http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
Cross-Linked PVP 게이트 유기 박막트랜지스터
장지근,오명환,장호정,김영섭,이준영,공명선,이영관,Jang Ji-Geun,Oh Myung-Hwan,Chang Ho-Jung,Kim Young-Seop,Lee Jun-Young,Gong Myoung-Seon,Lee Young-Kwan 한국마이크로전자및패키징학회 2006 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.13 No.1
유기 박막트랜지스터(OTFTs)제작에서 PVP-게이트 절연막의 형성과 처리가 소자성능에 미치는 영향을 조사하였다. 유기 게이트 용액의 제조에서는 polyvinyl 계열의 PVP(poly-4-vinylphenol)를 용질로, PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate)를 용매로 사용하였다. 또한 열경화성 수지인 poly(melamine-co-formaldehyde)를 경화제로 사용하여 유기 절연막의 cross-link를 시도하였다. MIM 시료의 전기적 절연 특성을 측정한 결과, PVP-기반 유기 절연막은 용액의 제조에서 PGMEA에 대한 PVP와 poly (melamine-co-formaldehyde)의 농도를 증가시킬수록 낮은 누설전류 특성을 나타내었다. OTFT 제작에서는 PGMEA에 대해 PVP를 20 wt%로 섞은 PVP(20 wt%) copolymer와 5 wt%와 10 wt%의 poly(melamine-co-formaldehyde)를 경화제로 추가한 cross-linked PVP(20 wt%)를 게이트 유전 재료로 사용하였다. 제작된 트랜지스터들에서 전계효과 이동도는 5 wt % cross-linked PVP(20 wt%) 소자에서 $0.31cm^2/Vs$로, 그리고 전류 점멸비는 10 wt% cross-linked PVP(20 wt%) 소자에서 $1.92{\times}10^5$으로 가장 높게 나타났다. The preparation and processing of PVP-gate insulators on the device performance have been studied in the fabrication of organic thin film transistors (OTFTs). One of polyvinyl series, poly-4-vinyl phenol(PVP) was used as a solute and propyleneglycol monomethyl etheracetate(PGMEA) as a solvent in the formation of organic gate solutions. The cross-linking of organic insulators was also attempted by adding the thermosetting material, poly (melamine-co-formaldehyde) as a hardener in the compounds. From the measurements of electrical insulating characteristics of metal-insulator-metal (MIM) samples, PVP-based insulating layers showed lower leakage current according to the increase of concentration of PVP and poly (melamine-co-formaldehyde) to PGMEA in the formation of organic solutions. The PVP(20 wt%) copolymer with composition of 20 wt% PVP to PGMEA and cross-linked PVPs in which 5 wt% and 10 wt% poly (melamine-co-formaldehyde) hardeners had been additional]y mixed into PVP(20 wt%) copolymers were used as gate dielectrics in the fabrication of OTFTs, respectively. In our experiments, the maximum field effect mobility of $0.31cm^2/Vs$ could be obtained in the 5 wt% cross-linked PVP(20 wt%) device and the highest on/off current ratio of $1.92{\times}10^5$ in the 10 wt% cross-linked PVP(20 wt%) device.
이영석,오명환,최훈,Lee, Young-Seok,Oh, Myoung-Hwan,Choi, Hoon 한국통신학회 2003 韓國通信學會論文誌 Vol.28 No.8B
Mobile IP protocol introduced in RFC3344 provides a node of the mobility service through IP tunneling mechanism in the IP networks. In this paper, we describe a method to provide a mobility service for VPN(Virtual Private Network) nodes on the MPLS(Multiprotocol Label Switching) network. The MPLS VPN considered here is based on "BGP/MPLS VPNs" presented in RFC2547. PE(Provider′s Edge) routers, which are able to provide VPN services on the MPLS network, are associated with mobility agents to support Mobile IP This proposed mechanism applies when a VPN node moves to other site of the same VPN, or when it moves to other site of a different VPN, or to the ordinary Internet site. We implemented this mechanism in PE routers and analyzed the performance of the MPLS VPN with mobility support on the testbed.
