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- 저자 : 고대홍(D. H. Ko) (검색결과 4 건)
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Co / Si 시스템에서 capping layer에 따른 코발트 실리사이드 박막의 형성에 관한 연구
김해영(H. Y. Kim),김상연(S. Y. Kim),고대홍(D. H. Ko),최철준(C. J. Choi),김철성(C. S. Kim),구자흠(J. H. Ku),최시영(S. Y. Choi),Kazuyuki Fujihara(K. Fujihara),강호규(H. K. Kang) 한국진공학회(ASCT) 2000 Applied Science and Convergence Technology Vol.9 No.4
코발트 실리사이드 형성에 있어서 Capping layer로써의 Ti의 역할에 대한 연구를 수행하였다. 실리콘 산화막이 제거된 Si(100) 기판과 H₂SO₄에 의한 chemical oxide를 형성한 Si(100) 기판 위에 Co와 Ti를 증착한 후 열처리 온도 증가에 따른 계면반응과 상변화 등의 미세구보와 면저항 특성의 변화를 four point prove, XRD, TEM, SIMS등의 분석을 통하여 TiN capping, capping layer가 없는 경우에 대하여 비교하였다. 실리콘 산화막이 제거된 Si 기판 상에서 Ti capping의 경우 TiN capping, capping layer가 없는 경우보다 높은 온도에서 CoS₂상이 형성되었으며, chemical oxide가 형성된 Si 기판 상에서는 Ti capping의 경우 코발트 실리사이드 박막을 형성 할 수 있었다. 이것은 capping layer인 Ti가 1차 RTA(Rapid Thermal Annealing 동안 Si 기판 방향으로 확산 침투하여 Co와 Si 사이에 존재하는 실리콘 산화막을 분해하는 역할을 하기 때문이다. We investigated the role of the capping layers in the formation of the cobalt silicide in Co/Si systems with TiN and Ti capping layers and without capping layers. The Co/Si interfacial reactions and the phase transformations by the rapid thermal annealing (RTA) processes were observed by sheet resistance measurements, XRD, SIMS and TEM analyses for the clean silicon substrate as well as for the chemically oxidized silicon substrate by H₂SO₄. We observed the retardation of the cobalt disilicide formation in the Co/Si system with Ti capping layers. In the case of Co/SiO₂/Si system, cobalt silicide was formed by the Co/Si reaction due to with the dissociation of the oxide layer by the Ti capping layers.
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열처리에 따른 Y₂O₃박막의 미세 구조 변화와 전기적 특성 변화에 대한 고찰
정윤하(Y. H. Jung),강성관(S. K. Kang),김은하(E. H. Kim),고대홍(D. H. Ko),조만호(M. H. Cho),황정남(C. N. Whang) 한국진공학회(ASCT) 1999 Applied Science and Convergence Technology Vol.8 No.3(1)
p-type Si (100) 기판 위에 습식 산화법으로 SiO₂ 층을 형성한 후, Ionized Cluster Beam(ICB) 증착 방법으로 200 Å 두께의 Y₂O₃ 박막을 증착 하였다. Y₂O₃ 박막이 증착 된 시편을 산소, 아르곤 분위기에서 열처리한 후, Atomic Force Microscopy(AFM)과 Transmission Electron Microscopy(TEM)을 사용하여 Y₂O₃ 박막의 표면과 계면을 관찰하였다. 열처리를 수행한 후 Y₂O₃ 박막과 Si 기판 사이에서 SiO₂층이 성장하고, 이트륨실리 케이트 층이 형성되는 것을 관찰할 수 있었다. 산소 분위기에서 열처리를 수행한 시편의 Y₂O₃ 박막 표면을 관찰한 결과, 표면 상부에 아르곤 분위기에서 열처리한 시편에서는 보이지 않았던 새로운 상이 형성되었음을 알 수 있었다. 또한 전기적 특성을 측정하기 위하여 Al/Y₂O₃/p-type Si (100) 의 캐패시턴스-전압 특성을 관찰하였고, 그 결과 Y₂O₃ 박막의 유전 상수 값이 약 9정도임을 알 수 있었다. We investigated the interfacial reactions between the Y₂O₃ film deposited by ICB processing and p-type (100) Si substrates upon annealing treatments in O₂ and Ar gas ambients. We also investigated the evolution of surface morphology of ICB deposited Y₂O₃ films upon annealing treatments. We observed that the root-mean-square (RMS) value of surface roughness measured by AFM increased with annealing time at 800℃ in O₂ ambient, while the change of surface roughness was not observed in Ar ambient. We also found the growth of SiO₂ layer and the formation of yttrium silicate layer. From the capacitance values (C_(acc)) measured by C-V measurements, the relative dielectric constant of Y₂O₃ film in metal-insulator-semiconductor (MIS) structure was estimated to be about 9.
