 약 $1.13{\pm}0.2$로 나타났다. 결 론 : 1.0 mm calculation grid의 계산 시간이 3.0 mm, 5.0 mm 보다 오래 걸렸지만 grid의 간격이 좁을수록 상대적으로 작은 PTV를 갖는 plan의 정확성을 향상시키는 것으로 나타났다. 또한 Lung과 같이 비교적 넓게 퍼져 있으며 밀도가 낮은 장기의 작은 PTV를 치료해야 하는 경우에는 1.0 mm의 calculation grid를 사용하는 것이 좋을 것으로 사료된다. Purpose : Changing the calculation grid of AAA in Lung SABR plan and to analyze the changes in target dose, and investigated the effects associated with it, and considered a suitable method of application. Materials and Methods : 4D CT image that was used to plan all been taken with Brilliance Big Bore CT (Philips, Netherlands) and in Lung SABR plan($Eclipse^{TM}$ ver10.0.42, Varian, the USA), use anisotropic analytic algorithm(AAA, ver.10, Varian Medical Systems, Palo Alto, CA, USA) and, was calculated by the calculation grid 1.0, 3.0, 5.0 mm in each Lung SABR plan. Results : Lung SABR plan of 10 cases are using each of 1.0 mm, 3.0 mm, 5.0 mm calculation grid, and in case of use a 1.0 mm calculation grid $V_{98}$. of the prescribed dose is about $99.5%{\pm}1.5%$, $D_{min}$ of the prescribed dose is about $92.5{\pm}1.5%$ and Homogeneity Index(HI) is $1.0489{\pm}0.0025$. In the case of use a 3.0 mm calculation grid $V_{98}$ dose of the prescribed dose is about $90{\pm}4.5%$, $D_{min}$ of the prescribed dose is about $87.5{\pm}3%$ and HI is about $1.07{\pm}1$. In the case of use a 5.0 mm calculation grid $V_{98}$ dose of the prescribed dose is about $63{\pm}15%$, $D_{min}$ of the prescribed dose is about $83{\pm}4%$ and HI is about $1.13{\pm}0.2$, respectively. Conclusion : The calculation grid of 1.0 mm is better improves the accuracy of dose calculation than using 3.0 mm and 5.0 mm, although calculation times increase in the case of smaller PTV relatively. As lung, spread relatively large and low density and small PTV, it is considered and good to use a calculation grid of 1.0 mm.

성·연령별 1인 가구의 확대 양상

김대일 ( Dae Il Kim ) 한국경제학회 2018 經濟學硏究 Vol.66 No.2

본 연구는 2006~2015년 기간 동안 성·연령별로 1인 가구가 증가한 양상을 비교하고 그 원인을 분석하였다. 청년층의 경우 결혼 지연으로 인한 1인 가구 확대가 두드러지며, 고연령층의 경우 자녀 세대와의 분가를 통한 노인 가구 증가가 1인 가구 확대에 기여하고 있는 것으로 판단된다. 청년층의 결혼 지연은 취업한 여성에게서 두드러지며, 고연령층에서는 가구 내 협상력과 관련된 경제적 변수의 역할이 여성의 1인 가구 증가에 기여하는 등, 변화 방향과 그 원인에 있어서 남녀별로 차이가 있다고 추정된다. 1인 가구의 확대 자체에 대한 정책적 접근이 필요하다기 보다는, 그 배경 원인의 하나인 결혼 지연 등과 관련하여 일·가정에 대한 청년층의 선택이 왜곡되고 있을 가능성에 대해 충분한 고려가 필요하다고 판단된다. This paper shows that the recent increase of single-person households in the last decade has resulted from delayed marriage among the young population and stronger tendency for old people to live separately from their children. Factors such as working status and pension incomes have differing impacts on the decision to form a single-person household between men and women. Delayed marriage is more pronounced among working women, and public pensions have contributed in the increase of single-person households among old women. One potential policy implication is that the factors distorting the choice between work and family needs be removed to prevent inefficiently delayed marriages among the young population.