Stacked GDI602(691)/GDI602(Rubrene) 형광층을 갖는 2-파장 유기발광소자
장지근,장호정,오명환,강정원,이준영,공명선,이영관,김희원,Jang, Ji-Geun,Chang, Ho-Jung,Oh, Myung-Hwan,Kang, Jung-Won,Lee, Jun-Young,Gong, Myoung-Seon,Lee, Young-Kwan,Kim, Hee-Won 한국재료학회 2007 한국재료학회지 Vol.17 No.4
A new organic light emitting device(OLED) with two peak wavelength(blue and yellow) emission was fabricated using the selective doping in a single fluorescent host , and its electrical and optical characteristics were investigated. The fabricated device showed the luminance and efficiency of 1600 $Cd/m^2$ and 2.4 Im/W under the applied voltage of 10V, respectively. And its electroluminescent spectra had two peak wavelengths of 470nm and 560nm emitting bluish white light. The OLED with dual wavelength emission in this experiment is likely to be developed as a white OLED with simpler fluorescent system than conventional devices.
이동성 지원을 위한 MPLS VPN 에서의 Smooth Hand - off의 설계 및 구현
임형택(Hyoung-Taek Lim),오명환(Myoung-Hwan Oh),이영석(Young-suk Lee),최훈(Hoon Choi) 한국정보과학회 2003 한국정보과학회 학술발표논문집 Vol.30 No.1C
많은 기업들이 사설망과 같은 수준의 기능을 제공하면서 사설망에 비해 매우 경제적인 VPN 을 기업 네트웍의 인프라로 채택하고 있다. VPN 을 구성하는데 있어 우수한 QoS 나 보안 기능을 제공하는 MPLS VPN 이 VPN 을 구성하기 위한 최적의 방법으로 간주되고 있다. 또한 모바일 컴퓨팅의 보편화와 이동 환경에서의 인터넷 서비스에 대한 요구의 증가로 VPN 에서도 이동 인터넷 서비스를 제공할 필요가 있게 되었다. 본 논문에서는 IP 의 이동성을 제공하는 Mobile IP 와 MPLS VPN 을 결합하여 VPN 이용자에게 이동 인터넷 서비스를 제공하는 방법을 설명하고 이동 노드의 핸드오프시 발생하는 패킷 손실을 최소하기 위해 Smooth handoff 를 지원하는 MPLS VPN 을 Linux 에서 구현하고 테스트를 수행하였다.
이광희(Kwang Hee Lee),오명환(Myoung Hwan Oh),최훈(Hoon Choi) 한국정보과학회 2003 한국정보과학회 학술발표논문집 Vol.30 No.2Ⅲ
IP 주소 부족 문제를 해결하기 위한 방법은 크게 두 가지로 나누어 볼 수 있다. 32bit 의 주소체계를 갖는 IPv4 를 128bit 의 주소체계를 갖는 IPv6 로 대체하는 장기적인 관점에서의 해결책과 네트워크 주소 변환(NAT : Network Address Translation) 기술을 이용하여 로컬 네트워크의 호스트들이 부족한 공인 IP 주소를 공유하는 단기적인 관점의 해결책이 있다. IPv4 에서 IPv6 로의 전이는 현재 구축된 모든 네트워크 장비와 인터넷에 연결된 호스트들의 수정이 필요하므로 많은 시간과 비용을 필요로 한다. 네트워크 주소 변환 기법은 로컬 네트워크에서 사설 IP 주소를 사용하고 로컬 네트워크의 호스트가 인터넷 접속 시 사설 IP 주소를 공인 IP 주소로 변환하여 인터넷 접속을 지원하는 범용적인 기술이다. 기존 네트워크 주소 변환 기술은 인터넷 통신의 기본 특성인 종단간 연결성(end-to-end connectivity)을 지원하지 못하고 종단 호스트간의 연결 매개 기술이므로 IPSEC 과 같은 종단간 통신 보안 지원을 목적으로 하는 기술에는 적용할 수 없다. 본 논문에서는 NAT 기술의 한계를 분석하고 이를 극복하기 위해 호스트 라우팅을 이용한 공이 IP 주소 공유 기법을 제안한다. 제안된 IP 공유 기법은 IP 패킷의 헤더나 페이로드의 어떠한 수정 없이 단지 창조에 의해 사설 네트워크의 호스트들에서 인터넷 풀 액세스 및 종단간 IPSEC 세션을 지원한다.