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증착조건 및 열처리조건에 따른 ZrO₂ 박막의 미세구조와 전기적 특성에 관한 연구
유정호(J. H. Yoo),남석우(S. W. Nam),고대홍(D. H. Ko),오상호(S. H. Oh),박찬경(C G. Park) 한국진공학회(ASCT) 2000 Applied Science and Convergence Technology Vol.9 No.4
p형 Si (100) 기판 위에 reactive DC magnetron sputtering으로 증착한 ZrO₂ 박막에 대하여 증착조건과 열처리 조건에 따른 미세구조의 변화및 전기적 특성 변화를 관찰하였다. 증착 및 열처리 온도가 증가하고 power가 증가할수록 ZrO₂의 굴절율은 증가되어 이상적인 2.0~2.2에 근접하였다. 상온에서 증착된 ZrO₂ 박막은 비정질이며 300℃에서 증착한 경우 ZrO₂ 박막은 다결정이었다. 산소 분위기에서 열처리를 수행한 박막의 RMS 값은 증착직후보다 높아지고 계면 산화막은 산소의 확산에 의해 두께가 증가하였다. Al/ZrO₂/p-type Si (100)의 C-V과 I-V 특성을 관찰하였고, 그 결과 산소분위기에서 열처리하는 경우 계면 산화막의 두께증가로 Cmax 및 누설전류가 감소함을 알 수 있었다. We investgated the microstructures and the electrical properties of ZrO₂ thin films deposited by reactive DC magnetron sputtering on (100) Si with different deposition conditions and annealing treatments. The refractive index of the ZrO₂ thin films increased with annealing temperatures and deposition powers, and approached to the ideal value of 2.0~2.2. The ZrO₂ thin films deposited at the room temperature are amorphous, and the films are polycrystalline at the deposition temperature of 300℃. Both the thickness of the interfacial oxide layer and the root-mean-square (RMS) value of surface roughness increased upon annealing in the oxygen ambient. The Cmax value and leakage current value decreased with the increase of thickness of the interfacial oxide thickness.
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강성관(S. K. Kang),고대홍(D.-H. Ko),오상호(S. H. Oh),박찬경(C. K. Park),이기철(K. C. Lee),양두영(D. Y. Yang),안태항(T. H. Ahn),주문식(M. S. Joo) 한국진공학회(ASCT) 2000 Applied Science and Convergence Technology Vol.9 No.4
15%와 42%의 Ge 함량을 갖는 poly Si_(1-x)Ge_x 박막을 700℃의 습식 산화 분위기에서 산화 공정을 진행하고, 박막의 산화 거동을 RBS, XPS, cross-sectional TEM으로 분석하였다. Poly Si_(0.85)Ge_(0.15) 박막의 경우, GeO₂에 비해 열적으로 안정한 SiO₂가 우천 생성되고, 반응에 참여하지 못한 Ge은 산화막과 poly Si_(1-x)Ge_x 박막의 계면에 축적되어 산화막 하부의 Ge 농도가 증가함을 확인하였다. Poly Si_(0.58)Ge_(0.42) 박막의 경우, 산화막내에 많은 양의 Ge이 GeO₂와 Ge의 형태로 존재하였고, 이러한 GeO₂의 형성으로 인해 산화속도의 증가를 확인하였다. 이러한 분석 결과를 바탕으로 Ge 함량 증가에 따른 poly Si_(1-x)Ge_x 박막의 산화 모델을 제 시하였다. We investigated the oxidation behavior of poly Si_(1-x)Ge_x films (X=0.15, 0.42) at 700℃ in wet oxidation ambients and analyzed the oxide by XPS, RBS, and cross-sectional TEM. In the case of poly Si_(0.85)Ge_(0.15) films, SiO₂ was formed on the poly Si_(1-x)Ge_x films and Ge was rejected from growing oxide, subsequently leading to the increase of Ge content. In the case of poly Si_(0.58)Ge_(0.42) films, we found that SiO₂-GeO₂ were formed on the poly Si_(1-x)Ge_x films due to high Ge content. Finally, we proposed the oxidation model of poly Si_(1-x)Ge_x films.
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