주병권,이명복,이정일,김형곤,강광남,오명환,Ju, Byeong-Kwon,Lee, Myoung-Bok,Lee, Jung-Il,Kim, Hyoung-Gon,Kim, Kwang-Nham,Oh, Myung-Hwan 대한전자공학회 1990 전자공학회논문지 Vol. No.
표준 Si 공정기술을 이용하여 칩의 크기가 $1.7{\times}1.7{mm^2}$인 소형 압저항형 Si 압력센서를 제작하고 그 동작 특성을 평가하였다. 제작된 센서는 크기 $1.0{\times}1.0{mm^2}$, 두께 $20{\mu}m$의 n형 Si 다이아프램상에 4개의 붕소 확산저항이 브릿지 형태로 연결된 칩 구조를 가지며 최종적으로 게이지압을 측장할 수 있도록 상온 상압하에서 패키징하였다. 이 센서의 동작특성은 상온에서 압력감도 $14.2{\mu}V/V{\cdot}mmHg$ 정격 압력범위 0~760mmHg, 최대 비선형성 $1.0{\%}$ FS로 평가되었다. On the basis of standard Si processing, the miniaturized piezoresistive-type Si pressure sensor with a chip size of $1.7{\times}1.7{mm^2}$ was fabricated and its operating characteristics were investigated. The sensor chip has a full-bridge type of 4 boron-diffused resistors which is formed on an $1.0{\times}1.0{mm^2}$ area, $20{\mu}m$ thick n-type Si diaphragm and finally, encapsulated under room temperature, 1 atm in order to measure a gauge pressure. The operating characteristics of this sensor were determined as a pressure sensitivity of $14.2{\mu}$V/VmmHg, a rated pressure range of 0~760 mmHg, and a maximum nonlinearity of $1.0{\%}$ FS at room temperature.
GDI 호스트-도펀트 형광체를 이용한 청색 OLED의 제작과 특성 평가
장지근,신세진,강의정,김희원,장호정,오명환,김영섭,이준영,공명선,이영관,Jang, Ji-Geun,Shin, Se-Jin,Kang, Eui-Jung,Kim, Hee-Won,Chang, Ho-Jung,Oh, Myung-Hwan,Kim, Young-Seop,Lee, Jun-Young,Gong, Myoung-Seon,Lee, Young-Kwan 한국재료학회 2006 한국재료학회지 Vol.16 No.4
The blue emitting OLEDs using GDI host-dopant phosphors have been fabricated and characterized. In the device fabrication, 2-TNATA [4,4',4'-tris(2-naphthylphenyl-phenylamino)- triphenylamine] as a hole injection material and NPB [N,N'-bis(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine] as a hole transport material were deposited on the ITO(indium thin oxide)/glass substrate by vacuum evaporation. And then, blue color emission layer was deposited using GDI602 as a host material and GDI691 as a dopant. Finally, small molecule OLEDs with structure of ITO/2-TNATA/NPB/GDI602:GDI691/Alq3/LiF/Al were obtained by in-situ deposition of Alq3, LiF and Al as the electron transport material, electron injection material and cathode, respectively. Blue OLEDs fabricated in our experiments showed the color coordinate of CIE(0.14, 0.16) and the maximum power efficiency of 1.1 lm/W at 11 V with the peak emission wavelength of 464 nm.